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GaN纳米棒的催化合成及其发光特性(英文)

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物理化学学报 2008年第2期24卷 355-358页

作者：陈金华薛成山庄惠照李红秦丽霞杨兆柱山东师范大学半导体研究所济南250014

使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm... 详细信息

使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm,长度约10μm.光致发光谱在368.6nm处有一强的紫外发光峰,说明纳米棒具有良好的发光特性.讨论了GaN纳米棒的生长机制.

关键词： GaN 纳米棒单晶发光

氨化Ga_2O_3/Mg薄膜制备簇状GaN纳米线

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固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 190-192页

作者：孙莉莉薛成山艾玉杰庄惠照王福学山东师范大学半导体研究所济南250014

通过在1050°C时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直径在... 详细信息

通过在1050°C时氨化Ga2O3/Mg薄膜制备出簇状GaN纳米线。用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR)扫描电子显微镜(SEM)和高分辨电子显微镜(HRTEM)对样品进行测试分析。结果表明,GaN纳米线为六万纤锌矿结构单晶相并且成族生长,直径在200～500nm米左右,其长度可达5～10μm。几乎所有纳米线的直径均有逐渐缩小的趋势。对Mg膜的作用进行了初步的分析。

关键词：氮化镓磁控溅射纳米线

利用Pd催化合成单晶GaN纳米线的光学特性(英文)

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物理化学学报 2010年第2期26卷 507-510页

作者：郭永福薛成山石锋庄惠照刘文军孙海波曹玉萍山东师范大学半导体研究所济南250014

基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRT... 详细信息

基于金属元素钯具有的催化特性,采用射频磁控溅射方法,在Si(111)衬底上沉积Pd:Ga2O3薄膜,然后在950℃下对薄膜进行氨化,制备出大量GaN纳米线.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)等技术手段对样品的结构、形貌和成分进行分析.结果表明,制备的样品为具有六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米线,直径在20-60nm范围内,长度为几十微米,表面光滑无杂质,结晶质量较高.用光致发光光谱对样品的发光特性进行测试,分别在361.1、388.6和426.3nm处出现三个发光峰,且与GaN体材料相比近带边紫外发光峰发生了较弱的蓝移.对GaN纳米线的生长机制也进行了简单的讨论.

关键词：纳米线 GaN 溅射光学特性钯催化单晶

氨化温度对氨化Ga_2O_3/Al膜制备GaN纳米结构材料的影响

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功能材料 2008年第2期39卷 331-333页

作者：庄惠照胡丽君薛成山薛守斌山东师范大学半导体研究所山东济南250014

采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(S... 详细信息

采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积了Ga2O3/Al膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上获得了GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对生成GaN纳米结构材料的影响。对样品进行了傅立叶红外吸收(FTIR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)以及高分辨电镜(HR-TEM)测试,分析了不同温度对GaN样品的结构、组分和形貌等特性的影响。结果表明,用该方法在950℃的氨化温度下得到了大量的六方GaN纳米棒。

关键词： Ga2O3/Al膜 GaN纳米棒氨化磁控溅射

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单重态二碘代乙叉重排反应的AM1方法研究

Chinese Journal of Structural Chemistry 1999年第3期18卷 232-235页

作者：石凤山东师范大学测试中心

采用量子化学中的ＡＭ１方法研究了单重态二碘代乙叉重排反应的机理。结果发现，该重排反应经过一个三元环过渡态，反应的能势为２５．８ｋＪ／ｍｏｌ。根据计算结果，详细研究了该反应的热力学及动力学函数，结果表明该反应是放热反应... 详细信息

采用量子化学中的ＡＭ１方法研究了单重态二碘代乙叉重排反应的机理。结果发现，该重排反应经过一个三元环过渡态，反应的能势为２５．８ｋＪ／ｍｏｌ。根据计算结果，详细研究了该反应的热力学及动力学函数，结果表明该反应是放热反应，放出的热量约为２５０ｋＪ／ｍｏｌ；该反应的Ａ因子稍小于１０１３ｓ－１，是典型的单分子反应。由于反应的平衡常数和速度常数都很大，故Ｉ２Ｃ＝Ｃ：一旦生成就立即转变为ＩＣ≡ＣＩ。

关键词：单重态二碘代乙叉重排反应反应机理

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注碳外延硅的荧光特性研究

半导体光电 2006年第5期27卷 560-562页

作者：李玉国孙钦军曹玉萍王强王建波张秋霞山东师范大学半导体研究所山东济南250014

研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀... 详细信息

研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。

关键词：离子注入电化学腐蚀蓝光发射发光中心

氨化Si基Ga_2O_3/In_2O_3制备GaN薄膜

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功能材料 2007年第10期38卷 1632-1634页

作者：薛成山王福学庄惠照张晓凯艾玉杰孙丽丽陈金华秦丽霞山东师范大学半导体所山东济南250014

研究了Ga2O3/In2O3膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析。测试结果表明,用此方法得到了... 详细信息

研究了Ga2O3/In2O3膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM)和透射电镜(TEM)对样品进行结构、形貌的分析。测试结果表明,用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好。

关键词： GaN Ga2O3/In2O3 氨化磁控溅射

氨化Si基Ga_2O_3/In制备GaN薄膜

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功能材料 2007年第2期38卷 231-233页

作者：王福学薛成山庄惠照张晓凯艾玉杰孙丽丽杨兆柱李红山东师范大学半导体所山东济南250014

研究了Ga2O3/In膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析。测试结果表明:用此... 详细信息

研究了Ga2O3/In膜反应自组装制备GaN薄膜,再将Ga2O3/In膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜,用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收(FTIR),扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对样品进行结构,形貌的分析。测试结果表明:用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN多晶膜,且900℃时成膜的质量最好。

关键词： GaN Ga2O3/In 氨化磁控溅射

稀释磁性半导体Zn_(1-x)Fe_xSe薄膜的光学特性

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光学学报 1993年第5期13卷 470-474页

作者：熊光英董健山东师范大学半导体所济南250014 山东师范大学计算机中心济南250014

用真空蒸镀法制备了稀释磁性半导体Zn_(1-x)Fe_xSe多晶薄膜,用X射线衍射和电子扫描电镜测定了薄膜结构和成份.其光吸收数据表明:光学能隙E_g随着Fe^(2+)成分x增加而线性减小,用线性回归法拟合得其关系.E_g=2.722-2.2x(eV).

关键词：磁性半导体薄膜能隙光学性质