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氢元素对铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能的影响

物理学报 2018年第9期67卷 22-29页

作者：邵龑丁士进复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和... 详细信息

对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和电学可靠性产生影响.对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言,沟道中氢元素浓度越高,其场效应迁移率越高、亚阈值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好.同时,工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善,通常以200—300?C为宜.

关键词：铟镓锌氧化物薄膜晶体管氢元素杂质电学可靠性

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超薄氧化铝层的电场调制效应（英文）

红外与毫米波学报 2018年第6期37卷 693-698页

作者：徐大朋程佩红陈琳张卫复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室上海200433

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻... 详细信息

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制.研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性,通过结构优化,在Al_2O_3/NbAlO/Al_2O_3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性.基于电场调制效应,提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为,并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布.当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al_2O_3膜后,阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升,其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控,因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中.

关键词：电场调制阻变存储器原子层沉积

一种专用可重配置的FPGA嵌入式存储器模块的设计和实现

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电子学报 2012年第2期40卷 215-222页

作者：余慧王健复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

本文设计了一种满足FPGA芯片专用定制需求的嵌入式可重配置存储器模块.一共8块,每块容量为18Kbits的同步双口BRAM,可以配置成16K×1bit、8K×2bits、4K×4bits、2K×9bits、1K×18bits、512×36bits六种不同的位宽工作模式;write-first... 详细信息

本文设计了一种满足FPGA芯片专用定制需求的嵌入式可重配置存储器模块.一共8块,每块容量为18Kbits的同步双口BRAM,可以配置成16K×1bit、8K×2bits、4K×4bits、2K×9bits、1K×18bits、512×36bits六种不同的位宽工作模式;write-first、no-change两种不同的写入模式.多个BRAM还可以通过FPGA中互连电路的级联来实现深度或宽度的扩展.本文重点介绍实现可重配置功能的电路及BRAM嵌入至FPGA中的互连电路.采用SMIC 0.13μm 8层金属CMOS工艺,产生FDP-II芯片的完整版图并成功流片,芯片面积约为4.5mm×4.4mm.运用基于March C+算法的MBIST测试方法,软硬件协同测试,结果表明FDP-II中的BRAM无任何故障,可重配置功能正确,证实了该存储器模块的设计思想.

关键词：嵌入式存储器可重配置 FPGA 互连灵敏放大器

ZrO_2在Si(100)-2×1表面原子层淀积反应机理的密度泛函理论研究

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化学学报 2006年第11期64卷 1133-1139页

作者：任杰陈玮卢红亮徐敏张卫复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室

用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反... 详细信息

用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应.两个半反应都经历一个相似的吸附中间体反应路径.比较单羟基Si表面反应的反应焓变,可以发现双羟基Si表面反应,由于相邻羟基的存在,对ZrCl4的半反应影响较大,尤其是化学吸附能增加明显.而对于H2O的半反应,单、双羟基Si表面反应的能量变化不是很明显.使用内禀反应坐标(IRC)方法,验证了两个半反应存在相似的过渡态结构和反应机理.另外,发现随着温度的升高,吸附络合物的稳定性降低,其向反应物方向的解吸附变得容易,而向产物方向的解离难度增加.

关键词：原子层淀积密度泛函理论高介电常数栅介质氧化锆

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多链扫描可测性设计中扫描链的选取

电子学报 1997年第2期25卷 11-15页

作者：叶波韦和民郑增钰复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

本文提出了多链扫描可测性设计中扫描链的构造方法．根据电路的规模、输人／输出管脚数及测试时间的要求确定扫描链个数，引人临界时间的概念，采用动态编程的方法确定每条链中的扫描触发器．采用该方法，计算速度比传统方法显著提高，... 详细信息

本文提出了多链扫描可测性设计中扫描链的构造方法．根据电路的规模、输人／输出管脚数及测试时间的要求确定扫描链个数，引人临界时间的概念，采用动态编程的方法确定每条链中的扫描触发器．采用该方法，计算速度比传统方法显著提高，同时节省了存储空间．

