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带电更换500kV直线转角塔绝缘子串通用工具的研制

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华北电力技术 2008年第2期 8-11页

作者：郝旭东纪建民智润仓冯海潮华北电力科学研究院有限责任公司北京100045 山西省电力公司超高压分公司山西太原030001 陕西秦川电力器材实业有限公司陕西西安710021

介绍了如何设计先进的结构、选择适合的操作方法,彻底解决500 kV直线转角塔绝缘子串无法带电更换的技术难题。

关键词：带电更换 500 kV 直线转角塔绝缘子串工具

由异常水树形态洞察力学取向对水树生长的影响

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中国电机工程学报 2016年第19期36卷 5373-5381,5420页

作者：周凯李康乐杨明亮黄明何郁嵩陶文彪四川大学电气信息学院四川省成都市610065 国网山西省电力公司电力科学研究院山西省太原市030001

为了进一步理解机械应力对交联聚乙烯(XLPE)电缆中水树生长的影响,研究了机械应力和XLPE样本中水树形态之间的关系,并提出了XLPE材料的力学取向对水树生长的作用机制。以热钢针在两组XLPE样本中扎孔的方式模拟电缆绝缘受到的机械应力作... 详细信息

为了进一步理解机械应力对交联聚乙烯(XLPE)电缆中水树生长的影响,研究了机械应力和XLPE样本中水树形态之间的关系,并提出了XLPE材料的力学取向对水树生长的作用机制。以热钢针在两组XLPE样本中扎孔的方式模拟电缆绝缘受到的机械应力作用,并仅对其中一组样本进行加速水树老化实验,另一组样本仅利用偏光显微镜观察针孔缺陷周围的应力纹形态(XLPE材料取向的宏观形态)。在水树老化样本中发现了异常水树形态,而此异常水树形态和未进行水树老化的样本中观察到的应力纹形态极其相似。以高分子力学取向理论为基础,并结合电场仿真模型,分析了XLPE材料的力学取向和水树形态的内在联系。研究表明,XLPE材料的力学取向在很大程度上决定了水树的生长方向。由于XLPE材料取向后出现各向异性,在取向方向上水树生长将得到促进,而在与取向方向垂直的方向上水树生长将受到抑制,从而导致异常水树形态的出现。

关键词：交联聚乙烯水树异常形态力学取向各向异性

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GIS内常用吸附剂的性能对比研究

绝缘材料 2015年第7期48卷 18-22页

作者：郭锦龙钟理鹏冀国龙马啸飞刘凯汲胜昌山西省电力公司电力科学研究院太原0300011 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049

为控制水分和分解产物的含量,以GIS为代表的SF6绝缘类电力设备中通常会放置一定量的吸附剂。选用硅胶、4A分子筛、5A分子筛、F-03分子筛、KDHF-03分子筛等五种常用的吸附剂,对其性能进行比较,并分别研究其对SF6电晕放电条件下几种典型... 详细信息

为控制水分和分解产物的含量,以GIS为代表的SF6绝缘类电力设备中通常会放置一定量的吸附剂。选用硅胶、4A分子筛、5A分子筛、F-03分子筛、KDHF-03分子筛等五种常用的吸附剂,对其性能进行比较,并分别研究其对SF6电晕放电条件下几种典型分解产物(SO2、SO2F2、S2OF10)吸附效果的影响。结果表明:添加吸附剂后,SF6典型分解产物的含量存在不同程度的下降,几种吸附剂的吸附性能存在较大的差异,除硅胶外,四种分子筛都对SO2表现出了较好的吸附效果;硅胶和4A分子筛对SO2F2的吸附效果不理想,其吸附率都不超过20%;5A、F-03、KDHF-03三种分子筛则对SO2F2具有良好的吸附性能,其中KDHF-03分子筛的性能最好。添加KDHF-03分子筛后,仅能检测到SO2F2一种分解产物,且其含量曲线在6 h后达到吸附平衡。

关键词：吸附剂分解产物吸附性能 KDHF-03分子筛

基于宽频阻抗谱技术的XLPE电缆老化诊断方法研究

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绝缘材料 2022年第2期55卷 84-90页

作者：单秉亮李舒宁孙茂伦杜承谦王伟李成榕孟晓凯新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京102206 国网山西省电力公司电力科学研究院山西太原030001

本文阐述了基于电缆中电磁波波速诊断XLPE电缆老化的理论依据,介绍了基于输入阻抗谱的电缆平均波速计算方法,仿真研究了电缆均匀老化和分段老化对于平均波速的影响,提出了基于平均波速诊断电缆整体老化状态的方法。最后,实验室内搭建均... 详细信息

本文阐述了基于电缆中电磁波波速诊断XLPE电缆老化的理论依据,介绍了基于输入阻抗谱的电缆平均波速计算方法,仿真研究了电缆均匀老化和分段老化对于平均波速的影响,提出了基于平均波速诊断电缆整体老化状态的方法。最后,实验室内搭建均匀热老化和分段热老化电缆模型,基于试验验证上述诊断方法的有效性。结果表明:加速均匀老化电缆和分段老化电缆的平均波速由166 m/μs分别降低至139 m/μs和152 m/μs,电缆老化越严重,电缆中波速越小。上述方法的提出可为XLPE电缆老化诊断提供更多有效信息。

关键词： XLPE电缆老化诊断输入阻抗谱电磁波波速非破坏性诊断方法

HGM-B型高摩合成闸瓦生产中出现裂纹分析及措施

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中小企业管理与科技 2015年第19期 246-247页

