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基于多相输运模型研究质子-铅核碰撞中椭圆流的组分夸克标度性

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原子核物理评论 2024年第01期 530-535页

作者：汤思宇武汉纺织大学数理科学学院

高能重离子碰撞中末态鉴别粒子的椭圆流组分夸克标度现象被认为是展现部分子各向异性自由度的重要信号之一。本研究利用多相输运（AMPT）模型系统地研究了质心能量为5.02 TeV的质子-铅核碰撞中末态轻味强子的椭圆流v2及其组分夸克标度... 详细信息

高能重离子碰撞中末态鉴别粒子的椭圆流组分夸克标度现象被认为是展现部分子各向异性自由度的重要信号之一。本研究利用多相输运（AMPT）模型系统地研究了质心能量为5.02 TeV的质子-铅核碰撞中末态轻味强子的椭圆流v2及其组分夸克标度行为。基于最新的小系统流分析方法,AMPT模型的计算结果很好地描述了轻味介子的v2,但与重子的测量结果略有偏离。研究结果显示,耦合了部分子级联与夸克重组合机制的AMPT模型能产生显著的组分夸克标度现象,该现象也同时依赖于非流效应与强子再散射过程。这些研究结果将为小系统碰撞中末态粒子集体行为的起源问题提供进一步的解释。

关键词：极角各向异性小系统碰撞输运模型非流效应

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实l上相位恢复的一些结果

数学的实践与认识 2024年

作者：张芳馨郑仟李登峰武汉纺织大学数理科学学院

考虑实l2上相位恢复问题.首先给出实l2上相位恢复的条件,包括充分条件、必要条件及充要条件;其次讨论实l2上范数恢复问题及实l2上有限个投影恢复问题,也给出与框架相关的范数恢复结论.

关键词：相位恢复范数恢复投影相位恢复

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实l^(2)上相位恢复的一些结果

数学的实践与认识 2024年第5期54卷 190-197页

作者：张芳馨郑仟李登峰武汉纺织大学数理科学学院湖北武汉430200

考虑实l^(2)上相位恢复问题.首先给出实l^(2)上相位恢复的条件,包括充分条件、必要条件及充要条件;其次讨论实l^(2)上范数恢复问题及实l^(2)上有限个投影恢复问题,也给出与框架相关的范数恢复结论.

关键词：相位恢复范数恢复投影相位恢复

基于ISOA-SVR模型的短期网络舆情预测

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计算机工程与设计 2024年第1期45卷 168-176页

作者：杨赟张丽丽南京工业大学数理科学学院江苏南京211800

网络舆情传播具有时效性和小样本特征,提出一种改进海鸥算法优化支持向量回归的网络舆情预测模型ISOA-SVR。为提高SOA算法的性能,设计sigmoid函数非线性收敛因子实现种群迁徙与攻击阶段的平滑转换;引入精英个体多阶段动态扰动避免局部最... 详细信息

网络舆情传播具有时效性和小样本特征,提出一种改进海鸥算法优化支持向量回归的网络舆情预测模型ISOA-SVR。为提高SOA算法的性能,设计sigmoid函数非线性收敛因子实现种群迁徙与攻击阶段的平滑转换;引入精英个体多阶段动态扰动避免局部最优;设计正余弦优化指引种群位置二次更新,提高局部寻优能力。SVR学习效率高、逼近能力强,但对参数初值敏感、泛化能力仍有不足,利用ISOA算法对SVR优化调参,构建网络舆情预测模型ISOA-SVR。实验结果表明,ISOA-SVR数据拟合度更高,稳定性和收敛性表现更好。

关键词：网络舆情支持向量回归海鸥优化算法 sigmoid函数多阶段动态扰动正余弦优化百度指数

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耦合Rulkov神经元的复杂动力学行为

吉林大学学报（理学版） 2024年第4期62卷 971-979页

作者：薛睿张莉安新磊兰州交通大学数理学院兰州730070 兰州工业学院基础科学部兰州730050

基于混沌的Rulkov神经元模型,考虑2个相同神经元在电耦合下的情形,通过数值计算对耦合Rulkov神经元模型进行双参数分岔分析,并借助单参数分岔图以及最大Lyapunov指数图进一步验证其分岔模式.结果表明:耦合Rulkov神经元模型呈倍周期分岔... 详细信息

