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蓝宝石衬底损伤层厚度和折射率的椭偏测量

仪器仪表学报 2023年第7期44卷 37-43页

作者：崔长彩李慧慧陈希周志豪胡中伟华侨大学制造工程研究院厦门3361021 泉州三安半导体科技有限公司晶圆生产部泉州362300

为了定量测量蓝宝石衬底在化学机械抛光过程中产生的损伤层厚度d和折射率n,提出了一种光谱椭偏测量法。首先,测量蓝宝石衬底反射光谱(波长范围:250~1650 nm)偏振态的改变量(即振幅比和相位差);然后,通过光学建模和测量数据反演,获得损伤... 详细信息

为了定量测量蓝宝石衬底在化学机械抛光过程中产生的损伤层厚度d和折射率n,提出了一种光谱椭偏测量法。首先,测量蓝宝石衬底反射光谱(波长范围:250~1650 nm)偏振态的改变量(即振幅比和相位差);然后,通过光学建模和测量数据反演,获得损伤层d和n。实验研究了Al_(2)O_(3)和SiO_(2)两种磨料加工蓝宝石衬底损伤层d和n的变化趋势,前者d呈现波动趋势且最小值(约1.4 nm)出现在40 min左右,后者d持续下降,在20 min接近1 nm;二者损伤层n均小于蓝宝石晶体n。另外,实验和仿真分析结果表明相位差与厚度变化趋势一致,因无需建模反演,可作为快速表征损伤层d变化趋势的参量。总之,所提方法作为光学无损测量模式,适用于加工过程监测。

关键词：光谱椭偏蓝宝石衬底损伤层厚度折射率

基于HTO的LDMOS器件结构及其热载流子注入退化研究

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电子学报 2024年第5期52卷 1582-1590页

作者：邵红李永顺宋亮金华俊张森无锡华润上华科技有限公司器件工程部江苏无锡210041

为满足中低压消费电子的市场需求,小尺寸高密度Bipolar-CMOS-DMOS技术得到了蓬勃发展,低损耗和高可靠成为Bipolar-CMOS-DMOS技术中横向双扩散金属氧化物半导体场效应管(Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor field effect transistor,LDMOS)设计的重点和难点.本文介绍了一种基于高温氧化层(High Temperature Oxidation layer,HTO)结构的LDMOS,并对其热载流子注入退化机制进行了研究分析,利用高温氧化层结构改善了传统浅槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)结构中氧化物台阶嵌入半导体内部对器件热载流子注入造成的不利影响,提高器件可靠性,同时还缩短了器件导通情况下的电流路径长度,降低损耗.此外本文还提出了对P型体区的工艺优化方法,利用多晶硅作为高能量离子注入的掩蔽层,改善阱邻近效应对器件鲁棒性的影响,同时形成更深的冶金结,可以辅助漂移区杂质离子耗尽,降低漂移区表面电场,在不需要额外增加版次的情况下提高了器件击穿电压.最终得到的基于HTO结构的LDMOS击穿电压为43 V,比导通电阻为9.5 mΩ·mm^(2),线性区电流在10000 s之后的退化量仅为0.87%.

关键词：横向双扩散金属氧化物半导体场效应管热载流子注入高温氧化层低损耗高可靠性

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三坩埚提拉法生长铽镓石榴石单晶研究

人工晶体学报 2012年第2期41卷 275-278页

作者：张艳王佳麒王有明黄小卫柳祝平元亮科技有限公司无锡214000 上海元亮光电科技有限公司上海201801

采用三坩埚提拉法生长出高质量铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,TGG)单晶,晶体尺寸为Ф25 mm×40 mm。通过X射线衍射、双晶衍射分析讨论TGG单晶的晶体结构和单晶性,并采用He-Ne激光费尔德常数测试装置测定TGG单晶的费尔德常数。结果表明:采用三坩... 详细信息

采用三坩埚提拉法生长出高质量铽镓石榴石(Tb3Ga5O12,TGG)单晶,晶体尺寸为Ф25 mm×40 mm。通过X射线衍射、双晶衍射分析讨论TGG单晶的晶体结构和单晶性,并采用He-Ne激光费尔德常数测试装置测定TGG单晶的费尔德常数。结果表明:采用三坩埚提拉法生长的TGG单晶具有取向、强度高,双晶摇摆曲线半峰宽为17 s;晶体在632.8 nm处的费尔德常数为0.553 min/***。

关键词： TGG单晶三坩埚提拉法费尔德常数

化学腐蚀对半导体硅片抛光后局部平整度的影响

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稀有金属 2018年第11期42卷 1186-1192页

作者：钟耕杭宁永铎王新路一辰周旗钢李耀东北京有色金属研究总院北京100088 有研半导体材料有限公司北京100088

抛光后的局部平整度(SFQR)参数是表征硅片抛光质量的重要指标之一,也是抛光过程较难优化的几何参数之一。分析了不同的化学腐蚀处理对抛光后局部平整度的影响。实验结果表明,不同的腐蚀处理方式会产生不同的表面状态,进而影响抛光后的... 详细信息

