检索结果-南通市图书馆

利用原子在圆偏振激光场中的强场电离产生自旋极化电子

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子与分子物理学报 2025年第3期42卷 101-109页

作者：王中元高轩鸿景文泉杜进旭赵松峰西北师范大学物理与电子工程学院兰州730070

圆偏振激光场中原子的非绝热强场电离为产生自旋极化电子提供了机会.我们应用这些解析电离速率公式[Ingo Barth and Olga Smirnova,***.A 88,013401(2013)]更系统地研究了通过Kr和Xe原子在右旋圆偏振激光脉冲中的强场电离产生自旋极化电... 详细信息

圆偏振激光场中原子的非绝热强场电离为产生自旋极化电子提供了机会.我们应用这些解析电离速率公式[Ingo Barth and Olga Smirnova,***.A 88,013401(2013)]更系统地研究了通过Kr和Xe原子在右旋圆偏振激光脉冲中的强场电离产生自旋极化电子,并证实了不同自旋态的光电子能量分布有很大差异、电子的自旋极化敏感地依赖于光电子能量.另外,在光电子能谱的低能部分其自旋极化可以达到100%,并且通过调节激光强度和频率可以很好地控制能量积分的自旋极化.

关键词：自旋极化电子非绝热强场电离右旋圆偏振激光场

色散及视觉函数对白光干涉测折射率影响的分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光学学报 2010年第1期30卷 117-122页

作者：皇甫国庆渭南师范学院物理与电子工程系陕西渭南714000

对使用迈克耳孙干涉仪白光干涉测量透明介质折射率实验中出现的3种异常现象的原因进行了分析。在考虑介质色散并对人视觉函数作适当简化的情况下,求得了干涉条纹可见度、可见白光干涉条纹时动镜的移动范围和折射率的表达式,并由实验对... 详细信息

对使用迈克耳孙干涉仪白光干涉测量透明介质折射率实验中出现的3种异常现象的原因进行了分析。在考虑介质色散并对人视觉函数作适当简化的情况下,求得了干涉条纹可见度、可见白光干涉条纹时动镜的移动范围和折射率的表达式,并由实验对其结果进行了验证。结果表明,运用此方法测量所得的平行板透明介质折射率并非通常由相速度所定义的相折射率,而是白光在介质中由群速度所定义的群折射率。此方法可以用测量到的群折射率和已知的相折射率求得介质在中心波长处的色散。

关键词：白光干涉迈克耳孙干涉仪视觉函数可见度群折射率

P-block基金属原子在TiO_(2)(110)表面的吸附及扩散性质研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子与分子物理学报 2025年第6期42卷 17-21页

作者：丁雅妮郭梦雨王博涵贾晨怡王美娟史金磊郑州师范学院物理与电子工程学院郑州市低维纳米材料重点实验室郑州450044

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们系统研究了p-block金属原子(Sn,Sb,Bi和Te)在TiO_(2)(110)表面上的吸附及扩散行为.计算结果表明Sn,Sb及Bi金属原子在TiO_(2)(110)表面上具有较大的吸附能和较高的扩散势垒,倾向于形成分散的p-... 详细信息

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们系统研究了p-block金属原子(Sn,Sb,Bi和Te)在TiO_(2)(110)表面上的吸附及扩散行为.计算结果表明Sn,Sb及Bi金属原子在TiO_(2)(110)表面上具有较大的吸附能和较高的扩散势垒,倾向于形成分散的p-block单原子,然而对于Te金属原子,由于其与衬底结合能相对较弱且扩散势垒较低而更倾向于形成团簇,该研究结果有助于为实验上构建基于p-block的金属单原子催化剂提供理论依据.

