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可调节零点偏置电流的磁平衡电流传感器

环境技术 2024年第4期42卷 170-173,179页

作者：杜刚余冰冰王威成都新欣神风电子科技有限公司成都611731

为解决现有传感器无法提供任意大小的偏置电流问题,设计了一种偏置电流可调的磁平衡式电流传感器。偏置电流可调的磁平衡式电流传感器,是指零点输出电流为一个可以调节的非零值的电流传感器。在磁平衡电流传感器的工作原理基础上,叠加... 详细信息

为解决现有传感器无法提供任意大小的偏置电流问题,设计了一种偏置电流可调的磁平衡式电流传感器。偏置电流可调的磁平衡式电流传感器,是指零点输出电流为一个可以调节的非零值的电流传感器。在磁平衡电流传感器的工作原理基础上,叠加一级偏置电流电路,其中偏置电流电路运用欧姆定律实现电流可调功能。通过对该设计进行不同偏置设定的试验验证,证明该电路方案能够实现电流传感器的零点偏置电流可调功能,同时具有较高的精度和稳定性。

关键词：电流传感器磁平衡偏置电流

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隔离高压交流传感器设计方法

环境技术 2024年第3期42卷 179-182页

作者：杜刚余冰冰王威成都新欣神风电子科技有限公司成都611731

现阶段主流的交流电压传感器检测范围为千伏以下,高压交流传感器要求必须将电气系统分隔开来。针对这一现象提出了一种隔离高压交流传感器的设计方法,通过隔离互感线圈将高压交流信号隔离转换为低压交流信号,并进行AC/DC变换,实现检测... 详细信息

现阶段主流的交流电压传感器检测范围为千伏以下,高压交流传感器要求必须将电气系统分隔开来。针对这一现象提出了一种隔离高压交流传感器的设计方法,通过隔离互感线圈将高压交流信号隔离转换为低压交流信号,并进行AC/DC变换,实现检测数千伏的高压交流信号并能够将检测信号隔离输出。试验表明该传感器能够隔离检测数千伏交流电压,并且其线性误差和精度误差均小于1%。

关键词：传感器隔离交流

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抗方阻波动的超宽带轻薄频率选择表面吸波体

物理学报 2024年第2期73卷 145-155页

作者：王东俊孙子涵张袁唐莉闫丽萍成都飞机工业(集团)有限责任公司成都610073 四川大学电子信息学院成都610065 电子科技大学电子科学与工程学院成都611731

满足宽带、极化和入射角度稳定、轻薄和强吸收等高性能要求的电阻膜频率选择表面(FSS)吸波体设计难度大,且易因加工中方阻波动导致吸波性能变化.为此,本文首先分析了方阻波动影响电阻膜FSS吸波体性能的机理,提出抗方阻波动的FSS吸波体... 详细信息

满足宽带、极化和入射角度稳定、轻薄和强吸收等高性能要求的电阻膜频率选择表面(FSS)吸波体设计难度大,且易因加工中方阻波动导致吸波性能变化.为此,本文首先分析了方阻波动影响电阻膜FSS吸波体性能的机理,提出抗方阻波动的FSS吸波体设计方法.在此基础上,提出利用不同层FSS阻抗随频率变化互补的扩展带宽方法,结合弯折小型化设计,获得了超宽带、极化和角度稳定的轻薄型抗方阻波动FSS吸波体.该FSS吸波体在TE和TM极化下,90%吸波带宽为1.50—20.50 GHz(相对带宽173%),厚度仅为0.093λ_(L).TE极化波80%吸波的角度稳定性可达45°,而TM极化波90%吸波的角度稳定性可达70°.当每层FSS方阻在12—30Ω/sq范围内波动时,吸波体的90%吸波带宽仍保持在167.0%.实验测试结果与仿真结果基本吻合,证明了所提方法的有效性.

