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基于热-光调谐的多通道干涉大范围可调谐激光器

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光学学报 2024年

作者：陈子枫王治达陈泉安蒋春娄家俊夏娟陆巧银国伟华华中科技大学武汉光电国家研究中心宁波元芯光电子科技有限公司

提出一种新型的单片集成大范围可调谐半导体激光器——多通道干涉（Multi-Channel Interference,MCI）激光器。器件基于热-光效应和8臂干涉增强调节反射峰与纵模，以类分布式布拉格反射（Distributed Bragg Reflector,DBR）方式实现波... 详细信息

提出一种新型的单片集成大范围可调谐半导体激光器——多通道干涉（Multi-Channel Interference,MCI）激光器。器件基于热-光效应和8臂干涉增强调节反射峰与纵模，以类分布式布拉格反射（Distributed Bragg Reflector,DBR）方式实现波长调谐。无需光栅结构而简化工艺并增大容差。采用偏置量子阱技术进行有源无源集成，降低二次外延难度。MCI激光器波长调谐范围大于48 nm，边模抑制比（Side-Mode Suppression Ratio,SMSR）大于46 dB，洛伦兹线宽小于150 kHz，总热调谐功耗低于50 mW。将MCI激光器芯片，热电制冷器（ThermoelectricCooler, TEC）和波长锁定器进行光发射组件（TransmitterOptical Subassembly,TOSA）封装，并进一步实现了集成调谐激光组件（Nano-Integrable Tunable Laser Assembly,Nano-ITLA）。组件尺寸仅为25.0 mm×15.6 mm×6.5 mm，光纤耦合输出功率大于16.5 dBm，输出覆盖C++波段的120个频偏小于±0.5 GHz的ITU-T信道。在波长锁定与功率均衡控制下，波长抖动小于±1 pm，功率抖动小于±0.1 dB，反偏的半导体光放大（Semiconductor Optical Amplifier,SOA）区消光比大于40 dB。MCI激光器在相干光通信中展示出卓越的应用潜力。

关键词：半导体激光器可调谐激光器微处理器温度控制波长锁定

第三代半导体互连材料与低温烧结纳米铜材的研究进展

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无机材料学报 2024年第1期39卷 17-31页

作者：柯鑫谢炳卿王忠张敬国王建伟李占荣贺会军汪礼敏中国有研科技集团有限公司金属粉体材料产业技术研究院北京101407 北京有色金属研究总院北京100088 有研粉末新材料股份有限公司北京101407 重庆有研重冶新材料有限公司重庆401431

半导体材料是现代科技发展和产业革新的核心,随着高频、高压、高温、高功率等工况的日趋严峻及“双碳”目标的需要,以新型碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料逐步进入工业应用。半导体产业的贯通以及市场规模的快速扩... 详细信息

半导体材料是现代科技发展和产业革新的核心,随着高频、高压、高温、高功率等工况的日趋严峻及“双碳”目标的需要,以新型碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等为代表的第三代半导体材料逐步进入工业应用。半导体产业的贯通以及市场规模的快速扩大,导致摩尔定律正逐渐达到极限,先进封装互连将成为半导体行业关注的焦点。第三代半导体封装互连材料有高温焊料、瞬态液相键合材料、导电胶、低温烧结纳米Ag/Cu等几个发展方向,其中纳米Cu因其优异的导电导热性、低温烧结特性和良好的可加工性成为一种封装互连的新型方案,具有低成本、高可靠性和可扩展性,近年来从材料研究向产业链终端应用贯通的趋势非常明显。本文首先介绍了半导体材料的发展概况并总结了第三代半导体封装互连材料类别;然后结合近期研究成果进一步围绕纳米Cu低温烧结在封装互连等电子领域中的应用进行重点阐述,主要包括纳米铜粉的粒度、形貌、表面处理和烧结工艺对纳米铜烧结体导电性能和剪切性能的影响;最后总结了目前纳米铜在应用转化中面临的困境和亟待解决的难点,并展望了未来的发展方向,以期为低温烧结纳米铜领域的研究提供参考。

关键词：半导体封装互连低温烧结纳米铜综述

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复合材料热压-注塑一体成型技术综述

塑料 2024年第4期53卷 67-72,89页

作者：高利珍贾志欣刘立君李继强荣迪赵川涛马军浙江理工大学机械工程学院浙江杭州310018 浙大宁波理工学院浙江宁波315100 浙江大学浙江杭州310012 宁波天龙电子股份有限公司浙江宁波315336

