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基于陶瓷基板一体化封装的高可靠性LC滤波器组装工艺研究

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压电与声光 2024年第1期46卷 42-47页

作者：李亚飞温桎茹蒲志勇张钧翀张伟董姝吴秦中国电子科集团公司第二十六研究所重庆400060

针对陶瓷基板一体化封装结构的LC滤波器,采用回流焊方法进行装配,制作了具有高可靠性的LC滤波器。采用电阻点焊对绕线电感进行引脚固定,使用贴片红胶粘接固定片式电容,实现陶瓷一体化封装LC滤波器内部元件的预固定。通过点涂方式施加焊... 详细信息

针对陶瓷基板一体化封装结构的LC滤波器,采用回流焊方法进行装配,制作了具有高可靠性的LC滤波器。采用电阻点焊对绕线电感进行引脚固定,使用贴片红胶粘接固定片式电容,实现陶瓷一体化封装LC滤波器内部元件的预固定。通过点涂方式施加焊膏,经回流焊接形成润湿良好的焊点,利用微压水柱清洗去除残留的助焊剂。经过调试和涂胶固定绕线电感后采用平行缝焊完成产品封装。对回流焊装配的LC滤波器进行过程检验、温度和机械试验。结果表明,由所研究的组装工艺制成的LC滤波器具有较好的工序直通率,满足高可靠环境应用要求,适合于批量化生产。

关键词：陶瓷基板一体化封装 LC滤波器回流焊接可靠性

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一种K波段晶圆级封装器件化R组件设计

电讯技术 2024年

作者：朱贵德罗鑫王军会罗里何小峰中国电子科技集团公司第十研究所

介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺和砷化镓（GaAs）工艺相结合的芯片架构，实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封扇出晶圆级封装工艺，通过在两种芯片上... 详细信息

介绍了一种基于树脂基晶圆级扇出封装的K波段器件化R组件。采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺和砷化镓（GaAs）工艺相结合的芯片架构，实现了一种紧凑型8通道数控延时低噪声放大前端。采用塑封扇出晶圆级封装工艺，通过在两种芯片上合理设置接地焊盘位置，再借助晶圆级封装的再布线设计和植球工艺，实现单个封装内多通道间以及多个封装间的良好电磁屏蔽。采用多物理场协同仿真方式，将无源互连的场级全波仿真结果与有源电路的电路级仿真结果进行场路协同联合仿真，通过场路协同调谐优化，得到最优宽带匹配效果，研制出了一款晶圆级扇出封装器件化R组件。实测表明在K波段噪声系数小于2.1dB，小信号增益大于22dB，延时误差RMS小于1.8ps，R组件尺寸为11mm×8mm×0.7mm，重量仅0.2g。该方案充分发挥了CMOS工艺数模混合集成能力和GaAs工艺优异的射频性能，实现了R组件更高的功能密度、通道密度和低成本需求，具有一定的工程应用价值。

关键词：晶圆级扇出封装器件化电磁屏蔽场路协同仿真

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陶瓷介质滤波器焊接工艺技术研究

压电与声光 2024年第2期46卷 149-153页

作者：李亚飞张钧翀龚旭李医虹唐盘良陈彦光马晋毅中国电子科集团公司第二十六研究所重庆400060

针对陶瓷介质滤波器装配焊接过程中出现介质胚体开裂的问题,通过对裂纹特征观察和材料物理性质分析,在金属屏蔽罩装接、印制板焊盘设计和回流焊工艺等方面进行改进。对焊接后的器件进行温度和力学等可靠性试验,产品测试合格率为100%,破... 详细信息

针对陶瓷介质滤波器装配焊接过程中出现介质胚体开裂的问题,通过对裂纹特征观察和材料物理性质分析,在金属屏蔽罩装接、印制板焊盘设计和回流焊工艺等方面进行改进。对焊接后的器件进行温度和力学等可靠性试验,产品测试合格率为100%,破坏性物理分析(DPA)剖样观察到介质滤波器不存在开裂或微裂纹的失效隐患。结果表明,该焊接工艺能解决陶瓷介质滤波器的焊接裂纹问题,实现了较高的产品可靠性。