作者：宁洪太原晋太实业(集团)有限公司山西太原030013

针对HGM-B型高摩合成闸瓦生产过程中容易出现裂纹缺陷问题,系统分析其形成原因,并从原材料、成型工艺参数和模具设计等三方面提出了相应的防止措施。

关键词：高摩合成闸瓦原材料成型工艺模具

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着色渗透探伤剂在瓷件检测中的应用

山西电力技术 1999年第4期19卷 27-27,44页

作者：莫宁逄丽娜山西省电力局生产处山西省太原市南肖墙12号030001 山西省电力实业总公司太原市桃园南路030001

介绍了着色渗透剂在瓷绝缘子探伤中的应用方法和安全注意事项。

关键词：着色渗透剂瓷绝缘子探伤

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温度和频率对XLPE电缆泄漏电流的影响

绝缘材料 2017年第10期50卷 65-71页

作者：耿蒲龙杜亚昆宋建成雷志鹏庞丹姚俊峰太原理工大学矿用智能电器技术国家地方联合工程实验室太原030024 太原理工大学煤矿电气设备与智能控制山西省重点实验室太原030024 国网长治供电公司山西长治046000 国网山西省电力公司计量中心太原030024

为了研究温度与频率对XLPE电缆泄漏电流的影响,采用粒料制作了XLPE片状试样,并对XLPE试样的复介电常数、电导率以及介电模量进行了测试,测试的温度和频率范围分别为20~200℃、10-2~105Hz。结果表明:复介电常数的实部随着频率升高快速降... 详细信息

为了研究温度与频率对XLPE电缆泄漏电流的影响,采用粒料制作了XLPE片状试样,并对XLPE试样的复介电常数、电导率以及介电模量进行了测试,测试的温度和频率范围分别为20~200℃、10-2~105Hz。结果表明:复介电常数的实部随着频率升高快速降低,下降趋势随着温度升高而变缓;交流电导率与频率的关系遵循幂律定律,且其直流电导区域符合Arrhenius法则;介电模量谱很好地表征了介电松弛现象,能观察到被直流电导与电极极化淹没的损耗峰值,且随着温度的升高,损耗峰值向高频方向移动;XLPE绝缘的松弛极化的增强会造成介电常数以及松弛极化损耗的增大,在相同状态下,电缆泄漏电流会随着温度、频率的升高而增加。

关键词： XLPE电缆泄漏电流介电谱温度频率

15.24cm(6英寸)高纯半绝缘4H-SiC单晶生长

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电子工艺技术 2016年第5期37卷 305-306页

作者：王英民魏汝省李斌徐伟王利忠范云张磊中国电子科技集团公司第二研究所山西太原030024

SiC单晶是第三代半导体核心材料之一,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移速率等,特别适合制作高密度集成的微电子器件和工作在高温、高频、高压、大功率和强辐射等极端条件下功率电子器件[1-3]。基于SiC单晶衬底制备... 详细信息

SiC单晶是第三代半导体核心材料之一,具有宽带隙、高热导率、高临界击穿电场和高电子饱和迁移速率等,特别适合制作高密度集成的微电子器件和工作在高温、高频、高压、大功率和强辐射等极端条件下功率电子器件[1-3]。基于SiC单晶衬底制备的GaN/SiCHEMT微波器件主要应用于军事领域,为了克服与衬底材料有关的寄生电容引起的信号损失,必须采用绝缘或者半绝缘衬底,

关键词：半绝缘 cm 单晶生长临界击穿电场功率电子器件微电子器件核心材料高热导率寄生电容第三代半导体

基于Anand模型的柔性直流输电用IGBT模块焊接应力变形分析

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半导体技术 2021年第11期46卷 887-892,898页

作者：王蕤骆健姚二现董长城刘旭光杨阳南瑞集团(国网电力科学研究院)有限公司南京211106 南瑞联研半导体有限责任公司南京211106 国网山西省电力公司检修分公司太原030032

IGBT模块直接覆铜(DBC)基板与底板进行回流焊接过程中,由于材料热膨胀系数不匹配,会产生较大翘曲与残余应力,影响模块可靠性。针对某柔性直流(VSC-HVDC)输电用大功率IGBT模块,基于有限元法,根据实际真空回流焊温度曲线,对比分析了Al_(2)... 详细信息

IGBT模块直接覆铜(DBC)基板与底板进行回流焊接过程中,由于材料热膨胀系数不匹配,会产生较大翘曲与残余应力,影响模块可靠性。针对某柔性直流(VSC-HVDC)输电用大功率IGBT模块,基于有限元法,根据实际真空回流焊温度曲线,对比分析了Al_(2)O_(3)/Cu、AlN/AlSiC和Si_(3)N_(4)/AlSiC 3种陶瓷衬板与底板组合的焊接翘曲变形与残余应力分布。结果表明相对于Cu底板,采用AlSiC底板能有效降低底板翘曲与残余应力。相较于Si_(3)N_(4)陶瓷衬板,AlN陶瓷衬板与AlSiC底板的热膨胀系数匹配度更高,焊接后翘曲与残余应力最小。测试结果表明,AlN/AlSiC组合的仿真与实测变形量基本一致,测量范围内长边和短边方向误差分别为5.9%和5.6%。

关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT) 回流焊 Anand模型陶瓷衬板底板