基于混沌的Rulkov神经元模型,考虑2个相同神经元在电耦合下的情形,通过数值计算对耦合Rulkov神经元模型进行双参数分岔分析,并借助单参数分岔图以及最大Lyapunov指数图进一步验证其分岔模式.结果表明:耦合Rulkov神经元模型呈倍周期分岔道路、拟周期道路以及阵发性道路3条典型的混沌路径;该模型具有伴有混沌的加周期分岔现象;随着耦合强度的增加,耦合Rulkov模型呈更复杂的动力学行为.

关键词： Rulkov神经元电耦合双参数分岔分析最大Lyapunov指数混沌道路

单轴应变对Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率的影响

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物理学报 2024年第11期73卷 280-287页

作者：张冷沈宇皓汤朝阳吴孔平张鹏展刘飞侯纪伟金陵科技学院电子信息工程学院南京211169 南京大学物理学院固体微结构国家实验室南京210093 南京工业大学数理科学学院南京211816

硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种物相简单、元素丰富、经济友好的太阳电池吸收层材料,具有广阔的应用前景.然而,Sb_(2)Se_(3)较弱的导电性成为了限制电池器件性能的重要因素.迁移率是材料与器件的重要电学参数,应变可以改变载流子迁移率,因... 详细信息

硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种物相简单、元素丰富、经济友好的太阳电池吸收层材料,具有广阔的应用前景.然而,Sb_(2)Se_(3)较弱的导电性成为了限制电池器件性能的重要因素.迁移率是材料与器件的重要电学参数,应变可以改变载流子迁移率,因此,研究应变对Sb_(2)Se_(3)的载流子迁移率特性影响具有实际意义.本文通过密度泛函理论和形变势理论,系统研究了单轴应变对Sb_(2)Se_(3)能带结构、禁带宽度、等能面、有效质量的影响,分析了沿着x,y,z方向的三种单轴应变对载流子沿着x,y,z方向的迁移率μx,μy,μz的影响.研究发现,对于无应变的Sb_(2)Se_(3),μx远大于μy和μz,实验上应该将x方向作为Sb_(2)Se_(3)的特定生长方向(即内建电场方向).综合应变对带隙、等能面、分态密度及迁移率的影响,本研究认为当应变沿着y轴方向,且压应变为3%的时候,能获得最佳性能的Sb_(2)Se_(3)太阳电池吸收层材料.

关键词： Sb_(2)Se_(3) 迁移率形变势应变工程

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基于形变势理论的掺杂计算Sb_(2)Se_(3)空穴迁移率

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物理学报 2024年第4期73卷 256-262页

作者：张冷张鹏展刘飞李方政罗毅侯纪伟吴孔平南京大学物理学院固体微结构国家实验室南京210093 金陵科技学院电子信息工程学院南京211169 南京工业大学数理科学学院南京211816

硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种元素丰富、经济且无毒的太阳电池吸收层材料.太阳电池的性能在很大程度上取决于载流子的传输特性,然而在Sb_(2)Se_(3)中,这些特性尚未得到很好的理解.通过密度泛函理论和形变势理论,本文对纯Sb_(2)Se_(3)以... 详细信息

硒化锑(Sb_(2)Se_(3))是一种元素丰富、经济且无毒的太阳电池吸收层材料.太阳电池的性能在很大程度上取决于载流子的传输特性,然而在Sb_(2)Se_(3)中,这些特性尚未得到很好的理解.通过密度泛函理论和形变势理论,本文对纯Sb_(2)Se_(3)以及掺杂了As,Bi的Sb_(2)Se_(3)的空穴传输特性进行研究,计算并分析了影响迁移率的3个关键参数:有效质量、形变势和弹性常数.结果显示,有效质量对迁移率具有最大影响,掺杂Bi的Sb_(2)Se_(3)表现出最高的平均迁移率.同时发现,Sb_(2)Se_(3)的空穴迁移率呈现出明显的各向异性,其中x方向的迁移率远高于y,z方向,这应该与x方向的原子主要以较强的共价键连接,而y,z方向以较弱的范德瓦耳斯力连接有关.载流子传输能力强的方向有助于有效传输和收集光生载流子,本研究从理论上强调了控制Sb_(2)Se_(3)沿特定方向生长的重要性.