关键词： p-block单原子催化剂吸附及扩散势垒第一性原理计算

五边形石墨烯双层电子性能及磁性调控的第一性原理研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子与分子物理学报 2025年第5期42卷 67-71页

作者：吴旌贺丁雅妮郭梦雨陈卫光王美娟史金磊河南财政金融学院创新创业学院郑州450046 郑州师范学院物理与电子工程学院郑州市低维纳米材料重点实验室郑州450044

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们研究了五边形石墨烯双层结构表面氢氟化对其电子结构及磁性的调控.计算结果表明,氢氟化的五边形石墨烯双层可以在价带顶和导带底出现自旋极化态,从而诱导出磁性且有效降低带隙.基于这一特性,... 详细信息

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们研究了五边形石墨烯双层结构表面氢氟化对其电子结构及磁性的调控.计算结果表明,氢氟化的五边形石墨烯双层可以在价带顶和导带底出现自旋极化态,从而诱导出磁性且有效降低带隙.基于这一特性,我们进一步发现通过调控氢氟化覆盖度能够有效调节体系带隙及磁矩,并且随着覆盖度增加实现了五边形石墨烯双层从半导体-金属-半导体的转变.

关键词：五边形石墨烯双层电子结构和磁性调控第一性原理计算

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

五边形石墨烯氧气吸附与解离特性研究

原子与分子物理学报 2025年第4期42卷 40-44页

作者：吴旌贺丁雅妮郭梦雨陈卫光史金磊河南财政金融学院创新创业学院郑州450046 郑州师范学院物理与电子工程学院郑州市低维纳米材料重点实验室郑州450044

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了O_(2)在五边形石墨烯(PG)上的吸附与解离动力学行为.研究结果表明,PG并不能有效地激发O_(2),形成稳定的氧吸附结构需要克服约0.54 eV势垒,并且吸附的O_(2)分解需要克服约0.82 eV势垒.然而,O... 详细信息

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了O_(2)在五边形石墨烯(PG)上的吸附与解离动力学行为.研究结果表明,PG并不能有效地激发O_(2),形成稳定的氧吸附结构需要克服约0.54 eV势垒,并且吸附的O_(2)分解需要克服约0.82 eV势垒.然而,O_(2)分解后的PG衬底结构却能使后续吸附的O_(2)分子自动分解,破坏C-C键,以致PG在空气中难以稳定存在.基于此,为了避免PG结构在空气中被氧化,我们进一步提出将过渡金属原子吸附PG,使得O_(2)更容易被过渡金属原子吸附与激发,从而避免了PG被氧化.

关键词：五边形石墨烯 O_(2)吸附与解离第一性原理计算

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于第一性原理的镧掺杂氧化锌的性质研究

原子与分子物理学报 2025年第1期42卷 163-170页

作者：王馨悦许钟华吴光成谢富焯杨坚祝辉亚陈春燕广西民族师范学院数理与电子信息工程学院崇左532200

本文采用第一性原理计算方法开展La掺杂ZnO的缺陷研究,分析了La在ZnO中的不同占位缺陷:替换位和间隙位缺陷的形成能、能带和态密度;证明了La掺杂ZnO的生长过程中,La替换Zn原子形成替换位缺陷的可能性要比进入间隙位形成间隙位缺陷大,而... 详细信息

本文采用第一性原理计算方法开展La掺杂ZnO的缺陷研究,分析了La在ZnO中的不同占位缺陷:替换位和间隙位缺陷的形成能、能带和态密度;证明了La掺杂ZnO的生长过程中,La替换Zn原子形成替换位缺陷的可能性要比进入间隙位形成间隙位缺陷大,而在形成替换位缺陷时,选择富氧的生长环境要比富锌的生长环境好,替换位缺陷有助于提高ZnO的导电能力,改善ZnO的性能.本文的研究结果能够为La掺杂ZnO的实验和应用提供一定的理论参考.

