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一种用于IR-UWB的数控环形振荡器设计

微电子学与计算机 2011年第9期28卷 17-21页

作者：邓春龚敏陈昶邬齐荣四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室四川成都610064

设计了一个应用于超宽带脉冲无线电(IR-UWB)通信系统的数控环形振荡器(DCRO).DCRO采用3调谐,包括电压粗调谐和开关变容管精调谐,逐级提高调谐精度.提出了一种新型延时单元,采用多环路结构,提高了环形振荡器的振荡频率,降低了功耗.设计采... 详细信息

设计了一个应用于超宽带脉冲无线电(IR-UWB)通信系统的数控环形振荡器(DCRO).DCRO采用3调谐,包括电压粗调谐和开关变容管精调谐,逐级提高调谐精度.提出了一种新型延时单元,采用多环路结构,提高了环形振荡器的振荡频率,降低了功耗.设计采用CSMC 0.18μm互补金属氧化物半导体工艺,电源电压1.8V,使用SpectreRF仿真验证,数控环形振荡器的调谐范围为3～8.6GHz,调谐精度为2MHz,当工作频率在8.6GHz时,偏离主频10MHz处相位噪声为-112.4dBc/Hz,功耗为20mW.

关键词：数控环形振荡器超宽带脉冲无线电 3级调谐开关变容管多环路结构

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纳米多晶钨膜中He相关缺陷对H滞留的影响

材料研究学报 2014年第5期28卷 333-338页

作者：谢莎邓爱红王康王玲李悦王勇汪渊四川大学物理科学与技术学院成都610064 四川大学原子核科学与技术研究所辐射物理及技术教育部重点实验室成都610064

用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He+和H+依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响。结果表明,注He+钨膜在退火后从β型钨向α型钨转... 详细信息

用磁控溅射方法制备纳米多晶钨膜,采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),弹性反冲探测(ERD)和慢正电子束分析(SPBA)等手段研究了在高能He+和H+依次对其辐照后He相关缺陷对H滞留的影响。结果表明,注He+钨膜在退火后从β型钨向α型钨转变;钨膜中的He含量随着退火温度的提高而减少,在873 K退火加剧钨膜中He原子的释放,且造成钨膜空位型缺陷的增加和结构无序度的提高;钨膜中的H滞留总量随着He滞留总量的减少略有下降。

关键词：金属材料磁控溅射钨膜慢正电子束分析 H He

调强放射治疗中散射截止半径选取对剂量计算结果的影响

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四川大学学报（工程科学版） 2007年第2期39卷 156-159页

作者：陈炳周郑旭海侯氢四川大学物理科学与技术学院四川成都610065 四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室原子核科学技术研究所四川成都610064

在调强放射治疗中,为了保证剂量计算的精确度和避免不必要的时间耗费,采用微分卷积积分方法进行剂量计算时,选择一个合适的散射截止半径是非常重要的。在不考虑散射的情况下,利用模拟动力学最优化方法优化得到射野强度,并用微分卷积积... 详细信息

在调强放射治疗中,为了保证剂量计算的精确度和避免不必要的时间耗费,采用微分卷积积分方法进行剂量计算时,选择一个合适的散射截止半径是非常重要的。在不考虑散射的情况下,利用模拟动力学最优化方法优化得到射野强度,并用微分卷积积分法分别对一个模拟例子和一个临床例子在不同散射截止半径下的剂量分布进行了计算,然后通过对剂量体积直方图的比较发现,散射截止半径的选取不同,对剂量计算结果有着较大的影响,并且在光子的能量为6 MV时,散射截止半径选取为3 cm是比较合理的。

关键词：调强放射治疗微分卷积积分法散射截止半径剂量计算

影响GaN基蓝光LED能带结构与光谱特性关系的仿真研究

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光散射学报 2017年第3期29卷 271-276页

作者：李芸杨治美马瑶龚敏何飞四川大学物理科学与技术学院成都610064 微电子技术四川省重点实验室成都610064

本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫外光发光峰;发光效率在正向电流较小时增长很快,随着正向... 详细信息

本文采用Silvaco TCAD软件对GaN基InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)的光谱特性进行了仿真研究。研究结果表明:光谱会随着注入电压的增加而产生蓝移现象,并出现0.365μm处的紫外光发光峰;发光效率在正向电流较小时增长很快,随着正向电流进一步增加而逐渐趋于饱和;随着量子阱中In组分和量子阱阱层厚度的增加,发光光谱出现红移现象,并且发光效率下降。仿真结果对GaN基InGaN/GaN量子阱结构蓝光LED的设计和优化提供一定的依据。

关键词： GaN基蓝光LED InGaN/GaN量子阱 In组分阱层厚度 Silvaco TCAD

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一种宽电源电压的高精度带隙基准电路的设计

微电子学与计算机 2010年第10期27卷 128-131页

作者：周庆波龚敏邬齐荣四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室四川成都610064

设计了一种宽电源电压的高精度带隙基准电路.在综合考虑精度、电源抑制比(PSRR)、宽电源电压要求和功耗等因素的基础上,采用了一种由基准电压偏置的,增益和电源抑制比大小相近的运算放大器解决方案.设计采用CSMC0.5μm CMOS工艺,电源为*... 详细信息

设计了一种宽电源电压的高精度带隙基准电路.在综合考虑精度、电源抑制比(PSRR)、宽电源电压要求和功耗等因素的基础上,采用了一种由基准电压偏置的,增益和电源抑制比大小相近的运算放大器解决方案.设计采用CSMC0.5μm CMOS工艺,电源为*** Spectre仿真表明,当温度在-40℃~125℃,电源电压在2.56V^8V时,输出基准电压平均值为1.290V,变化0.793mV,有效温度系数为3.72ppm/℃;室温下,在低频时具有-97dB的PSRR,在100kHz时为-69dB,功耗为180μW.

