检索结果-南通市图书馆

维普期刊数据库博看期刊

石墨烯场效应晶体管在不同偏置电压条件下的电应力可靠性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2024年

作者：王颂文郭红霞马腾雷志锋马武英钟向丽张鸿卢小杰李济芳方俊霖曾天祥湘潭大学材料科学与工程学院西北核技术研究所工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室

本文以顶栅结构的石墨烯场效应晶体管（graphene field effect transistors ，GFET）为研究对象，开展了不同偏置电压条件下的电应力可靠性研究。试验结果表明：在不同偏置电压条件的电应力作用下，GFET的载流子迁移率随着电应力时间的... 详细信息

本文以顶栅结构的石墨烯场效应晶体管（graphene field effect transistors ，GFET）为研究对象，开展了不同偏置电压条件下的电应力可靠性研究。试验结果表明：在不同偏置电压条件的电应力作用下，GFET的载流子迁移率随着电应力时间的增加均不断的退化，而不同偏置电压条件的电应力对狄拉克电压(VDirac)的漂移方向和退化程度的影响不同；栅极电应力与漏极电应力造成器件的VDirac漂移方向相反，且栅极电应力要比栅极和漏极电压同时施加的电应力导致GFET的VDirac退化程度更加明显。分析原因表明：不同偏置电压条件下的电应力试验在器件中产生的电场方向不同，从而会影响载流子浓度和移动方向。诱导沟道中的电子和空穴隧穿进入氧化层，被氧化层中缺陷和石墨烯\氧化层界面处的陷阱俘获，形成氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷，从而导致GFET的载流子迁移率降低。而电应力产生陷阱电荷的带电类型差异是造成VDirac漂移方向不同的主要原因。论文结合TCAD仿真，进一步揭示了电应力感生陷阱电荷对GFET的VDirac产生影响仿真模型。相关研究对石墨烯器件的实际应用提供数据和理论支撑。

关键词：石墨烯场效应晶体管电应力狄拉克电压载流子迁移率

基于非单调IG过程的运算放大器剩余寿命预测

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

探测与控制学报 2024年

作者：殷如心锁斌杨少华西南交通大学数学学院西南科技大学复杂环境装备可靠性研究中心工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室

针对运算放大器退化数据不满足单调递增情况下的剩余寿命预测问题，提出了一种结合倒挂数据处理和IG过程（逆高斯过程）的寿命预测新方法。首先利用Bayes后验期望对倒挂退化数据进行修正，然后建立每个样本的IG过程退化轨迹，利用加速... 详细信息

针对运算放大器退化数据不满足单调递增情况下的剩余寿命预测问题，提出了一种结合倒挂数据处理和IG过程（逆高斯过程）的寿命预测新方法。首先利用Bayes后验期望对倒挂退化数据进行修正，然后建立每个样本的IG过程退化轨迹，利用加速模型实现正常应力下IG过程的参数估计后，利用非参核密度拟合参数的密度函数并用bootstrap求出其均值，进而得到运算放大器不同性能参数的IG过程模型。最后，利用多参数性能退化竞争失效求出运算放大器在不同时刻的剩余寿命。通过运算放大器加速退化数据的评估，验证了该方法的有效性。

关键词：运算放大器倒挂数据逆高斯过程剩余寿命核密度估计

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

反铁电储能陶瓷及电容器的极化特性

硅酸盐学报 2024年第4期52卷 1277-1287页

作者：李缨萱乔峰张玲王岗王晓智朱青山徐然徐卓冯玉军西安交通大学电子陶瓷与器件教育部重点实验室西安710049 成都宏科电子科技有限公司成都610199 工业和信息化部电子第五研究所广州510642

反铁电多层陶瓷电容器(MLCC)作为储能器件在脉冲功率技术、电力电子技术等领域具有重要的应用。与常规的I类或II类陶瓷电容器不同,反铁电电容器在出厂前会进行极化处理并标记极性。该极化过程可能对反铁电MLCC的应用带来影响,因此有必... 详细信息