关键词：频率选择表面吸波体薄型超宽带方阻波动

(Zr,Ti)O_(4)基微波薄膜介质基片制备关键工艺研究

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材料导报 2024年第S1期38卷 42-46页

作者：江俊俊康建宏汪小玲刘杨琼赵杨军成都宏科电子科技有限公司成都610100

素坯成型工艺对微波陶瓷材料在微波薄膜介质基片产品中的工程化应用具有关键影响。目前关于(Zr,Ti)O_(4)主晶相系统微波介质陶瓷材料的研究主要集中在降低(Zr,Ti)O_(4)陶瓷烧结温度、掺杂改性优化其介电性能、Q×f值(品质因数与频率的乘... 详细信息

素坯成型工艺对微波陶瓷材料在微波薄膜介质基片产品中的工程化应用具有关键影响。目前关于(Zr,Ti)O_(4)主晶相系统微波介质陶瓷材料的研究主要集中在降低(Zr,Ti)O_(4)陶瓷烧结温度、掺杂改性优化其介电性能、Q×f值(品质因数与频率的乘积)等配方优化方面。本文以(Zr,Ti)-O4基微波陶瓷材料为原材料,通过研究中介微波薄膜介质基片关键成型工艺对其物相结构、微观形貌和介电性能的影响,发现不同素坯成型工艺方式对(Zr,Ti)O_(4)基陶瓷的致密度、介质损耗值、Q×f值等影响显著。采用方式四进行薄膜介质基片的制备,获得的(Zr,Ti)O_(4)基薄膜介质基片致密度较高,气孔率低,陶瓷材料的介质损耗低至1.1×10^(-4),15 GHz下Q×f值高达50000。本文通过对不同素坯成型方式的研究,以期为(Zr,Ti)O_(4)基微波陶瓷材料薄膜介质基片的工程化应用提供理论支撑。

关键词： (Zr,Ti)O_(4) 薄膜介质基片工程化应用微波陶瓷材料成型工艺介电性能

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自成形硅表面微结构:表面特征及潜在应用

电子科技大学学报 2024年第2期53卷 180-184页

作者：李佳城刘爽伍胜兰刘永钟智勇电子科技大学光电科学与工程学院成都611731 电子科技大学电子科学与工程学院成都611731

采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)制备掺氢非晶硅膜,并对其表面结构学进行研究。该文发现在晶体硅衬底上沉积非晶硅薄膜时,会在表面形成非均匀分布的起泡缺陷。在已制备的非晶硅薄膜... 详细信息

采用等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)制备掺氢非晶硅膜,并对其表面结构学进行研究。该文发现在晶体硅衬底上沉积非晶硅薄膜时,会在表面形成非均匀分布的起泡缺陷。在已制备的非晶硅薄膜上进一步沉积了氮化硅/非晶硅的交替层,在起泡缺陷原位形成了一个完美的穹顶多壳的微结构,并且没有明显的结构坍塌。该文总结了自成形穹顶微结构的3个独特的结构特性,并进一步指出了该自成形穹顶微结构在纳米光学和微机电系统中的潜在应用。

关键词：微机电系统非晶硅起泡缺陷自成形硅微/纳结构

MXenes及其复合物的太赫兹电磁屏蔽与吸收

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无机材料学报 2024年第2期39卷 129-144页

作者：万胡杰肖旭电子科技大学物理学院电子薄膜与集成器件全国重点实验室成都611731 电子科技大学电子科学与工程学院成都611731

开发新型低维材料在太赫兹电磁屏蔽与吸收领域的应用是一个极为重要的研究方向,低维材料以其独特的电学、力学与电磁响应而有望创造出更加高效的电磁屏蔽与吸收方案。二维过渡金属碳化物、氮化物与碳氮化合物MXenes在低频波段已经展示... 详细信息

开发新型低维材料在太赫兹电磁屏蔽与吸收领域的应用是一个极为重要的研究方向,低维材料以其独特的电学、力学与电磁响应而有望创造出更加高效的电磁屏蔽与吸收方案。二维过渡金属碳化物、氮化物与碳氮化合物MXenes在低频波段已经展示出优异的电磁屏蔽与吸收性能,尤其是MXenes兼具高电导率、低密度、高柔性等特点,有利于未来太赫兹器件便携化与系统集成化。然而,将MXenes太赫兹电磁屏蔽与吸收材料推向实际应用过程中,面临着附着稳定性、环境稳定性、不耐高温等问题,无法满足航空航天和第六代通信场景需求。此外,目前缺乏更加全面的太赫兹散射与吸收验证手段。针对上述问题,研究人员开展了广泛且深入的工作。本文回顾了近年来主流电磁屏蔽与吸收材料的主体构型与基础理论原理,并重点介绍了多种MXenes及其复合物在薄膜与多孔结构下的太赫兹电磁屏蔽与吸收特性,包括Ti3C2Tx、Mo2Ti2C3Tx、Mo2TiC2Tx、Nb4C3Tx、Nb2CTx,并展望了MXenes作为太赫兹频段中电磁屏蔽与吸收材料所面临的挑战和机遇。