关键词： VLSI 多链扫描可测性设计扫描链

湿法腐蚀硅片并生长氧化锌纳米棒作为太阳能电池减反层研究

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无机材料学报 2013年第4期28卷 420-424页

作者：王韬屈新萍复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室微电子学系上海200433

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金... 详细信息

在硅基太阳能电池表面制备减反层可以有效降低硅表面的反射率,提高吸收率,从而提高硅基太阳能电池的光电转换效率。本研究利用四甲基氢氧化铵(Tetramethyl Ammonium Hydroxide TMAH)溶液对(100)单晶硅进行各向异性腐蚀,在表面腐蚀出金字塔结构,得到了最低为6%左右的反射率。然后采用水热法在该衬底生长氧化锌纳米棒,得到了最低小于3%的反射率,比单采用腐蚀或者ZnO纳米棒生长的硅表面的反射率更低。这种减反方法工艺简单、高效,有望得到应用。

关键词：减反层四甲基氢氧化铵湿法腐蚀各向异性 ZnO纳米棒

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CMOS电流控制电流转换器及其应用

电子学报 1999年第8期27卷 34-37页

作者：凌燮亭秦巍胡波复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

本文给出了一个基于ＣＭＯＳ工艺电流控制电流转换器（ＣＣＣⅡ）的电路结构，并对它的性能进行了分析．由于结构简单，它适合于高频低功耗运用．文章最后给出了它在可调高频中放及连续时间∑ΔＡＤＣ变换器中的应用和计算机模拟结果．

关键词：电流控制电流转换器 CMOS 模拟集成电路

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适用于主板电压调整器数字控制模块的ADC

固体电子学研究与进展 2007年第2期27卷 230-234,252页

作者：郭健民张科顾培培李文宏复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

设计与实现了一种适用于主板电压调整器(VRM)数字控制模块的模数转换器(ADC)。文中采用Flash比较方式减少A/D转换延时,采用窗口式量化结构减小电路功耗。电路采用HSPICE仿真,Chartered0.35μm CMOS工艺流片实现。测试结果表明:ADC的量... 详细信息

设计与实现了一种适用于主板电压调整器(VRM)数字控制模块的模数转换器(ADC)。文中采用Flash比较方式减少A/D转换延时,采用窗口式量化结构减小电路功耗。电路采用HSPICE仿真,Chartered0.35μm CMOS工艺流片实现。测试结果表明:ADC的量化阶梯为10mV,A/D转换延时为10ns,在采样频率为1MHz时,其功耗为7mW。VRM系统测试表明,该ADC满足VRM数字控制模块的要求。

关键词：窗口式并行比较模数转换器主板电压调整器量化数字控制器

基于SRAM型FPGA单粒子效应的故障传播模型

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电子学报 2017年第8期45卷 1976-1984页

作者：吴珊周学功王伶俐复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203

SRAM型FPGA在辐射环境中易受到单粒子翻转的影响,造成电路功能失效.本文基于图论和元胞自动机模型,提出了一种针对SRAM型FPGA单粒子效应的电路故障传播模型.本文将单粒子翻转分为单位翻转和多位翻转来研究,因为多位翻转模型还涉及到了... 详细信息

SRAM型FPGA在辐射环境中易受到单粒子翻转的影响,造成电路功能失效.本文基于图论和元胞自动机模型,提出了一种针对SRAM型FPGA单粒子效应的电路故障传播模型.本文将单粒子翻转分为单位翻转和多位翻转来研究,因为多位翻转模型还涉及到了冲突处理的问题.本文主要改进了耦合度的计算方式,通过计算FPGA布局布线中的相关配置位,从而使得仿真的电路故障传播模型更接近于实际电路码点翻转的结果,与以往只计算LUT相关配置位的方法比较,平均优化程度为19.89%.最后阐述了本模型在故障防御方面的一些应用,如找出最易导致故障扩散的元胞.

关键词：现场可编程门阵列单粒子翻转单位翻转多位翻转电路故障传播模型