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光学石英晶体条纹缺陷表征

人工晶体学报 2012年第6期41卷 1578-1580页

作者：张绍锋张璇刘巨澜孙志文刘小丰烁光特晶科技有限公司北京100018

本文对光学石英晶体进行辐照,将通常仅在脉理仪下才能呈现的条纹缺陷着色,加以观察和分析。对比辐照后条纹形貌和脉理仪下观察图样,确定辐照可以使条纹缺陷呈现;通过辐照后的着色机理,确定条纹缺陷是由杂离子在晶格中造成的形变产生;通... 详细信息

本文对光学石英晶体进行辐照,将通常仅在脉理仪下才能呈现的条纹缺陷着色,加以观察和分析。对比辐照后条纹形貌和脉理仪下观察图样,确定辐照可以使条纹缺陷呈现;通过辐照后的着色机理,确定条纹缺陷是由杂离子在晶格中造成的形变产生;通过对比无条纹缺陷区域和条纹缺陷区域化学成分,确定进入晶格的Al3+是引起人造光学石英晶体中条纹缺陷的主要原因。

关键词：石英条纹辐照

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电离对晶体生长的作用

人工晶体学报 2003年第2期32卷 156-161页

作者：钟志勇烁光特晶科技有限公司人工晶体研究院北京100018

为什么有的晶体材料容易生长 ,而有的则很难。本文通过分析溶液或熔体的电离状态对晶体生长的影响 ,认为晶体生长的难易程度主要决定于该晶体材料在液相状态下电离度的大小 ,电离是所有化学键晶体生长的必要条件。通过比较各类晶体生长... 详细信息

为什么有的晶体材料容易生长 ,而有的则很难。本文通过分析溶液或熔体的电离状态对晶体生长的影响 ,认为晶体生长的难易程度主要决定于该晶体材料在液相状态下电离度的大小 ,电离是所有化学键晶体生长的必要条件。通过比较各类晶体生长难易程度与价键结构及其化学元素组成的关系 ,认为 :以偏离子性键、金属键结合的材料 ,在熔体状态下的电离度大 ,容易形成晶相 ;以偏共价键结合的化合物电离度小 ,难于生长单晶体 ,但容易制作非晶或纳米材料。

关键词：电离度晶体生长离子性液相状态

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晶体生长时的固液相结构变化分析

人工晶体学报 2003年第1期32卷 55-62页

作者：钟志勇人工晶体研究院烁光特晶科技有限公司北京100018

晶体的溶解、熔化以及结晶成核生长时的固液相原子结构是怎样变化的 ,晶体生长时的生长基元是原子还是原子团。本文根据各种材料液相结构的最新研究结果 ,提出不饱和配位结构转换模式 ,并以此模式对各种常见晶体材料从溶解、熔化到结晶... 详细信息

晶体的溶解、熔化以及结晶成核生长时的固液相原子结构是怎样变化的 ,晶体生长时的生长基元是原子还是原子团。本文根据各种材料液相结构的最新研究结果 ,提出不饱和配位结构转换模式 ,并以此模式对各种常见晶体材料从溶解、熔化到结晶生长时的液态母相结构变化以及晶体成核过程进行了描述和分析 ,认为晶体生长时的界面结构和液相结构十分接近 ,溶解、熔化主要是晶体表面的不饱和配位原子 (离子 )转换到液相结构的过程 ,晶体生长主要是液相中的不饱和配位原子 (离子 )转换到固液生长界面的位错位置 ,使配位结构更饱和的过程。随着液相过饱和度的增大 ,液相结构单元的原子数越来越多 ,吸附到晶体生长界面若来不及转换回液相 ,就形成新的位错生长中心。

关键词：晶体生长固液相结构不饱和配位结构转换

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透明多晶尖晶石的制备研究

人工晶体学报 2003年第2期32卷 143-147页

作者：赫延明雷牧云杜洪兵闻芳黄存新人工晶体研究院北京100018 烁光特晶科技有限公司北京100018

本文报道了采用高纯、超细的尖晶石粉末作为起始原料 ,用真空烧结法结合热等静压后处理技术制备透明多晶尖晶石材料 ,合成的原料纯度较高、粒度小、粒径分布窄。测试了尖晶石的透过率、抗弯强度、硬度、热膨胀系数等主要物理性能。制备... 详细信息

本文报道了采用高纯、超细的尖晶石粉末作为起始原料 ,用真空烧结法结合热等静压后处理技术制备透明多晶尖晶石材料 ,合成的原料纯度较高、粒度小、粒径分布窄。测试了尖晶石的透过率、抗弯强度、硬度、热膨胀系数等主要物理性能。制备的多晶尖晶石材料从紫外、可见光到近红外波段的透过率在 75 %以上。

