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延期药燃速控制技术综述

火工品 2024年

作者：张斐然贾玉馨张晔宋佳馨于国强马文喆陕西应用物理化学研究所

基于延期药燃速控制技术研究现状，从延期药配方、燃速调节剂和制备工艺等方面对影响延期药燃速及延期精度的因素进行了归纳总结，讨论了延期药组分、配比及粒度对燃速的影响机理，介绍了碳纳米材料、钙钛矿材料、增材制造技术及微流控... 详细信息

基于延期药燃速控制技术研究现状，从延期药配方、燃速调节剂和制备工艺等方面对影响延期药燃速及延期精度的因素进行了归纳总结，讨论了延期药组分、配比及粒度对燃速的影响机理，介绍了碳纳米材料、钙钛矿材料、增材制造技术及微流控技术在延期药制备中的应用现状，分析了其对加快延期药燃速、改善燃烧性能以及提高燃烧过程稳定性的优化效果，以期为延期药配方设计、延期火工品的燃速及精度控制提供参考。

关键词：延期药碳纳米材料钙钛矿材料增材制造微流控技术

冲击片雷管换能界面轴向距离能量耗散失效分析

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火工品 2024年第3期 30-35页

作者：牛犇张玉若梁车平何强吴琴钟陕西应用物理化学研究所陕西西安710061

为提高冲击片雷管作用的一致性和可靠性,针对因材料表面小型突起导致接触面不平整的装配问题,从换能界面能量耗散的角度对装配结构中两种轴向距离所产生的影响进行了探究。通过不同电压下的发火试验及感度试验,验证和分析两种轴向距离... 详细信息

为提高冲击片雷管作用的一致性和可靠性,针对因材料表面小型突起导致接触面不平整的装配问题,从换能界面能量耗散的角度对装配结构中两种轴向距离所产生的影响进行了探究。通过不同电压下的发火试验及感度试验,验证和分析两种轴向距离对冲击片雷管作用过程的影响。结果表明:加速膛-桥箔轴向距离会导致电爆能量的径向散失,进而影响了飞片冲击药柱端面能量的大小并引起聚酰亚胺薄膜的撕裂拉伸,随着轴向距离的持续增加,爆炸桥箔逐渐失效;加速膛-药柱轴向距离会影响飞片飞行的平稳程度以及撞击药柱速度,随着轴向距离增加,飞片飞行距离增长,到达药柱端面的速度降低且不一致,导致起爆药柱的稳定性降低,轴向距离应控制在0.3mm以内。

关键词：冲击片雷管换能界面轴向距离感度试验发火试验飞片速度

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延期药燃速控制技术综述

火工品 2024年第4期 21-27页

作者：张斐然贾玉馨张晔宋佳馨于国强马文喆陕西应用物理化学研究所陕西西安710061

基于延期药燃速控制技术研究现状,从延期药配方、燃速调节剂和制备工艺等方面对影响延期药燃速及延期精度的因素进行了归纳总结,讨论了延期药组分、配比及粒度对燃速的影响机理,介绍了碳纳米材料、钙钛矿材料、增材制造技术及微流控技... 详细信息

基于延期药燃速控制技术研究现状,从延期药配方、燃速调节剂和制备工艺等方面对影响延期药燃速及延期精度的因素进行了归纳总结,讨论了延期药组分、配比及粒度对燃速的影响机理,介绍了碳纳米材料、钙钛矿材料、增材制造技术及微流控技术在延期药制备中的应用现状,分析了其对加快延期药燃速、改善燃烧性能以及提高燃烧过程稳定性的优化效果,以期为延期药配方设计、延期火工品的燃速及精度控制提供参考。

关键词：延期药碳纳米材料钙钛矿材料增材制造微流控技术

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超快差示扫描量热数据的俯视法分析

物理学报 2024年第7期73卷 52-61页

作者：程琪孙永昊汪卫华北京大学化学与分子工程学院物理化学研究所北京分子科学国家研究中心北京100871 中国科学院物理研究所极端条件物理重点实验室北京100190 松山湖材料实验室东莞523808