纤维增强的树脂基复合材料具有比强度较高、比模量较高、质量较轻等特点,在汽车、航天航空、建筑、新能源开发领域中得到广泛应用。在保证零部件使用性能及行驶安全性的前提下,开发汽车轻量化技术,实现整车减重是整个工业领域共同追求... 详细信息

纤维增强的树脂基复合材料具有比强度较高、比模量较高、质量较轻等特点,在汽车、航天航空、建筑、新能源开发领域中得到广泛应用。在保证零部件使用性能及行驶安全性的前提下,开发汽车轻量化技术,实现整车减重是整个工业领域共同追求的目标。结合连续纤维增强的树脂基热压件与注塑件组合成型,提出了一种热压-注塑一体的成型新工艺。综述了纤维增强的热塑性树脂基复合材料热压-注塑一体成型技术的研究进展,简要介绍了一体成型工艺不同于传统两步成型法的优势与应用,详细阐述了热压-注塑一体成型关键技术的研究现状,最后,对热压-注塑一体成型技术的发展前景进行展望。

关键词：复合材料热压成型注塑包覆热压-注塑一体成型界面粘接强度汽车轻量化

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木糖对淀粉体外消化性的影响及作用机理

食品工业科技 2024年第12期45卷 351-357页

作者：王萌陈孟泽柳嘉刘士伟马喜山苑鹏晏永球王俊段盛林中国食品发酵工业研究院有限公司北京100015 功能主食创制与慢病营养干预北京市重点实验室北京100015 宁波御坊堂生物科技有限公司浙江宁波315012

淀粉是日常饮食中的主要碳水化合物来源,淀粉消化的快慢是影响机体餐后血糖水平的重要因素。本文以木糖为研究对象,探究了木糖对玉米淀粉体外消化特性的影响及其作用机理。通过体外模拟消化实验测定了不同添加量的木糖(5%、10%、15%)对... 详细信息

淀粉是日常饮食中的主要碳水化合物来源,淀粉消化的快慢是影响机体餐后血糖水平的重要因素。本文以木糖为研究对象,探究了木糖对玉米淀粉体外消化特性的影响及其作用机理。通过体外模拟消化实验测定了不同添加量的木糖(5%、10%、15%)对淀粉体外消化性的影响,利用酶抑制动力学、分子对接、人体血糖生成指数(GI)测试研究了木糖对α-葡萄糖苷酶和α-淀粉酶的作用机理及其对血糖波动的影响。结果表明,不同添加量的木糖均能抑制玉米淀粉的消化,木糖对α-葡萄糖苷酶和α-淀粉酶的半数抑制浓度(IC50值)分别为205.35和4.75 mg/mL,抑制类型属于混合型抑制。木糖通过氢键与α-葡萄糖苷酶和α-淀粉酶的氨基酸残基相互作用,其结合能分别为-3.05和-5.30 kcal/mol。添加木糖后,植物基肽素乳的GI值由58下降至45,表明木糖能够降低餐后血糖波动。该结果可为木糖在营养健康食品中的研究和应用提供科学的数据支持。

关键词：木糖淀粉消化性 α-淀粉酶 α-葡萄糖苷酶血糖波动

3D NAND闪存中TiN与氧化表面F吸附作用的第一性原理研究

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物理学报 2024年第12期73卷 385-392页

作者：方语萱杨益夏志良霍宗亮中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京101408 长江存储科技有限责任公司武汉430071 长江先进存储产业创新中心有限责任公司武汉430014

随着3D NAND技术的发展,存储阵列工艺的堆叠层数越来越高,后栅工艺中金属钨(W)栅字线(WL)层填充的工艺也面临越来越严峻的挑战.钨栅沉积工艺中的主要挑战在于氟攻击问题,钨栅填充时产生的空洞导致了含氟(F)副产物的积聚,并在后续高温制... 详细信息

随着3D NAND技术的发展,存储阵列工艺的堆叠层数越来越高,后栅工艺中金属钨(W)栅字线(WL)层填充的工艺也面临越来越严峻的挑战.钨栅沉积工艺中的主要挑战在于氟攻击问题,钨栅填充时产生的空洞导致了含氟(F)副产物的积聚,并在后续高温制程的激发下,扩散侵蚀其周边氧化物层,致使字线漏电,严重影响器件的良率及可靠性.为改善氟攻击问题,通常在钨栅沉积之前再沉积一层薄的氮化钛作为阻挡层.然而在对栅极叠层组分分析中发现,F元素聚集在TiN薄膜表面,并且难以通过退火排出.本文采用第一性原理计算,研究了TiN薄膜表面吸附含F物种的情况,提出TiN的表面氧化能加剧对含F物种的吸附作用,仿真结果指导了栅极工艺过程的优化方向.基于第一性原理计算结果,提出氨气吹扫表面处理方法,有效改善了3D NAND中的氟攻击问题,将字线漏电率降低25%,晶圆翘曲度降低43%.

