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5448 条 记 录,以下是91-100 订阅
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元器件无铅化导入技术要求
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电子元件与材料 2004年 第11期23卷 79-82页
作者: 朱建 刘哲 贾变芬 中兴通讯股份有限公司康讯工艺技术 广东深圳518057
从电子产品整机厂商的角度,描述了如何保证无铅元器件的可靠性。由于主流无铅锡膏合金为锡银铜系列,其合金的熔点从传统锡铅共晶(锡37%铅)的183℃上升到217℃,随着焊接温度的提高,要求元器件能承受的温度增高,且合金成分也与有铅不同。... 详细信息
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移动通信的发展与展望
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电信科学 2001年 第8期17卷 8-13页
作者: 吴晓文 赵建平 深圳中兴通讯股份有限公司 深圳518004
本文对移动通信的发展现状以及第三代移动通信WCDMA的最新进展进行了介绍 ,对3G以后的未来移动通信应支持的业务种类及网络价值链进行了分析 ,并探讨了未来移动通信可能采用的网络结构和组成形式。最后 ,对影响未来移动通信发展的关键... 详细信息
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支持动态协作的委托授权意愿协商
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系统工程理论与实践 2012年 第12期32卷 2781-2788页
作者: 王媛 孙宇清 高荣瑞 山东大学计算机科学与技术学院 济南250101 中兴通讯股份有限公司 深圳518000
委托授权是为了实现资源共享与协作,在主体之间进行的一种灵活授权方式,是将自己拥有的某些权限转授给他人.现有工作主要针对委托授权的时效性、单调性、委托深度、广度和粒度以及委托权限的撤销等方面进行研究,提出了不同的委托授权模... 详细信息
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一种半桥三电平ZVS PWMDC/DC变换器的研究
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电力电子技术 2010年 第8期44卷 50-51页
作者: 周华敏 徐波 张前 王陶 深圳中兴通讯股份有限公司 广东深圳518055
介绍了一种半桥三电平ZVS PWM DC/DC变换器,在Buck电路小信号模型的基础上结合变换器的工作原理,推导了变换器的小信号模型,为设计控制器的校正传递函数提供了理论基础。提出了一种基于数字控制的滞后管变占空比的控制方式,轻载时实现... 详细信息
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高集成度是WCDMA核心网的发展趋势
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电信科学 2003年 第10期19卷 70-71页
作者: 张灿 深圳中兴通讯股份有限公司移动事业 深圳518004
1高集成度--衡量WCDMA性能的关键指标
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厚膜片式电阻器硫化机理及失效预防
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电子元件与材料 2013年 第2期32卷 36-39页
作者: 王能极 中兴通讯股份有限公司 广东深圳518055
通过DC/DC模块电源失效分析和电阻硫化实验,采用扫描电镜和能谱分析等手段,研究了厚膜片式电阻器的硫化机理。结果表明:厚膜片式电阻器端电极和二次保护包覆层之间存在缝隙,空气中的硫化物通过灌封硅胶吸附进入到厚膜片式电阻器内电极,... 详细信息
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具身智能机器人技术
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中兴通讯技术 2024年 第S1期30卷 40-44页
作者: 邵宏 谢大雄 中兴通讯股份有限公司 中国深圳518057
提出了一种用于智能制造的具身智能机器人技术。提出的具身智能机器人通过主动感知环境、自主学习和自主决策来执行拟人化任务,其“大脑”是以强化学习为核心的智能体,感知分具有双目视觉、空间六维力感知和本体状态感知等多模态感知... 详细信息
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中兴接入网的典型实现方式
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电信科学 1998年 第1期14卷 40-41页
作者: 中兴 深圳中兴通讯股份有限公司
本文通过用户实例阐述了中兴接入网的接口能力与业务特性
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UMTS宏蜂窝结构与室内穿透覆盖关系研究
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通信学报 2006年 第10期27卷 136-140页
作者: 韩江洪 张平 张本宏 李永 合肥工业大学计算机与信息学院 中兴通讯股份有限公司 广东深圳518057
在链路预算估计覆盖的基础上,分析了2GHz频段建筑物穿透损耗对宏蜂窝结构的影响;在室内外平衡覆盖的原则下,阐述了穿透损耗、覆盖可靠度与链路余量三者之间的关系,给出了穿透损耗均值的取定方法及其建议值,使UMTS网络在最佳平衡点得到... 详细信息
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基于移动终端的低SAR的LTE天线设计与分析
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微波学报 2014年 第S2期30卷 173-175页
作者: 李群 中兴通讯股份有限公司 上海201203
SAR(Specific Absorption Rate)通常称为吸收比值或吸收比率,是指移动终端电磁波能量吸收比值。目前国际通用的标准有两个,一个是欧洲标准(CE)每10克小于2.0w/kg,一个是美国标准(FCC)每克小于1.6mw/g。移动终端的SAR与TRP(Total Radio P... 详细信息
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