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双面发电高效率N型Si太阳电池及组件的研制

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太阳能学报 2013年第12期34卷 2146-2150页

作者：宋登元熊景峰光伏材料与技术国家重点实验室英利集团有限公司保定071051

研发双面发电前表面硼发射极高效率N型Si太阳电池及组件。使用大面积(156mm×156mm)碱制绒准方形N型单晶硅片,通过硼磷共扩散在电池前表面形成硼P+发射极以及在背面形成磷N+背面场。PECVD沉积技术在前后表面制备SiNx薄膜起钝化和减反射... 详细信息

研发双面发电前表面硼发射极高效率N型Si太阳电池及组件。使用大面积(156mm×156mm)碱制绒准方形N型单晶硅片,通过硼磷共扩散在电池前表面形成硼P+发射极以及在背面形成磷N+背面场。PECVD沉积技术在前后表面制备SiNx薄膜起钝化和减反射作用。双面丝网印刷金属栅线完成电极的制备,形成双面发电电池结构。这种N型Si太阳电池具有效率高、成本低和双面发电的特点,最高效率达到20.08%。利用该高效率N型Si太阳电池制成的光伏组件具有温度系数小、弱光特性好和输出功率初始衰减小的优点。

关键词：光伏 N型Si 太阳电池组件

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准单晶硅铸锭过程中固液相变界面形状的控制

太阳能学报 2015年第7期36卷 1545-1549页

作者：孟庆超张运锋刘磊胡志岩王全志熊景峰光伏材料与技术国家重点实验室英利集团有限公司保定071051

对太阳电池用准单晶硅铸锭过程中的化料、长晶阶段进行数值模拟和实验对比分析,研究不同炉体局部结构下的种晶熔化界面形状和晶体生长界面形状,从传热学的角度揭示优化控制各阶段界面形状的机理。研究结果表明:在准单晶硅铸锭的熔化及... 详细信息

对太阳电池用准单晶硅铸锭过程中的化料、长晶阶段进行数值模拟和实验对比分析,研究不同炉体局部结构下的种晶熔化界面形状和晶体生长界面形状,从传热学的角度揭示优化控制各阶段界面形状的机理。研究结果表明:在准单晶硅铸锭的熔化及长晶阶段,均可通过调整铸锭炉内局部挡板的位置改变热量的传输方向,从而在有效保存种晶的同时提供良好的初始长晶界面形状,减小长晶过程中坩埚壁面附近的界面凹度,抑制此处多晶向铸锭中部生长。

关键词：准单晶硅铸锭定向凝固太阳电池数值模拟固液界面形状

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电沉积制备中络合剂对光伏材料CdS的影响

太阳能学报 2002年第4期23卷 441-444页

作者：张辉马向阳杨德仁硅材料国家重点实验室杭州310027

利用电沉积 (Electrodeposition)方法来制备六方相的CdS薄膜。实验指出从 0 .0 4mol/LNa2 S2 O3 、0 .0 4mol/LCd SO4和 0 .0 4mol/L柠檬酸钠组成的溶液中 ,在pH值为 5 .4 ,温度为 6 0℃的条件下 ,在ITO玻璃上电沉积得到CdS的前驱体。在... 详细信息

利用电沉积 (Electrodeposition)方法来制备六方相的CdS薄膜。实验指出从 0 .0 4mol/LNa2 S2 O3 、0 .0 4mol/LCd SO4和 0 .0 4mol/L柠檬酸钠组成的溶液中 ,在pH值为 5 .4 ,温度为 6 0℃的条件下 ,在ITO玻璃上电沉积得到CdS的前驱体。在 30 0℃氮气氛下中热处理 1h后 ,经X射线衍射 (XRD)分析表明薄膜是呈六方相的CdS ,且几乎沿 (0 0 2 )方向定向生长。扫描电镜 (SEM)表明CdS晶粒为亚微米尺寸。研究表明 ,利用这种方法。

关键词：电沉积络合剂光伏材料 CdS 硫化碲太阳能电池

BeO杂质形态与分布对金属铍力学性能的影响

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中国有色金属学报 2011年第4期21卷 769-776页

作者：许德美秦高梧李峰王东新夏洪先任玉平裴文利东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室沈阳110004 西北稀有金属材料研究院宁夏自治区特种材料重点实验室石嘴山753000