超快差示扫描量热仪是第三代差热分析技术,可以实现最高60000 K/s的超快速加热和最高40000 K/s的超快速冷却,适合对熔点小于1000℃的物质或材料进行速率跨越五个数量级的反复原位升降温测试.该仪器独特的高速率在满足人们观测样品中毫... 详细信息

超快差示扫描量热仪是第三代差热分析技术,可以实现最高60000 K/s的超快速加热和最高40000 K/s的超快速冷却,适合对熔点小于1000℃的物质或材料进行速率跨越五个数量级的反复原位升降温测试.该仪器独特的高速率在满足人们观测样品中毫秒尺度上的结构转变需求的同时,也产生大量的数据.本文提出一种“俯视图”的数据分析方法,即将热流投影到温度-速率或温度-时间的平面,然后用颜色衬度代表热流强弱.该方法有效地解决速率或时间在“侧视图”上难以被区分和量化的问题,实现同时观测几个物理现象和比较其动力学行为的目的.本文以一种Au基非晶合金为例,从4篇代表性文献中的“侧视图”上采集数据,重新绘制出“俯视图”,比较两者的优缺点.上述方法具有普适性,适合对任何物质或材料的超快差示扫描量热数据进行分析.不仅如此,“俯视图”也为构建新材料的工艺相图、发现新的结构转变和探索不同物理现象的动力学行为提供支持和帮助.本文数据集可在https://***/10.57760/sciencedb.j00213.00012中访问获取.

关键词：差热分析非晶合金弛豫晶化

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某分离螺母壳体裂纹产生原因分析及结构改进

火工品 2024年第1期 33-37页

作者：雷山玉金吴瑞德郭晓荣陈文龙孙洁李清旭陕西应用物理化学研究所陕西西安710061

针对某分离螺母发火后壳体上端面产生裂纹的问题,对分离螺母的作用过程进行了仿真,分析了裂纹产生原因,提出了改进措施,并对其有效性进行了验证。结果表明:由于解锁过程中,分瓣螺母轴线与产品轴线的相对位置发生偏移,并且内筒活塞也发... 详细信息

针对某分离螺母发火后壳体上端面产生裂纹的问题,对分离螺母的作用过程进行了仿真,分析了裂纹产生原因,提出了改进措施,并对其有效性进行了验证。结果表明:由于解锁过程中,分瓣螺母轴线与产品轴线的相对位置发生偏移,并且内筒活塞也发生偏转,造成结构间冲击载荷传递不均匀,从而导致壳体上端面锥台根部局部位置受冲击过大而出现裂纹。通过增大内筒活塞对分瓣螺母的接触长度和径向约束,能够改善壳体上端面锥台根部受力不均的问题,从而减少裂纹产生。

关键词：分离螺母壳体裂纹仿真分析受力不均结构改进

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最大熵试验法对切割器功能可靠性的评估

火工品 2024年第1期 48-52页

作者：郭晓荣李琳王儒文吴瑞德刘丽娟陕西应用物理化学研究所陕西西安710061

针对切割器设计裕度大且刺激能量服从正态分布的特点,提出采用最大熵试验法对切割器的功能可靠性进行评估。以某型切割器为实例,通过临界药量摸底试验、升降法试验及成败型试验对其功能可靠性进行了评估。结果表明:运用最大熵试验法,采... 详细信息

针对切割器设计裕度大且刺激能量服从正态分布的特点,提出采用最大熵试验法对切割器的功能可靠性进行评估。以某型切割器为实例,通过临界药量摸底试验、升降法试验及成败型试验对其功能可靠性进行了评估。结果表明:运用最大熵试验法,采用46个试验样本即可完成切割器在置信度γ=0.95下,可靠性指标不小于0.999 995的可靠性评估试验,为航天火工装置(尤其是切割器)的小样本量高可靠性评估提供了技术途径。

关键词：切割器最大熵试验法小样本量可靠性评估

半导体桥火工品电磁响应及其防护技术仿真研究

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火工品 2024年第1期 43-47页

作者：牛惠媛任炜李慧常英珂姚洪志陕西应用物理化学研究所应用物理化学重点实验室陕西西安710061

为了研究半导体桥(SCB)火工品在连续电磁波、核电磁脉冲环境下的响应特性及防护技术,采用COMSOL仿真软件建立了SCB组件仿真模型,分别研究了并联瞬态电压抑制(TVS)二极管前后SCB组件在连续电磁波、核电磁脉冲照射状态下的感应电流和桥区... 详细信息