关键词：带隙基准运算放大器宽电源电压电源抑制比(PSRR) 温度系数

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基于FPGA的数字相位展开技术研究

电子器件 2017年第5期40卷 1097-1103页

作者：史瑶钱辉龚敏高博四川大学物理科学与技术学院成都610064 微电子技术四川省重点实验室成都610064

针对相位展开软件算法运算复杂的缺点,通过分析相位展开原理,提出基于FPGA的相位展开技术的硬件实现。采用加/减模块、乘法器以及除法器构成截断相位处理模块,将软件算法查找链表的思路转换成RAM存储器读写操作,利用状态机完成对存储器... 详细信息

针对相位展开软件算法运算复杂的缺点,通过分析相位展开原理,提出基于FPGA的相位展开技术的硬件实现。采用加/减模块、乘法器以及除法器构成截断相位处理模块,将软件算法查找链表的思路转换成RAM存储器读写操作,利用状态机完成对存储器和截断相位处理模块的控制。采用ALTERA系列EP4CE115F29C7芯片,针对256×256和512×512的图像实现设计,最高工作频率分别达到80.22 MHz,80.45 MHz;资源消耗分别为792个和1 436个LE。采用Signal TapⅡLogic Analyzer工具实时验证了相位展开设计模块的正确性。

关键词： FPGA 相位展开可靠度三维成像

反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化

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光散射学报 2017年第4期29卷 376-380页

作者：王靖宇邓春纲马瑶李芸杨治美龚敏四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室成都610064

本文为改善反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化方法,采用LPCVD技术,将甲烷和氢气按1∶10比例混合后与n-Si(111)衬底反应,制备3C-SiC薄膜。通过X射线衍射分析仪、激光拉曼光谱仪和场发射扫描电子显微镜进行测试和分析。在该方法... 详细信息

本文为改善反向外延生长3C-SiC薄膜中残余应力的工艺优化方法,采用LPCVD技术,将甲烷和氢气按1∶10比例混合后与n-Si(111)衬底反应,制备3C-SiC薄膜。通过X射线衍射分析仪、激光拉曼光谱仪和场发射扫描电子显微镜进行测试和分析。在该方法中,反应恒温1200℃为最优温度,反应温度过高或过低都不利于3C-SiC薄膜生长;在反应温度为1200℃时,为增加薄膜厚度而单纯增加反应时长,缺陷浓度也会相应地增加,从而薄膜结晶质量相应降低;但在1250℃反应温度时,增加反应时长不仅会增加薄膜的厚度,而且也会缓减薄膜中残余应力,同时改善薄膜的结晶质量。另外研究结果还表明:1250℃时经过一个恒温的等时退火工艺后,再降温的方式可进一步降低薄膜中本征残余应力,从而改善薄膜的结晶质量和晶格失配。

关键词：立方碳化硅异质外延晶格失配工艺优化残余应力

Nickel/6H-SiC欧姆接触机理研究

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四川大学学报（自然科学版） 2007年第3期44卷 633-637页

作者：吴健袁菁马瑶龚敏四川大学物理科学与技术学院微电子学系成都610064 微电子技术四川省重点实验室成都610064

通过XPS和XRD对500℃和950℃热处理后Nickel/6H-SiC接触层中C,O,Ni和Si元素的价电荷态进行了深入的研究.结果表明,950°热处理后转化为Ni2Si的合金相对实现好的欧姆接触起主要作用.在合金层中残留有大量的C原子,并且以石墨结构的C—C键... 详细信息

通过XPS和XRD对500℃和950℃热处理后Nickel/6H-SiC接触层中C,O,Ni和Si元素的价电荷态进行了深入的研究.结果表明,950°热处理后转化为Ni2Si的合金相对实现好的欧姆接触起主要作用.在合金层中残留有大量的C原子,并且以石墨结构的C—C键结合形式存在.但实验中没有观察到石墨结构的纳米晶或晶体结构的石墨C层存在.

关键词：欧姆接触 Ni2Si 石墨热处理

超薄GaMnAs外延膜空穴浓度和应变弛豫研究

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物理学报 2011年第2期60卷 576-581页

作者：苏平龚敏马瑶高博石瑞英陈昶史同飞曹先存孟祥豪罗代升四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室成都610064 四川大学电子信息学院成都610064 中国科学院固体物理所合肥230031 成都理工大学油气藏地质及开发工程国家重点实验室成都610054

稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs... 详细信息

稀磁GaMnAs外延膜中的Mn含量会影响外延膜的空穴浓度和应变弛豫.Raman散射研究表明,Mn含量为3%的超薄GaMnAs样品的空穴浓度大于2%样品,4%样品的空穴浓度小于3%样品.应变弛豫理论和高分辨X射线衍射研究表明,Mn含量为2%和3%的超薄GaMnAs外延层分别处于准共格或低弛豫状态,Mn含量为4%的GaMnAs外延层的弛豫度明显大于3%样品的弛豫度.我们认为,准共格或低弛豫度状态对空穴浓度随Mn含量的变化趋势几乎没有影响,较大弛豫度的应变状态将导致样品外延层产生较多缺陷,影响能带结构和能级,引起空穴浓度异常减小.

关键词：空穴浓度应变弛豫倒易空间图准共格