关键词：介质滤波器焊接裂纹热应力可靠性

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一种高可靠连体式介质滤波器设计

压电与声光 2024年第2期46卷 143-148页

作者：魏强李鲲冯小东中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

根据椭圆函数响应,采用相对介电常数为37的高品质因数微波介质材料,该文设计了一种低损耗、连体式四级介质滤波器。通过1-4谐振器之间使用级联四元组(CQ)电容加载耦合,经优化后滤波器中心频率为1268 MHz,工作带宽为25 MHz,插入损耗≤2.5... 详细信息

根据椭圆函数响应,采用相对介电常数为37的高品质因数微波介质材料,该文设计了一种低损耗、连体式四级介质滤波器。通过1-4谐振器之间使用级联四元组(CQ)电容加载耦合,经优化后滤波器中心频率为1268 MHz,工作带宽为25 MHz,插入损耗≤2.5 dB,回波损耗≥18 dB,近端带外抑制≥40 dB。根据仿真模型结构参数,优化成型和金属化工艺,制备得到的样品,通过可靠性环境试验表明,该滤波器的性能测试结果与仿真结果吻合良好。

关键词：介质滤波器交叉耦合带外抑制可靠性

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硅基钽酸锂异质晶圆键合工艺研究

人工晶体学报 2024年第4期53卷 634-640页

作者：陈哲明丁雨憧邹少红龙勇石自彬马晋毅中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Sma... 详细信息

5G移动通信的发展对声表面波滤波器提出了高频、小型化、集成化的要求。相较于传统压电体单晶材料,采用硅基压电单晶薄膜材料制备的声表面波滤波器具有高频、低插入损耗、高温稳定性等优势,是高性能声表面波器件发展的核心基础材料。Smart-Cut^(TM)是制备硅基压电单晶薄膜材料的主要方法,键合工艺是其中的核心工序,键合质量决定了硅基压电单晶薄膜晶圆材料的质量,并影响器件性能。本文通过低温直接键合工艺,对等离子活化、兆声清洗、预键合、键合加固四道工序展开优化,最终实现了键合强度高达1.84 J/m^(2)、键合面积超过99.9%的高质量硅基钽酸锂异质晶圆键合。

关键词：硅基钽酸锂低温直接键合等离子活化兆声清洗预键合键合加固声表面波滤波器

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高精度可编程限流二极管功率通路设计

华中科技大学学报（自然科学版） 2024年第3期52卷 72-77页

作者：李现坤魏廷存陈彦杰陈楠西北工业大学微电子学院陕西西安710072 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214072

为了解决传统功率通路中肖特基二极管导通损耗较大的问题,设计了一款高精度可编程限流双通道理想二极管功率通路,基于0.18μm BiCMOS工艺进行了流片验证.采用了新颖的自适应电源选通控制电路,避免PMOS功率管的寄生体二极管导通的风险,并... 详细信息

为了解决传统功率通路中肖特基二极管导通损耗较大的问题,设计了一款高精度可编程限流双通道理想二极管功率通路,基于0.18μm BiCMOS工艺进行了流片验证.采用了新颖的自适应电源选通控制电路,避免PMOS功率管的寄生体二极管导通的风险,并使PMOS功率管导通阻抗仅为40 mΩ.芯片实测结果表明:单个理想二极管功率通路在4 A电流条件下,-40°~125°温度范围内传输效率达到92%以上;而且电路内部集成了高精度可编程限流保护电路,单个通道实现了0.15~4 A范围内限流阈值调节.

