检索结果-南通市图书馆

正十八硫醇钝化GaAs(100)表面特性研究

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发光学报 2018年第2期39卷 175-179页

作者：周路初学峰闫兴振杨帆王欢郭亮王超高晓红迟耀丹杨小天吉林建筑大学电气与计算机学院吉林省建筑电气综合节能重点实验室吉林长春130118

为了有效降低GaAs半导体表面态密度,提出了采用正十八硫醇(ODT,CH3[CH2]17SH)进行GaAs表面钝化的方案。首先,分别对GaAs(100)晶片进行了常规硫代乙酰胺(TAM,CH3CSNH2)钝化和正十八硫醇钝化,通过X射线光电子能谱(XPS)对比分析了钝化前后... 详细信息

为了有效降低GaAs半导体表面态密度,提出了采用正十八硫醇(ODT,CH3[CH2]17SH)进行GaAs表面钝化的方案。首先,分别对GaAs(100)晶片进行了常规硫代乙酰胺(TAM,CH3CSNH2)钝化和正十八硫醇钝化,通过X射线光电子能谱(XPS)对比分析了钝化前后晶片表面的化学成分,然后利用光致发光光谱(PL)对正十八硫醇处理的GaAs(100)晶片进行了钝化时间的优化,最后通过扫描电子显微镜(SEM)测试了钝化前后的晶片表面形貌。实验结果表明:采用正十八硫醇钝化的GaAs(100)表面,相比常规硫代乙酰胺钝化方案,具有更低的氧化物含量和更厚的硫化层厚度;室温钝化条件下,钝化时间越长,正十八硫醇的钝化效果越好,但PL强度在钝化超过24 h后基本达到稳定,最高PL强度提高了116%;正十八硫醇钝化的GaAs(100)晶片具有良好的表面形貌,表面形成了均匀、平整的硫化物钝化层。数据表明正十八硫醇是钝化GaAs(100)表面一种非常有效的技术手段。

关键词：钝化砷化镓正十八硫醇

基于USB 3.0的高速CMOS图像传感器数据采集系统

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吉林大学学报（工学版） 2018年第4期48卷 1298-1304页

作者：丁宁常玉春赵健博王超杨小天吉林大学电子科学与工程学院长春130012 吉林建筑大学吉林省建筑电气综合节能重点实验室长春130118

随着高速CMOS图像传感器分辨率和帧率的大幅度提升,无论在数据传输带宽方面还是缓存容量方面都需要图像采集系统能够应对巨大的实时数据量来满足使用要求。基于此,本文提出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)和USB 3.0的高速CMOS图像传... 详细信息

随着高速CMOS图像传感器分辨率和帧率的大幅度提升,无论在数据传输带宽方面还是缓存容量方面都需要图像采集系统能够应对巨大的实时数据量来满足使用要求。基于此,本文提出了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)和USB 3.0的高速CMOS图像传感器的数据采集系统实现方式。本文依次从系统电路硬件设计、FPGA和USB 3.0芯片软件功能设计以及上位机软件设计进行阐述,最后对系统进行整体调试并给出了实验结论。测试结果表明本系统能够最大化利用USB 3.0芯片的传输能力,同时实现图像接收过程的零误码率。因此,该系统可较好地满足目前高速高分辨率CMOS图像传感器对数据采集的数据实时性和准确性要求。

关键词：通信技术 CMOS图像传感器高速数据采集现场可编程门阵列 USB 3.0 LabVIEW

钯纳米粒子的形貌可控合成与催化性能（英文）

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无机化学学报 2017年第10期33卷 1835-1842页

作者：茹婷婷初学峰石莹岩郑文琦郭研杨小天蒋锴吉林建筑大学基础科学部长春130118 吉林建筑大学吉林省建筑电气综合节能重点实验室长春130118 长春中医药大学附属医院长春130021

借助于一种全新的表面活性剂N,N-dimethyloctadecylammonium bromide acetate sodium(OTAB-Na),成功实现了对小尺寸钯纳米粒子微结构的控制。通过对合成条件的微扰,高度均匀且分散性良好的枝化结构和凹面体结构的钯纳米粒子被成功地制... 详细信息

借助于一种全新的表面活性剂N,N-dimethyloctadecylammonium bromide acetate sodium(OTAB-Na),成功实现了对小尺寸钯纳米粒子微结构的控制。通过对合成条件的微扰,高度均匀且分散性良好的枝化结构和凹面体结构的钯纳米粒子被成功地制备。催化测试(利用氨硼烷作为氢化试剂来还原4-硝基苯酚为4-胺基苯酚)发现,钯纳米粒子的催化活性与其微观纳米结构相关,其中枝化结构的钯纳米粒子表现出了更为突出的催化性能。

