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噻吩锚定基团的结构修饰对分子-电极结合的影响
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物理化学学报 2023年 第11期39卷 103-108页
作者: 雷永久 王旭 王治业 周疆豪 陈海舰 梁蕾 李云川 肖博怀 常帅 武汉科技大学材料与冶金学院 武汉430081
锚定基团决定了分子与纳米电极的结合方式,对分子电导有着重要的影响,是分子电子学研究的重要内容。噻吩是有机光电功能材料中一种基本的构筑单元,在分子电子学研究中可以作为锚定基团,有望扩展分子电子学研究的目标分子结构基础。在本... 详细信息
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“互联网+”时代大学生社会实践的分析与探索——以内蒙古科技大学材料冶金学院暑期“三下乡”为例
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知识经济 2021年 第22期589卷 171-172页
作者: 李金龙 罗建龙 内蒙古科技大学材料冶金学 014010
进入“互联网+”时代,大学生接触新鲜事物较快,通过共享的网络平台获取自己需要的相关信息,但其社会经验较少,因此社会实践对于在校生来说至关重要。社会实践是连接学校与社会的纽带,是理论教育和实践教育的有效结合点,可以推动思想政... 详细信息
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磁场与偏置场对涡旋畴壁振荡模式的调控
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武汉大学学报(理学版) 2024年
作者: 甘凌霄 卢志红 张振华 肖杨 李昆鹏 冯金地 赵新 武汉科技大学材料与冶金学院
纳米结构中的畴壁振荡行为在微波纳米振荡器中具有很好的应用前景。采用微磁学方法,对纳米带结构中涡旋畴壁在不同磁场驱动下涡旋畴壁振荡模式进行了研究,探究了同一磁场不同的偏置场下对涡旋畴壁振荡模式的影响。研究结果表明:在不... 详细信息
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等离子熔覆硼化物覆层的耐蚀性
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腐蚀与防护 2024年 第5期45卷 18-25页
作者: 幸报 潘应君 徐鑫 柯德庆 宋青 武汉科技大学材料与冶金学院 武汉430081
采用等离子熔覆技术将自制的Mo-Fe-B-Cr药芯焊丝熔覆在316L不锈钢表面制备了硼化物覆层,通过扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)和显微硬度计对硼化物覆层的组织、成分、物相和显微硬度进行分析,并通过电化学试验和中性盐雾... 详细信息
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仿古(高锡高铅)青铜材料在酸性土壤模拟溶液中的腐蚀行为
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腐蚀与防护 2022年 第7期43卷 44-51页
作者: 张黎明 王修园 周和荣 师静蕊 武汉科技大学材料与冶金学院 武汉430081
利用金相显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射仪、电化学工作站等仪器并结合浸泡试验等方法研究了仿古青铜材料(高锡高铅)的微观形貌及其在酸性土壤模拟溶液中的腐蚀行为。结果表明:青铜材料中存在α相、(α+δ)相以及游离态Pb相。在酸... 详细信息
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50W800无取向硅钢中AlO和AlO-MnS夹杂物的腐蚀行为研究
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热加工工艺 2023年 107-112页
作者: 向继明 周和荣 武汉科技大学材料与冶金学院
采用无取向硅钢退火样进行原位腐蚀实验,对试样表面腐蚀形貌进行OM表征、SEM表征、EDS分析、拉曼光谱表征。结果表明,无取向硅钢的腐蚀源自夹杂物的局部腐蚀,其中包含金属氧化物夹杂Al2O3、金属氧硫化物夹杂Al2O3-MnS。无取向硅钢初... 详细信息
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B2O_(3)⁃Bi_(2)O_(3)⁃ZnO⁃Al_(2)O_(3)玻璃助烧剂对BaTiO_(3)陶瓷烧结条件、晶体结构和介电性能的影响
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无机化学学报 2023年 第3期39卷 485-491页
作者: 袁琦 刘高斌 王森 辽宁科技大学材料冶金学 鞍山114051
通过调节B2O_(3)-Bi_(2)O_(3)-ZnO-Al_(2)O_(3)(BBZA)玻璃的添加量研究其对钛酸钡(BaTiO_(3))陶瓷烧结条件、晶体结构和介电性能的影响。结果表明:添加适量的BBZA玻璃能够有效地将BaTiO_(3)陶瓷烧结温度由1350℃降至950℃,并使其致密化... 详细信息
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TiO添加量对AlO-SiC-C质炮泥性能的影响
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耐火材料 2022年
作者: 鞠茂奇 梁永和 聂建华 蔡曼菲 郭梦真 武汉科技大学材料与冶金学院
为了提高AlO-SiC-C质炮泥的性能,研究了TiO细粉添加量(质量分数分别为1%、2%、3%、4%)对AlO-SiC-C质炮泥的烧后线变化以及烧后试样的致密度、常温强度、抗氧化性和抗渣性等的影响。结果表明:1)在1 100 ℃保温3 h热处理后,试样均发生... 详细信息
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热变形对700 MPa级低碳钢表层氧化皮形成的影响
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热加工工艺 2023年
作者: 秦金柱 刘奇奇 吴润 苏长珠 李钊 武汉科技大学材料与冶金学院
为了提高高强热轧钢表面质量,本文研究了两种不同Si含量的700 MPa级低碳钢在热变形时表面氧化皮的形成规律。结果表明,Si含量高的钢中小块状先共析Fe3O4少,变形90%才出现共析组织,而Si含量低的小块状先共析Fe3O4更多,变形70%就出... 详细信息
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CVD法制备单层二硒化钨薄膜及其生长机制研究
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材料导报 2023年 第2期37卷 14-19页
作者: 胡冬冬 宋述鹏 刘俊男 毕江元 丁兴 武汉科技大学省部共建耐火材料冶金国家重点实验室 武汉430081 武汉科技大学材料与冶金学院 武汉430081
二硒化钨(WSe2)是一种具有较高带隙的半导体材料,其结构类似于石墨烯,具有优异的光电特性,在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法(CVD)实现了大面积、高质量单层WSe2薄膜的制... 详细信息
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