关键词：理想二极管线性调节控制迟滞开/关控制可编程限流

三维网络填料增强聚合物基复合材料导热性能的研究进展

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复合材料学报 2024年第7期41卷 3301-3321页

作者：周正荣颜秀文何峰徐冬黄荣进李来风中国科学院理化技术研究所低温科学与技术重点实验室北京100190 中国电子科技集团公司第四十八研究所(长沙半导体工艺设备研究所) 长沙410111 中国科学院大学未来技术学院北京100049

聚合物在超导技术、航天航空、电子电路、动力电池、换热器等领域的应用十分广泛。随着器件的小型化、密集化和高功率,对于整体的散热要求越来越高,但是聚合物作为器件和设备粘接、封装等工艺的关键材料,热导率仅为0.2 W/(m·K),完全不... 详细信息

聚合物在超导技术、航天航空、电子电路、动力电池、换热器等领域的应用十分广泛。随着器件的小型化、密集化和高功率,对于整体的散热要求越来越高,但是聚合物作为器件和设备粘接、封装等工艺的关键材料,热导率仅为0.2 W/(m·K),完全不能满足目前的散热需求,因此亟需提升聚合物的导热性能。由于在聚合物基体中构建连续的导热路径能极大提高聚合物的导热系数,往往能提高数倍或数十倍,因此采用三维网络填料增强聚合物导热性能是最为常用的一种方法之一。本文主要对用构建三维网络填料来增强高分子材料的导热性能的相关研究进行了整理,以制备方式的不同,将其归类为自组装法、相分离法、模板法、取向分布法等方法。最后,从制备方法的热导率提高值、可行性、稳定性等方面进行了总结分析,并对三维网络填料增强的聚合物基导热复合材料的未来发展前景进行了展望。

关键词：导热系数复合材料聚合物三维网络增强无机填料

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一种应用于二次平行封焊的工艺方法

压电与声光 2024年第2期46卷 280-284页

作者：吉垚廖雯何玮洁唐坤龙王传瑶中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

实现二次平行封焊并达到气密性标准是气密性产品返修的关键。该文介绍了一种应用于二次平行封焊的工艺方法,通过对平行封焊后的气密性元器件进行激光开盖,在控制多余物产生后,利用机加工铣平壳体围框表面进行二次平行封焊。测试并分析... 详细信息

实现二次平行封焊并达到气密性标准是气密性产品返修的关键。该文介绍了一种应用于二次平行封焊的工艺方法,通过对平行封焊后的气密性元器件进行激光开盖,在控制多余物产生后,利用机加工铣平壳体围框表面进行二次平行封焊。测试并分析了气密性元器件系统集成封装(SIP)模块二次平行封焊后的检漏。结果表明,细检漏率电子与电器元件试验方法(GJB 360B-2009)要求。根据该文介绍的工艺方法可为多余物可控的气密性元器件实现二次平行封焊提供一种有效的解决方案。

关键词：气密性封盖平行封焊返修检漏

一种快速瞬态响应无片外电容NMOS LDO设计

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微电子学 2024年

作者：吴世财陈彦杰黄少卿肖培磊宣志斌武嘉瑜中国电子科技集团公司第五十八研究所

提出一种快速瞬态响应无片外电容NMOS LDO。该LDO采用了NMOS作为功率管，通过误差放大器为功率管栅极提供充放电电流增加栅极摆率，有效提升了负载瞬态响应。引入可变参考电压电路，增加误差放大器的输出电压摆幅；内部伺服放大器与失... 详细信息

提出一种快速瞬态响应无片外电容NMOS LDO。该LDO采用了NMOS作为功率管，通过误差放大器为功率管栅极提供充放电电流增加栅极摆率，有效提升了负载瞬态响应。引入可变参考电压电路，增加误差放大器的输出电压摆幅；内部伺服放大器与失调电容提高了系统直流工作的稳定性；片上集成了小电流电荷泵，有效减小了噪声对输出端电压的影响。电路基于0.25 μm BCD工艺进行设计流片，测试结果表明，无片外电容时，负载电流在20 mA～200 mA跳变，输出过冲电压50.94 mV，下冲电压117.19 mV，响应时间20 μs，满足了快速瞬态响应的要求。

关键词： NMOS 无片外电容瞬态响应小电流电荷泵