关键词：氧化锌稀土元素能带电子态密度第一性原理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

具有三自旋相互作用XX模型纠缠特性研究

原子与分子物理学报 2010年第6期27卷 1129-1134页

作者：张修兴李芳菊王菊霞皇甫国庆张甲郭宝会渭南师范学院物理与电子工程系渭南714000

利用Concurrence判据,研究了具有三自旋相互作用的XX模型的纠缠特性;分别在铁磁和反铁磁模型中研究了三自旋相互作用J_2和温度T对两自旋纠缠度的影响.结果表明,三自旋相互作用J_2提高系统的两体纠缠度,但是提高程度会因最近邻自旋间发... 详细信息

利用Concurrence判据,研究了具有三自旋相互作用的XX模型的纠缠特性;分别在铁磁和反铁磁模型中研究了三自旋相互作用J_2和温度T对两自旋纠缠度的影响.结果表明,三自旋相互作用J_2提高系统的两体纠缠度,但是提高程度会因最近邻自旋间发生铁磁、反铁磁相互作用而有所差异;并且J_2影响两自旋系统纠缠消失的临界温度T_C,T_C会随J_2的增大而减小.系统温度T影响两体纠缠度,随着温度的降低,纠缠度会得到提高.此外,分别在系统本征态和基态中研究了两自旋的纠缠度,求出了系统发生量子相变的量子临界点.

关键词：量子纠缠 Concurrence (反)铁磁模型三自旋相互作用

半绝缘GaAs光电导开关体内热电子的光电导振荡特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2009年第12期58卷 8554-8559页

作者：施卫薛红马湘蓉西安理工大学应用物理系西安710048 渭南师范学院物理与电子工程系渭南714000

用波长为532nm、脉冲宽度为5ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,开关偏置电压从500V开始以步长50V逐渐增加,直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明,线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后,其后... 详细信息

用波长为532nm、脉冲宽度为5ns的超短激光脉冲触发电极间隙为4mm的半绝缘GaAs光电导开关,开关偏置电压从500V开始以步长50V逐渐增加,直到开关出现非线性电脉冲输出.研究表明,线性和非线性电脉冲波形均呈现出在经历一个主脉冲之后,其后跟随几个幅值较小且具有周期性和不同程度的减幅振荡.分析了开关体内载流子(热电子)的微观状态和输运过程,在直流偏置电场作用下,开关体内的热电子在电子-电子、电子-声子相互作用过程中,当它们的弛豫时间大于载流子的寿命时,光电子的输运可通过迁移率变化引起光电导振荡,这是开关输出电脉冲出现振荡的原因.

关键词：光电导开关热电子弛豫光电导振荡

4d金属掺杂MoS_(2)改善对NO_(2)传感性能的机理研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

原子与分子物理学报 2025年第2期42卷 175-181页

作者：潘一翠罗磊高鑫付岳牟芷瑶朱洪强冯庆重庆师范大学物理与电子工程学院重庆401331 重庆市光电功能材料重点实验室重庆401331

二硫化钼(MoS_(2))是一种热门的气体传感器材料.针对MoS_(2)与气体分子之间的弱相互作用问题,掺杂是一种有效的解决方式.本文利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对二氧化氮(NO_(2))分子在4d金属掺杂后的MoS_... 详细信息

二硫化钼(MoS_(2))是一种热门的气体传感器材料.针对MoS_(2)与气体分子之间的弱相互作用问题,掺杂是一种有效的解决方式.本文利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势计算方法,对二氧化氮(NO_(2))分子在4d金属掺杂后的MoS_(2)表面上吸附的微观机制进行了理论研究.研究结果表明:4d过渡金属元素掺杂有利于提高MoS_(2)吸附NO_(2)后的稳定性,且掺杂改变了材料表面的还原性,改善了其传感性能.掺入4d金属原子的材料禁带宽度显著减小,并且在费米能级附近形成了新的杂质峰,这大大提升了它的导电性.且掺杂原子的4d与5s轨道电子之间的协同作用会提升气体分子与材料之间的传感特性,这表明4d金属原子掺入MoS_(2)可以成为一种有效的NO_(2)传感器材料.本文的工作有助于寻求合适的化学掺杂的方法来提高MoS_(2)基气体传感器的性能.

关键词： MoS_(2) NO_(2) 吸附掺杂第一性原理计算