关键词： Sb_(2)Se_(3) 迁移率形变势掺杂

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结合重构和图预测的多元时序异常检测框架

计算机工程与应用 2024年第13期60卷 301-310页

作者：吴彦文谭溪晨葛迪韩园熊栩捷陈宇迪华中师范大学物理科学与技术学院武汉430079

高维时序异常检测一直是智能系统安全领域的重要挑战,主流解决方案通常使用基于数据降维的重构方法和基于时序建模的预测方法,但这些方法没有结合特征间相互影响和特征内时间关联进行学习,且大多使用点估计方法进行预测或重构,从而影响... 详细信息

高维时序异常检测一直是智能系统安全领域的重要挑战,主流解决方案通常使用基于数据降维的重构方法和基于时序建模的预测方法,但这些方法没有结合特征间相互影响和特征内时间关联进行学习,且大多使用点估计方法进行预测或重构,从而影响了异常检测的准确性。结合预测和重构的优点,考虑序列的整体分布,提出了一种新颖的端到端异常检测框架。设计改进的变分自动编码器重构模块,以学习原始时序数据中的特征内时间关联,同时得到编码后的低维表示。设计估计高斯分布的图神经网络预测模块,结合重构模块的低维表示和原始输入进行图结构学习,以捕捉特征间的结构依赖。模型采用异常评分模块联合重构和预测模块的损失,在考虑序列整体分布的基础上进行时空联合表征。为验证所提出模型的性能,在三个工业数据集上对模型进行了对比实验,与基线模型相比,所提出的模型在F1性能指标上表现良好。

关键词：多元时序数据图神经网络自编码器异常检测

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MoSi_(2)N_(4)的本征点缺陷以及掺杂特性的第一性原理计算

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物理学报 2024年第8期73卷 296-304页

作者：徐思源张召富王俊刘雪飞郭宇铮武汉大学电气与自动化学院武汉430072 武汉大学工业研究院武汉430072 贵州师范大学物理与电子科学学院贵阳550025

新兴二维材料MoSi_(2)N_(4)因其卓越的半导体性能,包括出色的环境稳定性和高载流子迁移率而受到相当多的关注.然而,半导体中的本征缺陷往往不可避免并且会显著影响器件性能.本文使用密度泛函理论计算并分析了MoSi_(2)N_(4)中本征点缺陷... 详细信息

新兴二维材料MoSi_(2)N_(4)因其卓越的半导体性能,包括出色的环境稳定性和高载流子迁移率而受到相当多的关注.然而,半导体中的本征缺陷往往不可避免并且会显著影响器件性能.本文使用密度泛函理论计算并分析了MoSi_(2)N_(4)中本征点缺陷的性质及其产生的影响.首先确认了该材料物理性质与目前实验数据的一致性,之后通过计算12种本征缺陷的形成能,发现钼替硅型反位缺陷(Mo_(Si))在所有本征缺陷中占主导地位.在整体电荷保持中性的约束条件下,通过自洽费米能级计算,本文发现仅仅引入本征缺陷的MoSi_(2)N_(4)会表现出本征特征,这体现了其作为半导体器件材料的潜力,然而该本征性质与在生长过程中观察到的二维MoSi_(2)N_(4)的p型特征相矛盾.而在后来的缺陷浓度计算中,发现对于MoSi_(2)N_(4)用适当的杂质进行掺杂,可以实现n型和p型半导体特征,且本征缺陷的补偿效应很弱.这表明在生长过程中MoSi_(2)N_(4)的p型特征可能是由于非平衡生长条件下引入的杂质或硅空位缺陷造成的.本工作不仅展示了MoSi_(2)N_(4)在半导体器件应用上的潜力,还为未来该材料缺陷机理的研究提供了数据支撑.

关键词：密度泛函理论本征缺陷带电缺陷校正二维材料