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基于CMOS的高响应度太赫兹探测器线阵
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红外与毫米波学报 2024年 第1期43卷 70-78页
作者: 白雪 张子宇 徐雷钧 赵心可 范小龙 江苏大学电气信息工程学院 江苏镇江212013 中国电子科技集团公司第五十五研究所 江苏南京210016
本文提出了一种基于CMOS 0.18μm工艺的改进型高响应度太赫兹探测器线阵,各探测像素单元由高增益片上天线、高耦合度差分自混频功率探测电路和集成电压放大器组成。其中,差分探测电路利用源极差分驱动场效应管的交叉耦合电容,将太赫兹... 详细信息
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大数据时代光电共封技术的机遇与挑战
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激光与光电子学进展 2024年 第9期61卷 65-76页
作者: 卞玲艳 曾燕萍 蔡莹 陆霄 周倩蓉 唐清林 顾廷炜 王辂 中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214072
人工智能和大数据时代对数据存储、传输和处理能力的需求日益增加,数据传输所需带宽和通信速率也随之增加。然而系统级封装中的电互连受到介质材料、传输速率的影响,表现出强烈的损耗、反射、延迟和串扰等现象,无法满足日益增加的带宽... 详细信息
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高精度可编程限流二极管功率通路设计
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华中科技大学学报(自然科学版) 2024年 第3期52卷 72-77页
作者: 李现坤 魏廷存 陈彦杰 陈楠 西北工业大学微电子学院 陕西西安710072 中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214072
为了解决传统功率通路中肖特基二极管导通损耗较大的问题,设计了一款高精度可编程限流双通道理想二极管功率通路,基于0.18μm BiCMOS工艺进行了流片验证.采用了新颖的自适应电源选通控制电路,避免PMOS功率管的寄生体二极管导通的风险,并... 详细信息
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高产虾青素的红法夫酵母菌株选育研究进展
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中国畜牧杂志 2024年 第5期60卷 12-17页
作者: 孙克诚 胡丹丹 袁文华 王令 周静静 王梓旭 安佑生物科技集团股份有限公司 江苏太仓215437
虾青素(3,3’-二羟基-4,4’-二酮基-β,β’-胡萝卜素)具有极强的抗氧化活性,还具有抗炎、抗凋亡、抗癌等多种生理功能。天然虾青素因其生物活性、利用率和安全性高于化学合成虾青素,更受消费者青睐。红法夫酵母能利用多种碳源且培养周... 详细信息
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24.6%噻虫嗪·叶菌唑·嘧菌酯种子处理悬浮剂制备及其安全性研究
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东北农业大学学报 2024年 第4期55卷 1-12页
作者: 彭程 杨璐 董飒 冯建国 石伟山 袁树忠 扬州大学植物保护学院 江苏扬州225000 江苏艾津作物科技集团有限公司 南京211500
种子处理悬浮剂可从源头上防治病虫害,降低防治成本,减少环境污染。为获得有效防治小麦和水稻主要病虫害的种子处理悬浮剂,通过筛选润湿分散剂、成膜剂和增稠剂等助剂,确定24.6%噻虫嗪·叶菌唑·嘧菌酯种子处理悬浮剂(FS)优化配方,测试... 详细信息
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牛樟芝培养物对产蛋高峰后期蛋鸡生产性能、蛋品质及血清抗氧化指标的影响
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饲料工业 2024年 第5期45卷 38-45页
作者: 袁文华 胡涛 孙克诚 胡丹丹 周静静 王梓旭 安佑生物科技集团股份有限公司 江苏苏州215437
试验旨在探究牛樟芝培养物对产蛋高峰后期蛋鸡生产性能、蛋品质及血清抗氧化指标的影响。选取体况和产蛋性能相近的处于产蛋高峰后期(400日龄)海兰白蛋鸡288只,随机分为4组,分别为对照组及牛樟芝低、中、高剂量组。对照组蛋鸡饲喂基础饲... 详细信息
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一款基于GaAs工艺的改进型Wilkinson功率分配器芯片
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现代电子技术 2024年 第4期47卷 11-16页
作者: 张斌 汪柏康 张沁枫 孙文俊 秦战明 权帅超 中国电子科技集团第五十八研究所 江苏无锡214035
对传统Wilkinson功率分配器的设计方式进行改进,使用蛇形环绕式结构取代传统的微带线结构,并在功分器隔离电阻处引入了频率补偿电容,基于砷化镓(GaAs)工艺,借助ADS软件设计并制作了一款新型结构的小型化超宽带一分二Wilkinson功率分配... 详细信息
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植物提取物替代抗球虫药物对肉鸡生产性能和粪便球虫数量的影响
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家畜生态学报 2024年 第4期45卷 66-71页
作者: 耿文静 王改琴 胡涛 贾慧君 徐志鹏 沈波 徐瑞 刘春雪 安佑生物科技集团股份有限公司 江苏苏州215437
试验旨在研究植物提取物替代抗球虫药物对肉鸡生长性能和粪便球虫数量的影响。选取1日龄健康黄羽肉鸡234只,随机分为3组,每组设6个重复,每个重复13只鸡,试验期55 d。对照组饲喂基础日粮,抗球虫药组饲喂基础日粮+500 g/t二硝托胺,植物提... 详细信息
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高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究
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固体电子学研究与进展 2024年 第1期44卷 6-12页
作者: 王韬 张黎莉 段鑫沛 殷亚楠 周昕杰 中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214072
以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线... 详细信息
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基于0.15μm SOI工艺的耐高温短沟器件设计与实现
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固体电子学研究与进展 2024年 第3期44卷 258-263页
作者: 顾祥 张庆东 纪旭明 李金航 常瑞恒 中国电子科技集团公司第五十八研究所 江苏无锡214035
绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)技术在200~400℃高温器件和集成电路方面有着广泛的应用前景,但对于沟道长度≤0.18μm的短沟道器件在200℃以上的高温下阈值电压漂移量达40%以上,漏电流达μA级,无法满足电路设计要求。本文研究了... 详细信息
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