抛光后的局部平整度(SFQR)参数是表征硅片抛光质量的重要指标之一,也是抛光过程较难优化的几何参数之一。分析了不同的化学腐蚀处理对抛光后局部平整度的影响。实验结果表明,不同的腐蚀处理方式会产生不同的表面状态,进而影响抛光后的局部平整度,抛光后SFQR与腐蚀片总厚度差(TTV)以及平整度(TIR)呈现出了一定的相关性。酸腐蚀去除量越大,腐蚀后的TTV以及TIR参数越差,硅片表面局部起伏也越剧烈,相应地,抛光后的SFQR也有逐渐增大的趋势。碱腐蚀硅片表面局部起伏较小,因此能获得较好的抛光后SFQR参数;而酸腐蚀硅片表面局部起伏剧烈,抛光后SFQR相对较大。KOH碱腐蚀与Na OH碱腐蚀会产生不同的表面粗糙度Ra,但是抛光后SFQR分布情况差异不大。目前实验研究表明抛光后SFQR受抛光前的粗糙度起伏Ra影响不大,而主要受反映硅片表面轮廓的较为宏观的起伏影响。

关键词：局部平整度 200mm硅片化学腐蚀抛光

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市场发展的趋势:高整合度SOC的测试

半导体技术 2004年第4期29卷 J002-J004页

作者：张伦嘉安捷伦科技有限公司半导体测试事业部

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掺杂剂不同的重掺硅片的抛光特性

稀有金属 2021年第8期45卷 1018-1024页

作者：周莹莹张果虎周旗钢史训达林霖路一辰北京有色金属研究总院北京100088 有研半导体材料有限公司北京100088

不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。实验中保持抛光时间相同,抛光液及抛光垫状态一致,使得... 详细信息

不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。实验中保持抛光时间相同,抛光液及抛光垫状态一致,使得抛光结果的差异性与抛光时间、抛光压力、转速等抛光工艺参数无关。通过研究重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片在抛光过程中的去除速率、Haze值和抛光后的表面微粗糙度,反映掺杂剂种类的不同对抛光结果的影响。实验结果显示重掺硼硅片的抛光去除速率明显低于重掺砷和重掺锑硅片,重掺砷硅片的抛光去除速率高于重掺锑和重掺硼硅片;抛光后重掺硼硅片的Haze值最大,重掺砷和重掺锑硅片的Haze值较小,间接反映抛光后重掺硼硅片的表面微粗糙度整体高于重掺砷和重掺锑硅片;白光干涉测试显示,重掺硼硅片的表面微粗糙度中心低边缘高;重掺砷硅片的边缘表面微粗糙度明显高于中心;重掺锑硅片的表面微粗糙度中心至边缘保持一致。

关键词：掺杂剂重掺硅片化学机械抛光技术

16nm FinFET工艺信号EM问题的分析和解决

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电子技术应用 2017年第8期43卷 25-27页

作者：杨会平蔡琰施建安英伟达半导体科技(上海)有限公司北京分公司北京100020

信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线... 详细信息

信号电迁移的问题在先进工艺节点越来越受到重视。通过一个基于16 nm TSMC工艺的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus两个工具在信号电迁移分析结果的差异。通过对成因的分析,解决了Innovus存在的问题,使得绝大多数信号电迁移问题在布局布线阶段得到解决,大大缩短了后端设计收敛时间。

关键词：信号电迁移 16nm FinFET 自动布局布线 Innovus Voltus

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基于电量检测的WSNs智能休眠方法

传感器与微系统 2014年第11期33卷 27-29,33页

作者：李秘花仕海李贵柯赵柏秦吴南健中国科学院半导体研究所北京100083 无锡中科智联科技研发中心有限公司江苏无锡214135

为使无线传感器网络(WSNs)中传感器节点的电池电量得到充分利用并降低传感节点能量消耗,提出了一种基于传感节点电量检测的WSNs智能休眠方法,以达到智能化管理WSNs传感节点电池电量的目的。详细地论述了WSNs智能休眠方法的设计思路和实... 详细信息

为使无线传感器网络(WSNs)中传感器节点的电池电量得到充分利用并降低传感节点能量消耗,提出了一种基于传感节点电量检测的WSNs智能休眠方法,以达到智能化管理WSNs传感节点电池电量的目的。详细地论述了WSNs智能休眠方法的设计思路和实现方法。测试结果表明:此休眠方法可"智能"地降低WSNs节点的功耗,为WSNs的进一步发展与应用奠定了一定的基础。

关键词：无线传感器网络电量检测休眠 TinyOS

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化学腐蚀后的表面状态对硅片Fe沾污的影响

稀有金属 2021年第1期45卷 62-69页

作者：赵江伟宁永铎周旗钢钟耕杭刘斌肖清华北京有色金属研究总院北京100088 有研半导体材料有限公司北京100088

利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响。实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporation of America)清洗法清洗后,表面疏水性增强,相对不易附着F... 详细信息

利用不同的酸腐蚀和碱腐蚀条件对硅片进行了腐蚀,分析了腐蚀后的硅片表面状态对Fe沾污的影响。实验结果表明,不同酸腐蚀条件的硅片经过以HF酸结尾的改进型RCA(Radio Corporation of America)清洗法清洗后,表面疏水性增强,相对不易附着Fe离子,而当酸腐蚀硅片表面经过SC-1溶液处理后,表面亲水性增强,附着的Fe离子较多,且难以通过超纯水冲洗去除;随着酸腐蚀硅片表面粗糙度的增大,表面吸附的Fe离子也增多。不同碱腐蚀条件的硅片去除量越小,表面残留的研磨造成的机械损伤层厚度则越大,损伤层厚度较大时,表面吸附的Fe离子也越多,且难以通过超纯水冲洗去除;在90℃下腐蚀40 s的硅片,由于去除量约为4.2μm,研磨过程中造成的表面损伤层沾污没有完全去除,残留在损伤层中的Fe沾污经过改进型RCA清洗后也无法去除,沾污会在退火过程中扩散进入硅片体内。

关键词：硅片 Fe沾污化学腐蚀表面状态