关键词：钯贵金属纳米粒子凹面体枝化结构

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物方远心双指指纹采集光学系统设计

激光与光电子学进展 2016年第10期53卷 214-219页

作者：周路迟耀丹郭亮吉林建筑大学电气与计算机学院吉林长春130118 吉林建筑大学吉林省建筑电气综合节能重点实验室吉林长春130118

传统的光学式单指指纹采集仪存在采集窗口尺寸小、提取特征点有限以及指纹原始图像梯形畸变严重的问题,直接影响指纹识别的精度。为了获得高分辨率、高识别精度的指纹采集系统,从提高采集窗口尺寸以及校正梯形畸变的角度出发,设计了一... 详细信息

传统的光学式单指指纹采集仪存在采集窗口尺寸小、提取特征点有限以及指纹原始图像梯形畸变严重的问题,直接影响指纹识别的精度。为了获得高分辨率、高识别精度的指纹采集系统,从提高采集窗口尺寸以及校正梯形畸变的角度出发,设计了一种基于双指的物方远心指纹采集光学系统。利用Zemax光学设计软件,建立了物方远心光学系统模型,通过合理调整优化函数,平衡各种像差,获得了高成像质量,有效采集窗口尺寸达40.64 mm×38.10 mm,图像中心视场和边缘视场的调制传递函数值在对应特征频率167 lp/mm处均大于0.4,光学畸变率低于1%,系统分辨率为500 dpi。

关键词：光学设计指纹采集仪物方远心梯形畸变双指

柔性H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅介质ZnO薄膜晶体管

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液晶与显示 2022年第10期37卷 1310-1316页

作者：胡伟涛杨帆杨小天王超王艳杰孙名扬吉林建筑大学电气与计算机学院吉林省建筑电气综合节能重点实验室吉林长春130118 吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室吉林长春130118 吉林师范大学吉林四平136099

为了有效提高柔性薄膜晶体管的电学性能,室温条件下,在聚酰亚胺(PI)衬底上使用H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)两种高介电常数材料相结合的叠层结构代替单层Ta_(2)O_(5)作为栅电介质,探究其对器件电学性能的影响。采用磁控溅射法制备薄膜,研究... 详细信息

为了有效提高柔性薄膜晶体管的电学性能,室温条件下,在聚酰亚胺(PI)衬底上使用H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)两种高介电常数材料相结合的叠层结构代替单层Ta_(2)O_(5)作为栅电介质,探究其对器件电学性能的影响。采用磁控溅射法制备薄膜,研究了叠层栅电介质结构中Ta_(2)O_(5)层在不同溅射时长、不同氧氩比条件下对于器件电学性能的影响,并进行H_(f)O_(2)/Ta_(2)O_(5)叠层栅电介质器件与Ta_(2)O_(5)单层栅电介质器件的比较。结果表明,Ta_(2)O_(5)栅电介质层在溅射时长为1 h、氧氩比为10∶90时,器件电学性能达到最佳。叠层栅电介质结构的引入显著提高了器件电学性能,电流开关比为1.27×10^(6),阈值电压为9.1 V,亚阈值摆幅为0.54 V/decade,载流子迁移率为7.03 cm^(2)/(V·s)。

关键词： PI 叠层栅电介质磁控溅射法溅射时长氧氩比

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氧氩比对Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管电学性能的影响

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液晶与显示 2021年第12期36卷 1623-1629页

作者：王超刘芙男杨帆张含悦杨小天吉林建筑大学电气与计算机学院吉林省建筑电气综合节能重点实验室吉林长春130118 吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室吉林长春130118 吉林师范大学吉林四平136099

为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO_(2)作为栅介质。相比传统的SiO_(2)薄膜,Ta_(2)O_(5)薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适... 详细信息

为了有效提高薄膜晶体管的电学性能,采用了高介电常数的材料代替传统的SiO_(2)作为栅介质。相比传统的SiO_(2)薄膜,Ta_(2)O_(5)薄膜具有较大的介电常数,又能够与传统的半导体制备工艺很好地兼容,有很大潜力成为新一代的栅介质材料,更适用于新一代薄膜晶体管的发展。采用磁控溅射方法制备了Ta_(2)O_(5)薄膜,并以Ta_(2)O_(5)作为栅介质制备了AZO-TFT。研究了氧氩比条件对Ta_(2)O_(5)薄膜性质的影响,以及对AZO-TFT电学性能的影响;分析了Ta_(2)O_(5)薄膜的表面形貌及粗糙度对薄膜晶体管性能的影响;最后,对比了SiO_(2)栅介质与Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管的电学性能。实验结果表明氧氩比为10∶90时Ta_(2)O_(5)栅介质TFT器件电学性能最优,与传统SiO_(2)栅介质TFT相比,电流开关比由1.02×10^(3)提升到2×10^(4),亚阈值摆幅从5 V·dec^(-1)降到1.5 V·dec^(-1),迁移率从1.6 cm^(2)/(V·s)增加到12.2 cm^(2)/(V·s),器件电学性能得到一定改善。

