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基于碳基复合电磁屏蔽材料及其信息安全的应用

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网络安全技术与应用 2025年第1期 132-133页

作者：董长存刘云峰中国电子科技集团公司第三十三研究所

电磁信息安全作为社会科技进步发展的“基石”，直接关系着国家安全、社会稳定以及个人隐私保护等核心问题，因此做好信息安全的保障变得至关重要。通常，通过屏蔽抑制电磁泄露和干扰，实现信息安全防护功能，而现有屏蔽材料无法满足实... 详细信息

电磁信息安全作为社会科技进步发展的“基石”，直接关系着国家安全、社会稳定以及个人隐私保护等核心问题，因此做好信息安全的保障变得至关重要。通常，通过屏蔽抑制电磁泄露和干扰，实现信息安全防护功能，而现有屏蔽材料无法满足实际生产更高的需求。本文提出新型碳基复合电磁屏蔽材料在信息安全防护的应用。针对电磁屏蔽原理进行详细的阐述，对当前电磁屏蔽材料的现状和三种新型碳基复合电磁屏蔽材料：碳纳米管、碳纤维和石墨烯进行详细的分析。展示了碳基复合电磁屏蔽材料在信息安全载体的应用，验证了碳基复合电磁屏蔽材料运用于信息安全的实际可行性。

关键词：电磁屏蔽碳基复合材料信息安全

一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术

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半导体技术 2025年第1期50卷 46-54页

作者：薛颜徐文荣于宗光李琨李加燊中国电子科技集团公司第五十八研究所江苏无锡214000 合肥工业大学微电子学院合肥230009

针对Pipelined模数转换器(ADC)中采样电容失配和运放增益误差带来的非线性问题,提出了一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术。前台校准技术通过对ADC量化结果的余量分析,补偿相应流水级的量化结果,后台校准技术基于伪随机(PN)注入的方... 详细信息

针对Pipelined模数转换器(ADC)中采样电容失配和运放增益误差带来的非线性问题,提出了一种前后台结合的Pipelined ADC校准技术。前台校准技术通过对ADC量化结果的余量分析,补偿相应流水级的量化结果,后台校准技术基于伪随机(PN)注入的方式,利用PN的统计特性校准增益误差。本校准技术在系统级建模和RTL级电路设计的基础上,实现了现场可编程门阵列(FPGA)验证并成功流片。测试结果显示,在1 GS/s采样速率下,校准精度为14 bit的Pipelined ADC的有效位数从9.30 bit提高到9.99 bit,信噪比提高约4 dB,无杂散动态范围提高9.5 dB,积分非线性(INL)降低约10 LSB。

关键词： Pipelined模数转换器(ADC) 电容失配增益误差前台校准后台校准

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基于FPGA的机械电子设备实时调试技术研究

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电子产品世界 2025年第1期32卷 21-23页

作者：杨瑞祥寿高峰黄晴韵中国电子科技集团公司第52研究所浙江杭州311100

现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)是一种可以进行配置或编程的集成电路,具有较高的灵活性和强大的并行处理能力。FPGA能够在硬件层面对电子系统进行编程和调整,开发者可以在不更换硬件的情况下,修改或优化其功能... 详细信息

现场可编程门阵列(field programmable gate array,FPGA)是一种可以进行配置或编程的集成电路,具有较高的灵活性和强大的并行处理能力。FPGA能够在硬件层面对电子系统进行编程和调整,开发者可以在不更换硬件的情况下,修改或优化其功能和性能。探讨了基于FPGA的机械电子设备实时调试技术,从架构设计、调试工具和环境配置、调试算法的开发等方面进行了阐述。

关键词： FPGA 机械电子设备实时调试

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1100例健康体检人群脉图参数特征研究

中国中医药现代远程教育 2025年第2期23卷 94-96,114页

作者：郭婧潘红莉王锡锋许佳明中国航天科技集团公司七三八疗养院中医科江苏无锡214081

目的研究健康体检人群不同性别、年龄、体质的脉图参数特征。方法采用道生体质辨识系统采集1100例健康体检人群的脉图,分析不同性别、年龄、体质人群的脉图参数特征。结果男性主波高度(H1)、重搏波高度(H5)/H1高于女性,重搏前波高度(H3)... 详细信息

目的研究健康体检人群不同性别、年龄、体质的脉图参数特征。方法采用道生体质辨识系统采集1100例健康体检人群的脉图,分析不同性别、年龄、体质人群的脉图参数特征。结果男性主波高度(H1)、重搏波高度(H5)/H1高于女性,重搏前波高度(H3)/H1、降中峡高度(H4)/H1、脉图基线到峰顶高度上1/3处的脉图宽度(W1)/脉动周期(T)低于女性。与19~39岁比,40~60岁、61~80岁人群H1、H3/H1、T、W1/T更高,H5/H1更低;与40~60岁比,61~80岁人群H1、H3/H1、T更高,H5/H1更低。阴虚、痰湿和湿热质人群H1高于平和、阳虚质人群;气虚、阳虚、阴虚质人群H4/H1高于痰湿、湿热质人群;气虚、阴虚、血瘀和气郁质人群H5/H1低于平和、痰湿和湿热质人群;气虚、阴虚质人群W1/T高于平和质人群。结论男性左心室收缩力强、主动脉顺应性好、外周阻力小;年龄越大,动脉血管弹性、主动脉顺应性越差,脉率越慢,40岁和60岁可作为脉图参数变化的分界点;平和质和偏颇质的差异体现在H1、H4/H1、H5/H1、W1/T上,痰湿、湿热质人群脉力强、外周阻力小、主动脉顺应性好。

关键词：脉图参数健康体检人群体质性别年龄脉诊

不同栅氧退火工艺下的SiC MOS电容及其界面电学特性

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半导体技术 2025年第1期50卷 32-38页

作者：付兴中刘俊哲薛建红尉升升谭永亮王德君张力江中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 大连理工大学控制科学与工程学院辽宁大连116024

SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷... 详细信息

SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性是评价和改进SiC MOS器件制造工艺的重要依据。通过依次测试SiC MOS器件的氧化物绝缘特性、界面态密度、偏压温度应力不稳定性(偏压温度应力条件下的平带电压漂移)、氧化物陷阱电荷密度和可动电荷密度的方法,对分别经过氮等离子体氧化后退火(POA)处理、氮氢混合等离子体POA处理、氮氢氧混合等离子体POA处理、氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容的电学特性和栅氧界面特性进行了分析。结果表明,该方法可以系统地评价SiC MOS电容电学特性和栅氧界面特性,经过氮氢氯混合等离子体POA处理的SiC MOS电容可以满足高温、大场强下长期运行的性能指标。

关键词： SiC MOS电容氧化后退火(POA) 平带电压漂移氧化物陷阱电荷可动电荷

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