关键词： 3D NAND闪存氟攻击问题第一性原理

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浅析两种常用的直线拟合方法

3D NAND闪存中氟攻击问题引起的字线漏电的改进

科学与信息化 2024年第3期 91-93页

作者：李朋周鹏王石磊宁波润华全芯微电子设备有限公司浙江宁波 315400

本文浅析了2种直线拟合的方法,并对两种方法拟合直线的精度和算法复杂度进行了分析.这2种方法的基本思路都是基于最小二乘法,但是从计算的复杂性方面存在一定的差别,针对2种算法在Matlab平台上进行拟合,并对相应的结果进行了分析,同时... 详细信息

本文浅析了2种直线拟合的方法,并对两种方法拟合直线的精度和算法复杂度进行了分析.这2种方法的基本思路都是基于最小二乘法,但是从计算的复杂性方面存在一定的差别,针对2种算法在Matlab平台上进行拟合,并对相应的结果进行了分析,同时也给出了拟合的部分代码作为参考.

关键词：直线拟合最小二乘法对比分析代码

来源：博看期刊评论

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物理学报 2024年第6期73卷 368-373页

作者：方语萱夏志良杨涛周文犀霍宗亮中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院大学北京101408 长江存储科技有限责任公司武汉430071 长江先进存储产业创新中心有限责任公司武汉430014

随着3D NAND闪存向更高层数堆叠,后栅工艺下,金属钨(W)栅字线(WL)层填充工艺面临的挑战进一步增大.由于填充路径增长,钨栅在沉积过程中易产生空洞,造成含氟(F)副产物的聚集,引起氟攻击问题.具体表现为,在后续高温制程的激发下,含氟副产... 详细信息

随着3D NAND闪存向更高层数堆叠,后栅工艺下,金属钨(W)栅字线(WL)层填充工艺面临的挑战进一步增大.由于填充路径增长,钨栅在沉积过程中易产生空洞,造成含氟(F)副产物的聚集,引起氟攻击问题.具体表现为,在后续高温制程的激发下,含氟副产物向周围结构扩散,侵蚀其周边氧化物层,导致字线漏电,影响器件的良率及可靠性.本文首先分析了在3D NAND闪存中氟攻击的微观原理,并提出了通过低压退火改善氟攻击问题的方法.接下来对平面薄膜叠层与三维填充结构进行常压与低压下的退火实验,并使用多种方法对残留氟元素的浓度与分布进行表征.实验结果表明,适当条件下的低压退火,使得钨栅中的残余氟有效地被排出,可以有效降低字线的漏电指数,提高3D NAND闪存的质量.

关键词： 3D NAND闪存氟攻击问题字线漏电低压退火

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基于模糊PID控制的窖池温度监控设计研究

中文科技期刊数据库（文摘版）工程技术 2024年第8期 0009-0012页

作者：王航军叶健祝科超廖礼勇丁慧宁波东君智能装备有限公司浙江宁波315100 宁波惟正电子材料有限公司浙江宁波315100

从模糊控制理论的角度出发,对利用模糊PID控制设计的窖池温度监控系统进行研究。深入剖析了PID控制原理和模糊控制的基本原理,设计并实现了基于两者的模糊PID控制器,并将其应用于实际的窖池温度监控系统中,通过对比分析实验结果发现,基... 详细信息

从模糊控制理论的角度出发,对利用模糊PID控制设计的窖池温度监控系统进行研究。深入剖析了PID控制原理和模糊控制的基本原理,设计并实现了基于两者的模糊PID控制器,并将其应用于实际的窖池温度监控系统中,通过对比分析实验结果发现,基于模糊PID控制的窖池温度监控系统能够实现对温度的精确控制,比传统PID控制方式具有更好的控制效果。该研究为优化和发展窖池温度监控技术提供了有益的探索与借鉴。

关键词：模糊PID控制窖池温度监控 PID控制模糊控制

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基于余弦函数运动轨迹规划的算法研究