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应用于40Gb/s电吸收调制器的Al_2O_3高速热沉研究

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红外与毫米波学报 2006年第2期25卷 105-108页

作者：田建柏熊兵王健蔡鹏飞孙长征罗毅清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／N... 详细信息

设计制作了面向40Gb／s电吸收调制器（EAM）的高速微波过渡热沉，并进行了EAM管芯级封装测试的验证．这种基于氧化铝（Al2O3）的热沉采用共面波导（CPW）传输线以实现低损耗微波传送，以及Ta2N薄膜电阻用于EAM的阻抗匹配，采用Ti／Cu／Ni／Au金属材料作为CPW传输线电极材料，从而保证CPW传输线与Ta2N电阻材料之间良好的电接触，使热沉的典型反射系数在0—40GHz范围内均达到优于-21dB的水平．作为验证，采用该种热沉用于高速EAM的管芯级封装，测试得到小信号调制响应带宽超过40GHz．

关键词：高速热沉电吸收调制器共面波导传输线薄膜电阻阻抗匹配

高In组分In_xGa_(1-x)N/GaN多量子阱材料电致荧光谱的研究

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物理学报 2005年第8期54卷 3905-3909页

作者：邵嘉平胡卉郭文平汪莱罗毅孙长征郝智彪清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光... 详细信息

研究了高In组分InxGa1-xN/GaN(x≈30%)多量子阱(MQWs)结构发光二极管样品在不同注入电流下的电致荧光(EL)谱及反常的双峰现象.结果表明:有源区内建电场在外界电流注入条件下逐渐受屏蔽,这一效应在高In组分InxGa1-xN/GaNMQWs材料的发光复合机理中占有重要地位.

关键词： In组分多量子阱材料 GaN 荧光谱发光二极管注入条件内建电场双峰现象电致荧光复合机理 MQWs 有源区电流反常

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应用于40Gb/s高速热沉的匹配电阻研究

红外与毫米波学报 2007年第5期26卷 344-348页

作者：张明俊孙长征蔡鹏飞熊兵罗毅清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.... 详细信息

针对40Gb/s高速过渡热沉阻抗匹配的要求,对基于Ta2N薄膜的匹配电阻制作工艺进行了系统研究.根据过渡热沉的等效电路模型,分析了Ta2N薄膜电阻与传输线电极间接触电阻对高频反射特性的影响,并通过理论仿真确定了热沉匹配电阻的容差范围.利用磁控反应溅射技术,制作出特性稳定、方阻可调的Ta2N电阻薄膜.通过优化高温退火条件,将电阻薄膜与金属电极间的比接触电阻率降至10-6Ω.cm2量级.在此基础上,制作出了性能良好稳定、可应用于40Gb/s光电子器件封装的高速过渡热沉.

关键词：阻抗匹配 Ta2N薄膜接触电阻比接触电阻率

柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响

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物理学报 2009年第5期58卷 3468-3473页

作者：江洋罗毅汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断... 详细信息

在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高.

关键词：蓝宝石图形衬底氮化镓发光二极管侧向生长

基于石英柱模型的光子晶体光纤异常布里渊散射特性的理论研究

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物理学报 2009年第3期58卷 1731-1737页

作者：黄俨张巍王胤黄翊东彭江得清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

通过石英圆柱模型,理论研究了小芯径光子晶体光纤中混合声波模式的色散、模式耦合以及声光相互作用,理论计算出了布里渊散射增益系数谱的双峰结构及其随抽运光波长和温度的演化规律.理论分析表明光子晶体光纤中布里渊散射增益系数谱的... 详细信息

通过石英圆柱模型,理论研究了小芯径光子晶体光纤中混合声波模式的色散、模式耦合以及声光相互作用,理论计算出了布里渊散射增益系数谱的双峰结构及其随抽运光波长和温度的演化规律.理论分析表明光子晶体光纤中布里渊散射增益系数谱的双峰结构源于小芯径光子晶体光纤中混合声波模式之间的模式耦合.通过温度改变导致的材料参数变化对声波模式色散特性的影响,特别是声波模式耦合点的移动,解释了双峰结构随外界温度的变化规律.并且,通过理论计算与实验结果的对比讨论了石英圆柱模型的局限性和适用范围.