反铁电多层陶瓷电容器(MLCC)作为储能器件在脉冲功率技术、电力电子技术等领域具有重要的应用。与常规的I类或II类陶瓷电容器不同,反铁电电容器在出厂前会进行极化处理并标记极性。该极化过程可能对反铁电MLCC的应用带来影响,因此有必要研究反铁电陶瓷材料及电容器的极化特性。本工作采用固相反应法制备了电滞回线形状为“方直”和“细斜”的两类典型的反铁电陶瓷样品,通过对比未经极化与经过极化处理样品的电滞回线,分析预极化对反铁电陶瓷性能及储能密度的影响。通过不同温度退极化后反铁电陶瓷材料与MLCC电容值的差异,分析得出退极化现象对其性能的影响。结果表明:反铁电陶瓷材料及电容器未经过预极化或退极化后,极化强度、电容值与脉冲放电电流峰值均有所下降,且退极化程度均会随着温度升高而升高。对于“方直”型反铁电陶瓷材料,极性现象对其影响较为显著,而对于“细斜”型反铁电陶瓷材料,极性现象影响较为微弱。该研究对反铁电MLCC在实际应用中如何正确发挥出其优异的性能具有重要的意义。

关键词：反铁电陶瓷多层陶瓷电容器极化储能密度

美国国防部“可信代工厂”项目20年发展回顾

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

科技管理研究 2024年第8期44卷 127-136页

作者：张倩班雪娇贾邦奇工业和信息化部电子第五研究所元器件与材料研究部(院) 广东广州511300

美国国家安全局与国防部为确保本土微电子制造能力的可信性与安全性,自2004年起共同出资启动“可信代工厂”(TF)项目,旨在构建覆盖微电子器件和部分光电子器件研发与生产全链条的可信认证供应商体系。随着近年来美国唯一获认证的先进制... 详细信息

美国国家安全局与国防部为确保本土微电子制造能力的可信性与安全性,自2004年起共同出资启动“可信代工厂”(TF)项目,旨在构建覆盖微电子器件和部分光电子器件研发与生产全链条的可信认证供应商体系。随着近年来美国唯一获认证的先进制造能力被外资收购,美国国防部加强了可信战略部署,使TF项目聚焦于先进制造能力的突围。在当前一国制造能力建设最大限度利用商业制造设施、知识产权,依托甚至依赖商用能力已成为不可阻挡趋势的背景下,深入探讨TF项目20年来的发展历程、管理与服务模式、制造能力的演变,以及经费投入与使用情况,从中汲取经验,为中国加强自主创新、优化产业布局,提升微电子产业的国际竞争力提供参考。研究发现,TF项目由可信获取项目办公室总负责,主要服务美国情报机构和国防部,经历了提出需求、启动项目、平稳运行、应对意外和回归初心5个阶段,在打通商业渠道满足军需方面发挥了重要作用,提升了美国微电子制造的技术水平,还确保了美国供应链的安全可靠,已成为美国可信微电子战略的一部分。据此,得出布局自主可控先进制造能力和提升现有产线工艺与运营能力等对中国发展半导体先进制造能力的启示。

关键词：可信代工厂可信认证供应商美国国防微电子中心微电子制造能力半导体制造能力供应链安全

基于Transformer模型的3D NAND闪存剩余寿命预测方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

微电子学 2024年

作者：石颖杨少华周斌吴福根胡湘洪电子信息产品可靠性分析与测试技术国家地方联合工程研究中心广东工业大学省部共建精密电子制造技术与装备国家重点实验室工业和信息化部电子第五研究所电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东工业大学材料与能源学院

为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性，本文设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验，分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型，以预处理后的寿命特征数据为输入，... 详细信息

为了预测3D NAND闪存的剩余使用寿命以及提高数据存储的可靠性，本文设计了3D NAND闪存的高温和温度循环实验，分析了各项操作时间和原始错误比特数的变化趋势。同时建立了一种改进的Transformer模型，以预处理后的寿命特征数据为输入，对3D NAND闪存的剩余使用寿命进行预测。与LSTM、GRU相比，本文所建立模型在高温擦写实验数据集中的均方根误差分别下降了20.5%、21.0%；在温度循环擦写实验数据集中则分别下降2.5%和7.8%。实验结果表明，该模型可以准确预测3D NAND闪存的剩余寿命，优化闪存寿命管理策略。

关键词： 3D NAND闪存剩余使用寿命 Transformer模型寿命预测

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

内部气氛含量分析环境下本底材料放气率研究

电子元件与材料 2024年第5期43卷 625-630页

作者：罗捷邱宝军张烨蔡宇宏夏江周帅陈海鑫工业和信息化部电子第五研究所广东广州510610 兰州空间技术物理研究所甘肃兰州730000

气密封装器件的内部气氛含量分析中,设备本底材料放气率是影响分析准确性的重要因素。采用静态升压法,对5种真空设备主要材料在3种典型温度和抽气时间下的放气率进行了深入研究。研究表明,相同条件下304不锈钢、430不锈钢和钛材料的放... 详细信息