为了研究半导体桥(SCB)火工品在连续电磁波、核电磁脉冲环境下的响应特性及防护技术,采用COMSOL仿真软件建立了SCB组件仿真模型,分别研究了并联瞬态电压抑制(TVS)二极管前后SCB组件在连续电磁波、核电磁脉冲照射状态下的感应电流和桥区温度的变化。结果表明:场强为1 200 V·m~(-1)、频率为1.15 GHz的连续电磁波以及上升时间为5 ns、半高宽为24 ns、幅值为10 k V·m~(-1)的核电磁脉冲照射,均可能使SCB桥区温度高于常用起爆药的作用温度,从而导致SCB火工品意外发火;并联TVS二极管对连续电磁波、核电磁脉冲均起到较好的防护效果,连续电磁波照射下SCB的感应电流峰值衰减率大于64.79%,核电磁脉冲照射下SCB桥区最高温度衰减率为54.34%。

关键词：半导体桥连续电磁波核电磁脉冲 TVS二极管

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光镊捕获和操控尺度极限的进展

物理化学学报 2024年第1期40卷 3-19页

作者：霍春安邱圣杰梁青满耿碧君雷志超王干邹玉玲田中群杨扬厦门大学萨本栋微米纳米科学技术研究院固体表面物理化学国家重点实验室福建厦门361005

光镊技术能够实现对介观乃至微观颗粒的稳定捕获和灵活操控,是对微纳物体和单个分子施加力并观测其响应的理想操控手段。受限于光的衍射极限,传统光镊难以实现对100 nm以下物体的捕获和操控。研究者们通过开发特殊的材料和结构,将它们... 详细信息

光镊技术能够实现对介观乃至微观颗粒的稳定捕获和灵活操控,是对微纳物体和单个分子施加力并观测其响应的理想操控手段。受限于光的衍射极限,传统光镊难以实现对100 nm以下物体的捕获和操控。研究者们通过开发特殊的材料和结构,将它们与传统光镊技术结合,不断突破其在小尺度物体的捕获和操控极限。本文主要综述了近年来光镊的不同技术路线在突破捕获操控极限的研究进展,以及其在物理化学领域中的应用,并对其发展和应用进行展望。

关键词：光镊单分子捕获尺寸微尺度操控等离激元固液界面

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基于锗硅异质结双极晶体管的低噪声放大器及其反模结构的单粒子瞬态数值仿真研究

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物理学报 2024年第12期73卷 288-299页

作者：黄馨雨张晋新王信吕玲郭红霞冯娟闫允一王辉戚钧翔西安电子科技大学空间科学与技术学院西安710049 中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 西北核技术研究院西安710024

针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行TCAD仿真建模,基于SiGe HBT器件模型搭建低噪放大器(LNA)电路,开展单粒子瞬态(SET)的混合仿真,研究SET脉冲随离子不同LET值、入射角度的变化规律.结果表明:随着入射离子LET值的增大,LNA端口的SE... 详细信息

针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)进行TCAD仿真建模,基于SiGe HBT器件模型搭建低噪放大器(LNA)电路,开展单粒子瞬态(SET)的混合仿真,研究SET脉冲随离子不同LET值、入射角度的变化规律.结果表明:随着入射离子LET值的增大,LNA端口的SET脉冲的幅值增大,振荡时间延长;随着离子入射角的增大,LNA端口的SET脉冲的幅值先增大后减小,振荡时间减小.使用反模(IM)共射共基结构(Cascode)降低LNA对单粒子效应的敏感度,验证了采用IM结构的LNA电路的相关射频性能.针对离子于共基极(CB)晶体管、共发射极(CE)晶体管两种位置入射进行SET实验.实验结果与本实验中的正向模式相比,IM Cascode结构的LNA电路的瞬态电流持续时间明显减少,并且峰值减小了66%及以上.

关键词：锗硅异质结双极晶体管单粒子效应反模混合仿真