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机构

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  • 3,501 篇 长安大学

作者

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  • 1,739 篇 张勇
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  • 1,563 篇 李鹏
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语言

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检索条件"机构=有研科技集团"
2333515 条 记 录,以下是1-10 订阅
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国务院国资委党委书记、主任郝鹏调有研科技集团限公司
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稀土信息 2021年 第11期 18-18页
2021年10月28日,国务院国资委党委书记、主任郝鹏到有研科技集团限公司调企业技术创新、改革发展和党的建设工作时强调,要深入学习贯彻习近平总书记关于国企业改革发展和党的建设的重要论述,贯彻落实习近平总书记参观国家"十三五...
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高铁低铜萃余液铜回收
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色金属(冶炼部分) 2025年 第1期 1-6,33页
作者: 刘琦 孙贯永 郭持皓 梁东东 李拓夫 袁朝新 矿冶科技集团限公司 北京100160
浸出—萃取—反萃—电积工艺中,残留在萃余液中的铜具很高的回收价值。针对现究在机理和产物形貌方面分析的不足,开展了置换法从高铁低铜萃余液中回收铜的究。系统考察时间、温度、加料方式、铁粉用量等条件对置换效果的影响,... 详细信息
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限差分法在大型风电叶片静力测试中的应用与
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复合材料科学与工程 2025年
作者: 方思明 庄雷 周晓亮 孔魁 徐利强 张定好 李亚龙 运达能源科技集团股份限公司
为更快速、方便地设计风电叶片全尺寸静力加载方案,本文提出一种基于限差分法进行迭代计算的静力配载方法。首先,将叶片简化成变截面的悬臂梁模型;其次,基于悬臂梁的挠曲线近似微分方程,采用限差分法根据叶片几何外形而修正的... 详细信息
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一款基于SiGe工艺的宽带射频驱动放大器
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现代电子技术 2025年 第2期 14-20页
作者: 张斌 蒋颖丹 权帅超 汪柏康 孙莎莎 秦战明 孙文俊 中国电子科技集团第五十八究所
为了降低温漂效应对放大器的影响,通过理论分析,设计了一款集成温度补偿直流偏置网络的宽带射频驱动放大器。为了提高增益和输出功率,电路采用两级差分共射-共基极(cascode)结构,输出端口集成了一款结构新颖的差分转单端Marchan... 详细信息
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一种对称Farrow结构分数时延滤波器设计方法
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雷达科学与技术 2025年
作者: 贾可新 陈阳 中国电子科技集团公司第三十八究所
为了通过控制滤波器频率响应逼近精度,尽可能降低实现结构的复杂度,获得滤波器系数的全局最优解,提出了一种基于二阶锥规划的对称Farrow结构分数时延滤波器设计方法。这种方法根据FIR滤波器的线性相位特性,构建加权最小二乘拟合目... 详细信息
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中国钢科技集团“三位一体”司库体系建设实践
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财务与会计 2023年 第10期 27-30页
作者: 肖萍 中国钢科技集团限公司财务金融部 中国钢科技集团限公司财务共享中心
随着数字时代信息技术的快速演进,开展司库体系建设是推动企业数字化、智能化工作与管理创新的重要实践与迫切需要,是培育建立世界一流企业财务管理体系的保障。中国钢科技集团限公司通过建设“三位一体”司库体系,重构内部资金等... 详细信息
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一种用于高性能FPGA的多功能I/O电路
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半导体技术 2025年
作者: 罗旸 刘波 曹正州 谢达 张艳飞 单悦尔 中国电子科技集团公司第58究所 航天新气象科技限公司
为了满足等效系统门数为亿门级现场可编程门阵列(FPGA)的高速率、多功能数据传输需求,设计了一种用于高性能FPGA的多功能输入输出(I/O)电路,工作电压为0.95 V,单个I/O电路的最高数据传输速率为2 Gbit/s。通过在输入逻辑电路中设... 详细信息
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原子磁力仪的究进展与发展趋势
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激光与光电子学进展 2025年
作者: 宗昕冉 陈海军 中国电子科技集团公司第十二究所微波电真空器件国家级重点实验室
原子磁力仪作为一种精确测量磁场的仪器,在基础物理、地球科学、生物医学和国防等多个领域发挥着重要作用。本文全面综述了原子磁力仪的技术发展,包括主要分类、基本特征以及重点介绍了碱金属光泵浦磁力仪、相干布居囚禁原子磁力仪、... 详细信息
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TiMo/ZrVFe吸气材料的制备和性能
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材料工程 2021年 第6期49卷 116-121页
作者: 张艳 李洋 徐晓强 柳青 乔双 有研科技集团限公司科期刊出版(北京)限公司 北京100088 有研科技集团限公司工程技术究院限公司 北京101400
采用粉末冶金真空烧结法制备TiMo/ZrVFe复合吸气材料。利用X射线衍射仪(XRD)、粉末粒度仪、动态流导法、振动实验等技术对材料进行分析,究ZrVFe合金的粒度、物相及复合材料的组成对材料吸气性能和强度的影响。结果表明:提高ZrVFe材料... 详细信息
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HVPE法同质外延氧化镓厚膜技术
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人工晶体学报 2025年
作者: 董增印 王英民 张嵩 李贺 孙科伟 程红娟 刘超 中国电子科技集团公司第四十六究所 山东大学集成电路学院
卤化物气相外延(HVPE)法因生长速度快、掺杂可控等优势主要被用于生长β-Ga2O3同质外延片。本文采用垂直结构的HVPE设备进行β-Ga2O3厚膜的同质外延,探究了不同生长压力对β-Ga2O3的生长速度和外延质量的影响。究发现,在生长相同... 详细信息
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