关键词：二维材料 MXenes 太赫兹电磁屏蔽与吸收材料专题评述

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声表面波-自旋波耦合及磁声非互易性器件

物理学报 2024年第15期73卷 30-48页

作者：黄铭贤胡文彬白飞明电子科技大学电子科学与工程学院成都610054 电子科技大学电子薄膜与集成器件全国重点实验室成都611731

声表面波是激发和控制自旋波的一种新兴手段,不仅激励效率高,而且传输长度可以达到毫米量级,通过引入磁声耦合还可以打破时空反演对称性,实现声表面波的非互易传播.本文对不同类型的磁声耦合的物理机制进行了梳理,对比了磁弹性耦合、自... 详细信息

声表面波是激发和控制自旋波的一种新兴手段,不仅激励效率高,而且传输长度可以达到毫米量级,通过引入磁声耦合还可以打破时空反演对称性,实现声表面波的非互易传播.本文对不同类型的磁声耦合的物理机制进行了梳理,对比了磁弹性耦合、自旋-涡度耦合(包括非磁性层注入交变自旋流和磁性材料自身的Barnett效应),以及磁-旋转耦合在不同模式的声表面波激发下的等效驱动磁场,讨论了这些等效驱动场的角度依赖性,以及相应功率吸收的频率依赖性.这为在实际应用中区分和利用各种磁声耦合机制提供了理论支持.此外,本文还介绍了利用磁声耦合实现声表面波非互易性传输的两种主流手段,包括利用手性失配效应和引入具有非互易性自旋波色散关系的磁结构,对比并讨论了它们各自的物理机制和优劣势,希望为设计和发展基于磁声耦合的固态声学隔离器、环形器提供参考.

关键词：磁声耦合自旋波声表面波声子-磁振子耦合非互易性器件

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二氧化钒在太赫兹超材料中的研究进展

硅酸盐学报 2024年第7期52卷 2371-2380页

作者：高敏罗毅恒路畅林媛电子科技大学材料与能源学院成都610054

超材料具有在亚波长尺度下操控电磁波的能力,近年来,通过对光场、电场、机械或温度场动态调控可以改变其光学特性的主动式超材料受到了广泛的研究。二氧化钒具有在68℃的临界温度下从低温绝缘相转变为高温金属相的特性,其电导率能够实现... 详细信息

超材料具有在亚波长尺度下操控电磁波的能力,近年来,通过对光场、电场、机械或温度场动态调控可以改变其光学特性的主动式超材料受到了广泛的研究。二氧化钒具有在68℃的临界温度下从低温绝缘相转变为高温金属相的特性,其电导率能够实现4~5个数量级的变化,将二氧化钒与超材料相互结合,能够满足可调谐性、高调制深度、多种调谐手段等优点。本文从二氧化钒的相变特性出发,归纳总结了二氧化钒在太赫兹超材料中的不同应用方向,主要包括可调谐太赫兹超材料吸波器、太赫兹调制器、太赫兹波前调控器以及可编程超材料,最后讨论了二氧化钒在太赫兹超材料应用中所面临的挑战和未来的发展方向。

关键词：超材料二氧化钒相变材料可调谐

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Nd_(2)O_(3)对(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)微波介质陶瓷结构和性能影响

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中国陶瓷 2024年第4期60卷 23-28页

作者：江俊俊赵杨军刘杨琼黎志刚成都宏科电子科技有限公司成都610100

以(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)为基,通过研究Nd_(2)O_(3)(0~0.20 mol%)掺杂(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)微波介质陶瓷对物相结构、形貌和介电性能的影响,发现随着Nd_(2)O_(3)掺杂量的增加,(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)介质陶瓷的晶格参数、晶粒尺寸变化微弱,Nd^(3+)几乎不影响(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)陶瓷阳离子有序生长,而是在(Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4)介质陶瓷的晶界形成钉扎,通过降低介质外在损耗,有效提高陶瓷材料的Q×f值至45000(@15 GHz),并提高容量温度稳定性。

关键词： Nd_(2)O_(3) 微波介质陶瓷 (Zr_(0.8),Sn_(0.2))TiO_(4) Q×f值