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汽车电子电气架构的发展及趋势

电子与封装 2024年第1期24卷 78-85页

作者：周伟陈旭乾葛成华中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

随着汽车功能的日益增加,传统的电子电气(EE)架构面临很大的挑战,从而迫使整车的电子电气架构不断地演进,从传统的分布式向集中式转变,从面向信号的软件架构向面向服务的软件架构转变,从控制局域网络(CAN)、局域互联网络(LIN)总线向车... 详细信息

随着汽车功能的日益增加,传统的电子电气(EE)架构面临很大的挑战,从而迫使整车的电子电气架构不断地演进,从传统的分布式向集中式转变,从面向信号的软件架构向面向服务的软件架构转变,从控制局域网络(CAN)、局域互联网络(LIN)总线向车载以太网通信架构转变。介绍了汽车电子电气架构的现状以及面临的挑战,概述了汽车电子电气架构的演进路线及具体方案技术,结合电子电气架构的演进趋势,对电子电气架构未来的发展方向提出展望。

关键词：汽车电子电气架构分布式架构域集中式架构中央集中式架构

基于阴极往复运动的TGV电铸铜实心填充工艺

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微纳电子技术 2024年第3期61卷 151-159页

作者：刘佳琪詹晓非朱增伟叶刚夏晨辉南京航空航天大学机电学院南京210016 中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214035

玻璃通孔(TGV)转接板因其具有优良的高频电学特性,在先进封装领域受到广泛关注。然而随着TGV深宽比的不断增加,采用传统的阴极定轴旋转式电铸工艺,其填充难度与成本将随之提高。为实现高深宽比TGV的无缺陷填充,减少电铸耗时和成本,提出... 详细信息

玻璃通孔(TGV)转接板因其具有优良的高频电学特性,在先进封装领域受到广泛关注。然而随着TGV深宽比的不断增加,采用传统的阴极定轴旋转式电铸工艺,其填充难度与成本将随之提高。为实现高深宽比TGV的无缺陷填充,减少电铸耗时和成本,提出一种基于阴极往复运动的TGV无缺陷镀铜填充新工艺。在仿真和实验的基础上,系统研究了阴极运动方式对TGV孔内电铸液传质、离子浓度、填充速率的影响。仿真和实验结果均表明,采用阴极往复运动能有效地保证TGV孔内各处离子浓度分布的均匀一致性,减缓浓差极化,从而提高沉积速率及其上限值。在不含任何添加剂的体系中,同等沉积电位条件下平均填充速率从阴极定轴旋转式电铸工艺的6.1μm/h提高至9.2μm/h。当电位为0.5 V时,阴极往复运动方式下平均填充速率达到45.2μm/h,且电铸铜填充层中未发现孔隙缺陷。这为在无添加剂电铸铜体系中实现高深宽比TGV的无缺陷电铸铜填充提供了一种可行的低成本方案。

关键词：玻璃通孔(TGV) 阴极往复运动电铸铜填充工艺封装技术

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双注入技术进行低剂量监控

固体电子学研究与进展 1992年第3期12卷 255-260页

作者：彭进黄冰中国华晶电子集团公司中央研究所无锡214035

研究了影响双注入技术的各种因素及双注入技术的灵敏度,并与C—V技术进行比较。结果表明,双注入技术不仅克服了C-V技术的缺点,而且灵敏度高(可大于1),可靠性好,适用于低剂量(10^(10)～10^(12)cm^(-2))注入监控。

关键词：双注入剂量方块电阻灵敏度监控

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军用ASIC及其对策

半导体技术 1992年第3期8卷 36-61,64页

作者：罗浩平李宗炳蔡金华张纯蓓方旌堃华晶电子集团公司中央研究所无锡214035

本文阐述了ASIC(专用集成电路)在现代国防中的地位和作用,简要介绍了军用ASIC的特点,阐述了军用ASIC与民用ASIC的相互关系。以大量的数据和资料综述了ASIC的发展和市场情况,特别对美国等国外军用ASIC发展模式和特点进行了分析和剖析。... 详细信息

本文阐述了ASIC(专用集成电路)在现代国防中的地位和作用,简要介绍了军用ASIC的特点,阐述了军用ASIC与民用ASIC的相互关系。以大量的数据和资料综述了ASIC的发展和市场情况,特别对美国等国外军用ASIC发展模式和特点进行了分析和剖析。对发展ASIC的两大支柱——(1)ASIC的设计技术;(2)ASIC的工艺技术和标准加工线进行了重点讨论。分析了我国ASIC的发展状况,并结合我国国情,提出了加速发展我国军用ASIC的具体对策。

关键词：集成电路军用 ASIC