关键词：布里渊散射声光相互作用模式耦合光子晶体光纤

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背面直接取样结构电光取样的空间分辨率

红外与毫米波学报 2001年第2期20卷 123-125页

作者：贾刚陈占国曹杰衣茂斌孙伟高鼎三吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室

介绍了电光取样系统空间分辨率的测量原理和方法 ,实验结果表明 ,建立的电光取样仪的空间分辨率为

关键词：空间分辨率电光取样高斯分布背面直接取样结构测量电光晶体集成电路光斑

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手征媒质平板波导的传播特性

清华大学学报（自然科学版） 1997年第10期37卷 54-56,60页

作者：肖建国张克潜宫莲清华大学电子工程系国家集成光电子学重点实验室

在求解Ｍａｘｗｅｌ方程的基础上，分析了芯区为手征介质对称平板波导的色散特性。给出了两种色散方程并研究了该波导各模式截止频率与芯区手征导纳的关系。由于手征导纳的引入，同阶模式的截止频率分离，其中右旋椭圆偏振（ＨＲ）分支... 详细信息

在求解Ｍａｘｗｅｌ方程的基础上，分析了芯区为手征介质对称平板波导的色散特性。给出了两种色散方程并研究了该波导各模式截止频率与芯区手征导纳的关系。由于手征导纳的引入，同阶模式的截止频率分离，其中右旋椭圆偏振（ＨＲ）分支的截止频率随手征导纳的增大而增大，左旋椭圆偏振（ＨＬ）分支的截止频率则减小。当手征导纳大于某一值时，ＨＲ分支的截止频率为无穷大即此分支不再存在，只有ＨＬ分支传导，模式色散曲线与普通平板波导相似。此时，偶模截止频率为零的模式只有一个，即存在单模工作区。

关键词：手征媒质平板波导传播特性波导色散方程

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新型自脉动多段式分布反馈激光器的理论分析

光电子．激光 2007年第4期18卷 396-399页

作者：孙长征万钦熊兵王健罗毅清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

提出一种新型可产生稳定自脉动光脉冲的多段式分布反馈(MS-DFB)半导体激光器结构,其特点在于各DFB段采用了不同的脊波导宽度。为了对变脊波导宽度MS-DFB激光器的工作特性进行理论分析,利用时域有限差分(FDTD)方法对大信号模型进行了求... 详细信息

提出一种新型可产生稳定自脉动光脉冲的多段式分布反馈(MS-DFB)半导体激光器结构,其特点在于各DFB段采用了不同的脊波导宽度。为了对变脊波导宽度MS-DFB激光器的工作特性进行理论分析,利用时域有限差分(FDTD)方法对大信号模型进行了求解。数值计算结果表明,当前、后DFB段脊波导宽度分别为1.5μm和3.0μm而其他结构参数相同的情况下,MS-DFB激光器可以产生频率为195 GHz的稳定自脉动光脉冲。

关键词：自脉动多段式分布反馈(MS-DFB) 脊波导大信号模型

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基于等效相移光栅的双用户光码分多址系统

光电子．激光 2008年第5期19卷 616-619页

作者：燕萌姚敏玉张洪明章壮前李王哲吴庆伟清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室北京100084

报道了基于等效相移光纤光栅编/解码器的2.5G b/s双用户光码分多址系统。系统中的两个并发用户可以各自独立地解码,并得到清晰的眼图。测量了单用户情况下系统的误码率曲线,误码率为10-9时编/解码引起的功率代价为0.7 dB。实验表明,使... 详细信息

报道了基于等效相移光纤光栅编/解码器的2.5G b/s双用户光码分多址系统。系统中的两个并发用户可以各自独立地解码,并得到清晰的眼图。测量了单用户情况下系统的误码率曲线,误码率为10-9时编/解码引起的功率代价为0.7 dB。实验表明,使用基于等效相移光栅的编/解码器能够搭建可容纳多个用户的光码分多址系统。

关键词：光通信技术光码分多址超结构光纤布拉格光栅等效相移