研究热等静压金属铍材中BeO杂质分布状态和颗粒尺寸对金属铍力学性能的影响,并通过设计真空退火试验,进一步调控BeO杂质在铍基体中的分布,得出BeO杂质形态与分布对力学性能的影响规律。结果表明:相比于BeO含量,BeO杂质的分布和形态对金... 详细信息

研究热等静压金属铍材中BeO杂质分布状态和颗粒尺寸对金属铍力学性能的影响,并通过设计真空退火试验,进一步调控BeO杂质在铍基体中的分布,得出BeO杂质形态与分布对力学性能的影响规律。结果表明:相比于BeO含量,BeO杂质的分布和形态对金属铍力学性能的影响更为关键;当BeO粒子弥散分布时,位于晶界上BeO粒子的尺寸及间距是决定金属铍材强度与塑性的关键因素,粗大的BeO粒子(粒径大于300 nm)是导致铍材塑性低的主要原因之一;三叉晶界不致密BeO聚集态相当于在材料内部预制一定尺寸的微裂纹,也是影响铍材伸长率的主要因素。

关键词： BeO Be 三叉晶界应力集中塑性

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后退火增强氢化非晶硅钝化效果的研究

物理学报 2015年第19期64卷 409-416页

作者：陈剑辉杨静沈艳娇李锋陈静伟刘海旭许颖麦耀华河北省光电信息材料重点实验室、河北大学物理科学与技术学院保定071002 光伏材料与技术国家重点实验室、英利集团有限公司保定071051

在本征氢化非晶硅(a-Si:H(i))/晶体硅(c-Si)/a-Si:H(i)异质结构上溅射ITO时,发现后退火可大幅增加ITO/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)的少子寿命(从1.7 ms到4 ms).这一增强效应可能的三个原因是:ITO/aSi:H(i)界面场效应作用、退火形成的表面... 详细信息

在本征氢化非晶硅(a-Si:H(i))/晶体硅(c-Si)/a-Si:H(i)异质结构上溅射ITO时,发现后退火可大幅增加ITO/a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)的少子寿命(从1.7 ms到4 ms).这一增强效应可能的三个原因是:ITO/aSi:H(i)界面场效应作用、退火形成的表面反应层影响以及退火对a-Si:H(i)材料本身的优化,但本文研究结果表明少子寿命增强效应与ITO和表面反应层无关;对不同沉积温度制备的a-Si:H(i)/c-Si/a-Si:H(i)异质结后退火的研究表明:较低的沉积温度(200?C)后退火增强效应不明显,可以确定"低温长高温后退火"是获得高质量钝化效果的一种有效方式;采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究不同沉积温度退火前后a-Si:H(i)材料本身的化学键构造,发现退火后异质结少子寿命大幅提升是由于a-Si:H(i)材料本身的结构优化造成的,其深层次的本质是通过材料的生长温度和退火温度的优化匹配来控制包括H含量、H键合情况以及Si原子无序性程度等微观因素主导作用的一种竞争性平衡,对这一平衡点的最佳控制是少子寿命大幅提升的本质原因.

关键词：非晶硅退火钝化少子寿命

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热屏结构对泡生法蓝宝石单晶炉功率影响研究

人工晶体学报 2017年第4期46卷 589-593页

作者：杨轶涵李进王长春高忙忙康少付宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室银川750021 中国商用飞机有限责任公司北京民用飞机技术研究中心北京102211

蓝宝石晶体因优异的综合性能被广泛用于航空航天等高性能要求领域。泡生法是目前生产大直径蓝宝石单晶的主要方法,热场对生产工艺、产品质量和单晶炉功率具有重要影响;并将影响生产成本。本文对氧化锆及钼金属组合式热屏中氧化锆材料内... 详细信息