气密封装器件的内部气氛含量分析中,设备本底材料放气率是影响分析准确性的重要因素。采用静态升压法,对5种真空设备主要材料在3种典型温度和抽气时间下的放气率进行了深入研究。研究表明,相同条件下304不锈钢、430不锈钢和钛材料的放气率均低于碳素钢和高纯铝,且同种材料在高温环境下的放气率随测试时间增加而增大。最后,基于材料成型等因素,建议选用304不锈钢和430不锈钢作为内部气氛含量分析的腔体环境使用材料,并给出了有效降低本底放气率的措施。

关键词：内部气氛含量放气率气密封装器件静态升压法

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

汽车芯片功能安全评估解析

电子产品可靠性与环境试验 2024年第5期42卷 120-126页

作者：李元晟周俊杉唐雨蒙王之哲罗军关明峰工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州511370

随着汽车电子电气系统的日趋复杂和单车芯片数量的快速增长,汽车芯片功能安全评估的重要性也在显著提升。ISO 26262标准是汽车芯片功能安全评估遵循的主要标准规范。针对我国汽车芯片领域对功能安全理解不足、ISO 26262认证起步较晚等问... 详细信息

随着汽车电子电气系统的日趋复杂和单车芯片数量的快速增长,汽车芯片功能安全评估的重要性也在显著提升。ISO 26262标准是汽车芯片功能安全评估遵循的主要标准规范。针对我国汽车芯片领域对功能安全理解不足、ISO 26262认证起步较晚等问题,从汽车芯片企业和第三方认证机构的角度分析功能安全标准体系,解读ISO 26262标准规范及其功能安全认证方法。分析结果和建议可帮助业界加深对ISO 26262功能安全标准的认识,支撑推进我国的汽车芯片行业标准化进程。

关键词：汽车芯片功能安全 ISO 26262 第三方认证机构标准化进程

维普期刊数据库博看期刊

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

专利视角下车规芯片可靠性技术的发展研究

电子产品可靠性与环境试验 2024年第5期42卷 6-12页

作者：张秋镇罗军庞水全王之哲工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州511370

为探究我国车规芯片可靠性检测、评价、应用验证等可靠性技术的发展过程及未来趋势,更全面地了解车规芯片可靠性检测技术的专利布局和未来技术发展方向,通过Incopat专利检索和分析系统对全球可靠性技术专利进行检索,并对检索的专利在申... 详细信息

为探究我国车规芯片可靠性检测、评价、应用验证等可靠性技术的发展过程及未来趋势,更全面地了解车规芯片可靠性检测技术的专利布局和未来技术发展方向,通过Incopat专利检索和分析系统对全球可靠性技术专利进行检索,并对检索的专利在申请趋势、技术领域、技术构成功效和申请人4个维度上进行分析研究。检索结果表明,车规可靠性技术专利申请量在持续上涨,主要申请国家为中、韩、日、美、德等国家,技术领域主要分布在G部(物理)、H部(电学)和B部(作业;运输)。进而针对我国在可靠性技术专利申请的现状,从芯片检测试验项目的维度提供了专利布局的建议。

关键词：专利车规芯片可靠性技术检测技术

同方期刊数据库博看期刊评论

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

建筑外墙用电子元器件可靠性研究

中国战略新兴产业 2024年第26期 138-141页

作者：郑宇蒋卓浩徐依全工业和信息化部电子第五研究所

近年来，随着科技的不断进步，建筑行业中使用电子元器件作为建筑外墙部组件的趋势日益增加。然而，由于建筑外墙所面临的环境条件和使用要求与传统电子设备存在明显差异，电子元器件的可靠性问题也日益受到关注。首先，本文通过对建筑... 详细信息

近年来，随着科技的不断进步，建筑行业中使用电子元器件作为建筑外墙部组件的趋势日益增加。然而，由于建筑外墙所面临的环境条件和使用要求与传统电子设备存在明显差异，电子元器件的可靠性问题也日益受到关注。首先，本文通过对建筑外墙用电子元器件所处环境进行分析，指出了所用元器件可能面临的可靠性风险，并给出了相应可靠性评价方法。其次，结合实际使用场景需求，设计了四种建筑外墙用电子元器件可靠性试验方法并进行试验验证。最后，提出了提升建筑外墙用电子元器件可靠性的建议。本文研究成果为建筑外墙用电子元器件可靠性评价和保障提供了参考和借鉴。

关键词：建筑外墙电子元器件可靠性试验任务剖面