关键词：透明多晶尖晶石制备研究真空烧结热等静压透过率抗弯强度硬度

改善Nd:YVO_4晶体光学均匀性的工艺研究

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人工晶体学报 2004年第2期33卷 241-243页

作者：尹利君钟志勇烁光特晶科技有限公司北京100018

以浓度分布差小和退火后光学均匀性好为目的,通过改造温场,分阶段调整生长界面、搅拌速度、提拉速度、温度、时间等工艺参数,改善了Nd:YVO4激光晶体的光学质量和光学均匀性。

关键词： Nd:YVO4晶体光学均匀性光学质量浓度搅拌速度提拉速度激光二极管提拉法

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石英晶体生长节能机理的研究

人工晶体学报 2002年第4期31卷 409-412页

作者：尹利君华大辰烁光特晶科技有限公司北京100018

石英晶体生长功率的主要消耗在恒温阶段 ,其电功率变化是节能的主要参数。本文通过分析石英晶体的生长机理和过程保温模型 ,提出在解决溶解区的保温同时控制好温度和生长区与溶解区之间的温差以保证晶体低耗高质高效的方案。

关键词：研究石英晶体生长功率保温节能

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石英晶体产业概述

人工晶体学报 2012年第S1期41卷 155-159页

作者：尹利君张绍锋孙志文华大辰烁光特晶科技有限公司北京100018

水热法人造石英晶体材料的产能自二十世纪五十年代开始不断增长,二十一世纪初达到顶峰。随着世界石英晶体元器件向高频、小型化、片式化、耐辐照方向发展,产品品种和产量发生很大变化。高Q值、低腐蚀隧道密度、包裹体少是压电石英材料... 详细信息

水热法人造石英晶体材料的产能自二十世纪五十年代开始不断增长,二十一世纪初达到顶峰。随着世界石英晶体元器件向高频、小型化、片式化、耐辐照方向发展,产品品种和产量发生很大变化。高Q值、低腐蚀隧道密度、包裹体少是压电石英材料未来发展的趋势;而包裹体和条纹(脉理)是光学石英晶体两大关键技术指标。

关键词：石英晶体材料元器件产业

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K4体系KTP晶体的制备及其性能研究

硅酸盐通报 2011年第5期30卷 1072-1076页

作者：葛世艳师瑞泽肖亚波李祯张杰姜秀丽王立弟烁光特晶科技有限公司北京100018

本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4=0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收... 详细信息

本文选用K4P2O7助溶剂体系生长KTP晶体,所生长的晶体具有低吸收率和蓝、绿光波段抗灰迹性能,确定其最佳生长配比为KTP/K4=0.8 mol/mol,测定其饱和点为850℃左右,从饱和点缓慢降温到820℃所生长晶体质量最佳,并对其进行了PCI抗灰迹吸收测试、倍频效率测试、电导率测试。结果表明:在同样原料纯度的情况下,吸收系数只有普通K6体系KTP晶体的十几分之一;1064 nm调Q到绿光的转化效率为61.8%(普通KTP转化效率为50%);在1 kV直流长时间加压条件下,Z向电导率达到10-10 S/cm量级,较普通K6体系生长的KTP晶体低2～3个数量级。

关键词：磷酸氧钛钾抗灰迹 K4P2O7助溶剂

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抗灰迹Rb∶KTP晶体的生长及性能研究

硅酸盐通报 2013年第8期32卷 1672-1675页

作者：庞珍丽师瑞泽张杰肖亚波姜秀丽烁光特晶科技有限公司北京100018

本文采用K6P4O13(K6)作助熔剂来生长Rb∶KTP晶体,所生长的晶体具有电导率低,吸收系数稳定和好的抗灰迹性能等优点。本文按照生长比例KTP∶K6=1.345∶1(物质的量比),Rb离子浓度为取代溶液中K离子浓度的1.4 mol%左右来进行配料。测量了Rb... 详细信息

本文采用K6P4O13(K6)作助熔剂来生长Rb∶KTP晶体,所生长的晶体具有电导率低,吸收系数稳定和好的抗灰迹性能等优点。本文按照生长比例KTP∶K6=1.345∶1(物质的量比),Rb离子浓度为取代溶液中K离子浓度的1.4 mol%左右来进行配料。测量了Rb∶KTP晶体中掺杂的Rb离子浓度为0.87 mol%,经过测试,晶体的电导率达到10-10S/cm。测试了晶体随时间延长的光能吸收,发现Rb∶KTP晶体的吸收系数比较稳定,并进行了晶体抗灰迹性能激光测试,发现Rb∶KTP晶体较普通KTP晶体具有很好的抗灰迹性能。

关键词：磷酸钛氧钾低电导率抗灰迹 K6P4O13助溶剂