蓝宝石晶体因优异的综合性能被广泛用于航空航天等高性能要求领域。泡生法是目前生产大直径蓝宝石单晶的主要方法,热场对生产工艺、产品质量和单晶炉功率具有重要影响;并将影响生产成本。本文对氧化锆及钼金属组合式热屏中氧化锆材料内置、外置及材料不同组合方式对泡生法蓝宝石单晶炉功率的影响进行研究,得到合理的热场结构;并与实际生产结果进行验证。结果表明:相比于传统的15层钼保温结构,加入氧化锆保温层会明显降低单晶炉能耗,其中氧化锆内置的热场结构对单晶炉能耗降低影响更为明显;随着氧化锆层由0增加至15层,单晶炉能耗显著降低,相比传统15层钼保温结构,15层氧化锆保温结构炉体功率降低了38%。

关键词：蓝宝石泡生法热屏氧化锆钼金属

衬底温度对磁控溅射法制备的Ag/AZO绒面背反电极性能的影响

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光子学报 2013年第7期42卷 812-816页

作者：王春雷王超毛艳丽河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室河南开封475004

通过优化薄膜硅基太阳能电池的背反电极,使背反电极表面出现均匀的类金字塔结构,能够增大入射光在结区的有效光程,提高光子的捕获率,进而会提高薄膜硅基太阳能电池的光电转换效率.本文采用磁控溅射技术在载玻片上制得Ag/AZO(ZnO∶Al)导... 详细信息

通过优化薄膜硅基太阳能电池的背反电极,使背反电极表面出现均匀的类金字塔结构,能够增大入射光在结区的有效光程,提高光子的捕获率,进而会提高薄膜硅基太阳能电池的光电转换效率.本文采用磁控溅射技术在载玻片上制得Ag/AZO(ZnO∶Al)导电薄膜.在控制其它溅射参量为最优化的情况下,研究了衬底温度对Ag/AZO导电薄膜光电性能及其表面形貌的影响.研究表明:随着衬底温度的增加,薄膜的雾度在可见光范围内先增大后减小;当衬底温度为500℃时,雾度取得最大值,在可见光范围内平均达到了95%以上;电阻率随着衬底温度的增加逐渐增大,且衬底温度超过500℃时电阻率急剧增大.在综合考虑其光电性能的情况下,实验得到当衬底温度为500℃时,所获得的叠层薄膜表面雾度值最好且电阻率很小,这将有助于改善太阳能电池的性能.

关键词： Ag AZO导电薄膜磁控溅射光电特性雾度

沟道层厚度对室温制备的In_2O_3薄膜晶体管器件性能的影响(英文)

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发光学报 2013年第3期34卷 324-328页

作者：焦洋张新安翟俊霞喻先坤丁玲红张伟风河南大学物理与电子学院河南省光伏材料重点实验室河南开封475004

在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型... 详细信息

在室温下采用直流磁控溅射以SiO2/Si为衬底制备了不同沟道层厚度的底栅式In2O3薄膜晶体管,讨论了沟道层厚度对底栅In2O3薄膜晶体管的电学性能的影响。实验结果表明:器件的特性与沟道层厚度有关,最优沟道层厚度的In2O3薄膜晶体管为增强型,其阈值电压为2.5 V,开关电流比约为106,场效应迁移率为6.2 cm2·V-1·s-1。

关键词： In2O3薄膜薄膜晶体管沟道层厚度电学特性

基于等温状态方程数据计算不同温度的固体热膨胀系数

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宁夏大学学报（自然科学版） 2017年第3期38卷 283-287页

作者：贾寅亮何力军宁夏大学宁夏光伏材料重点实验室宁夏银川750021

假设热膨胀对固体体积弹性模量B的影响与加压过程对体弹性模量的影响相似,即B仅为体积V的函数.利用等温状态方程实测数据获得体弹性模量对体积的变化规律B(V).基于B(V)和Grüneisen定律、Debye模型,并以室温(300K)物性参数为初值逐次推... 详细信息

假设热膨胀对固体体积弹性模量B的影响与加压过程对体弹性模量的影响相似,即B仅为体积V的函数.利用等温状态方程实测数据获得体弹性模量对体积的变化规律B(V).基于B(V)和Grüneisen定律、Debye模型,并以室温(300K)物性参数为初值逐次推算,获得Ag,Al,Au等15种材料在0~1 000K(部分金属到2 000K以上)的范围内各温度点的体积热膨胀系数值.数据对比显示计算值与实测值符合度高,这也表明了所提假设和方法的有效性.

关键词：等温状态方程体积膨胀系数体弹性模量 Grüneisen定律德拜模型