关键词： Ta_(2)O_(5)栅介质薄膜晶体管磁控溅射氧氩比

原位水热法制备NiO纳米电极材料及性能研究

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分子科学学报 2016年第6期32卷 492-496页

作者：吕卅孙培远王超杨小天吉林建筑大学吉林省建筑电气综合节能重点实验室吉林长春130118

采用原位水热法与高温煅烧相结合,通过镍盐和碱的合成体系直接制备NiO工作电极.利用XRD和SEM对电极结构进行了表征,测试了电化学性能,并对比了3种碱,包括尿素、氨水和氢氧化钠对产物形貌和电化学性能的影响.结果表明以尿素为碱制得的Ni... 详细信息

采用原位水热法与高温煅烧相结合,通过镍盐和碱的合成体系直接制备NiO工作电极.利用XRD和SEM对电极结构进行了表征,测试了电化学性能,并对比了3种碱,包括尿素、氨水和氢氧化钠对产物形貌和电化学性能的影响.结果表明以尿素为碱制得的NiO电极以2mol/L的KOH为电解液在0.25A/g的放电电流密度下,获得最大比容量为200F/g.

关键词：水热法 NiO 电极材料超级电容器

溅射功率对钨掺杂ZnO薄膜晶体管性能的影响

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液晶与显示 2022年第11期37卷 1439-1445页

作者：李慧杨小天王艳杰王超杨帆聂晓渊吉林建筑大学电气与计算机学院吉林省建筑电气综合节能重点实验室吉林长春130118 吉林建筑大学寒地建筑综合节能教育部重点实验室吉林长春130118 吉林师范大学吉林四平136099

为有效提高薄膜晶体管的电学和光学性能,本文采用射频磁控溅射法在P型硅衬底上沉积钨掺杂氧化锌薄膜(WZO),并制备成薄膜晶体管(TFT)器件,研究钨(W)的溅射功率对WZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响,并对WZO薄膜进行表征。实验结果表明,W... 详细信息

为有效提高薄膜晶体管的电学和光学性能,本文采用射频磁控溅射法在P型硅衬底上沉积钨掺杂氧化锌薄膜(WZO),并制备成薄膜晶体管(TFT)器件,研究钨(W)的溅射功率对WZO薄膜晶体管电学和光学性能的影响,并对WZO薄膜进行表征。实验结果表明,W的溅射功率会影响薄膜的结晶质量。随着W溅射功率的增加,薄膜结晶质量逐渐变好。达到某个值后继续增加W的溅射功率,薄膜结晶质量并没有很大的改善。本文中研究的WZO薄膜均在(002)晶面择优生长,且当W的溅射功率为2 W时,WZO薄膜晶体管综合性能最好,开关比达到5.24×10^(5),阈值电压为16.89 V,在400~1 400 nm波段平均透过率达到90%。

关键词：薄膜晶体管氧化锌钨薄膜钨的溅射功率

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P型SnO TFTs制备及其电学性能研究

真空科学与技术学报 2022年第9期42卷 713-718页

作者：龙玉洪杨帆王超王艳杰迟耀丹杨小天邓洋吉林建筑大学电气与计算机学院长春130118 吉林省建筑电气综合节能重点实验室长春130118 吉林省师范大学四平136000

采用直流磁控溅射结合光刻工艺,在室温下制备了p型SnO薄膜及薄膜晶体管器件。研究了直流磁控制备过程中的关键工艺问题。研究发现预溅射5 min、氧气比例为13%、生长压强为0.96 Pa、200℃退火1.5 h可制备高开关比的p型SnO薄膜晶体管。器... 详细信息

采用直流磁控溅射结合光刻工艺,在室温下制备了p型SnO薄膜及薄膜晶体管器件。研究了直流磁控制备过程中的关键工艺问题。研究发现预溅射5 min、氧气比例为13%、生长压强为0.96 Pa、200℃退火1.5 h可制备高开关比的p型SnO薄膜晶体管。器件开关比可达到6.2×10~3,亚阈值摆幅为9.96 V·dec。通过延长退火时间至2 h,可以大幅提高线性区迁移率至1.61 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1),且亚阈值摆幅仅增大了0.54 V·dec。通过延长预溅射时间至8 min,可以大幅提高p型SnO薄膜晶体管的载流子迁移率,器件线性区迁移率为5.25 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1),饱和区迁移率为0.43 cm^(2)·V^(-1)·S^(-1)。

关键词：直流磁控溅射氧化亚锡(SnO) 薄膜晶体管开关比