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第三代半导体发展现状及未来展望

科技导报 2024年第8期42卷 29-38页

作者：高爽郑宇亭张志国中电科第三代半导体科技有限公司北京100041

在分析第三代半导体重要战略意义的基础上,讨论了中国在相关领域技术和产业化能力的发展状况,阐述了“大尺寸、降成本”是当前碳化硅及氮化镓技术的发展重心,并探讨了第三代半导体行业企业发展模式以及可能存在的问题及风险。尽管中国... 详细信息

在分析第三代半导体重要战略意义的基础上,讨论了中国在相关领域技术和产业化能力的发展状况,阐述了“大尺寸、降成本”是当前碳化硅及氮化镓技术的发展重心,并探讨了第三代半导体行业企业发展模式以及可能存在的问题及风险。尽管中国已具备良好基础,但仍存在不足,建议在国家政策的指导下,以应用牵引实现发展,加大产线的持续支持力度,系统地丰富产品形态,促进第三代半导体产业高质量发展,把握未来应用新机遇。

关键词：第三代半导体碳化硅氮化镓 5G通讯企业模式

温度冲击下IGBT高铅焊料层的组织演变与裂纹扩展

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华中科技大学学报(自然科学版) 2024年第6期52卷 102-109页

作者：周龙早杨凯吴丰顺丁立国华中科技大学材料科学与工程学院成都士兰半导体制造有限公司

采用三种高铅焊料(Pb90Sn10,Pb92.5Sn5Ag2.5,Pb95.5Sn2Ag2.5)连接绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片与Cu框架，分析了温度冲击下焊料层组织的演变与裂纹的扩展．研究结果发现：焊料界面上的金属间化合物随着温度冲击次数的增加而增加；Ag3Sn... 详细信息

采用三种高铅焊料(Pb90Sn10,Pb92.5Sn5Ag2.5,Pb95.5Sn2Ag2.5)连接绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片与Cu框架，分析了温度冲击下焊料层组织的演变与裂纹的扩展．研究结果发现：焊料界面上的金属间化合物随着温度冲击次数的增加而增加；Ag3Sn向焊料基体的移动产生应力集中，降低了焊料的可靠性；在250次温度冲击后焊料内出现裂纹，裂纹从焊料层与芯片界面的边角萌生，并沿界面向焊料层中心扩展；Pb95.5Sn2Ag2.5的抗裂能力最高，Pb92.5Sn5Ag2.5次之，Pb90Sn10最差；该结果可为绝缘栅双极晶体管器件的疲劳可靠性研究提供支撑．

关键词：绝缘栅双极晶体管器件高铅焊料组织演变裂纹扩展温度冲击

超晶格电子阻挡层周期数对AlGaN基深紫外发光二极管性能的影响

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物理学报 2024年第12期73卷 393-401页

作者：刘举曹一伟吕全江杨天鹏米亭亭王小文刘军林江苏大学材料科学与工程学院镇江212013 圆融光电科技股份有限公司马鞍山243000 马鞍山杰生半导体有限公司马鞍山243000

在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的... 详细信息

在AlGaN基深紫外发光二极管(DUV-LEDs)中设计了具有不同周期数的超晶格电子阻挡层(SL-EBL)结构,研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs发光效率、I-V特性、可靠性及有源区载流子复合机制的影响.研究结果表明,随着SL-EBL的周期数增加,DUV-LEDs的光输出功率(LOP)、外量子效率(EQE)和电光转换效率(WPE)均呈先上升后下降的趋势,同时泄漏电流减小,可靠性提升.当周期数为7时(厚度为28 nm),DUV-LEDs裸芯的EQE和WPE均达到最大值,在7.5 mA注入电流下分别为3.5%和3.2%.能带模拟结果证明了增加SL-EBL周期数可以有效提升电子势垒高度,而几乎不改变空穴势垒高度.然而,当SL-EBL超过一定厚度时,抑制了空穴向有源区的注入,导致EQE和WPE随SL-EBL周期数变化出现拐点.研究了SL-EBL周期数对DUV-LEDs载流子复合机制的影响,发现增加SL-EBL周期数可以有效地降低有源区内载流子非辐射复合.

关键词：深紫外发光二极管电子阻挡层可靠性外量子效率

面向居民家庭智慧用能的随器量测模块设计与应用

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现代电子技术 2024年第13期47卷 180-186页

作者：陈贺娜郝伟琦曹波康守信王丙休王贤辉北京智芯微电子科技有限公司北京102200 北京智芯半导体科技有限公司北京102299

针对低压居民用户用能负荷感知、测量、采集和调控需求,文中研究了面向居民家庭智慧用能的随器量测模块设计与应用技术。首先,分析了居民家庭智慧用能双向互动的业务场景;接着,进行了随器量测模块的硬件和软件设计,通过搭载高精度计量... 详细信息

针对低压居民用户用能负荷感知、测量、采集和调控需求,文中研究了面向居民家庭智慧用能的随器量测模块设计与应用技术。首先,分析了居民家庭智慧用能双向互动的业务场景;接着,进行了随器量测模块的硬件和软件设计,通过搭载高精度计量芯片、HPLC+HRF双模通信芯片和内嵌随器量测软件协议栈,实现了用电设备的嵌入式计量、通信、控制等主要功能。所研制随器量测模块经第三方机构检测,计量精度达到1级,采样频率优于20 kHz,满足用电设备高效双向通信需求。该技术在河北开展了智慧用能示范应用,实现了居民负荷电器级深度感知和精准调节,得到工程实践的验证。

关键词：智慧用能随器量测用电设备负荷调节 HPLC+HRF双模通信芯片深度感知

国有企业应与时俱进全面优化人力资源培训工作

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中国商界 2024年第1期 158-160页

作者：茅天玮北京智芯半导体科技有限公司

国有企业为国家的经济增长作出了巨大的贡献。然而,在市场经济的冲击下,国有企业也面临一系列挑战和问题,包括效率低下、创新能力不足等。为了提升国有企业的竞争力和可持续发展能力,人力资源培训变得非常重要。人力资源培训可以帮助国... 详细信息

国有企业为国家的经济增长作出了巨大的贡献。然而,在市场经济的冲击下,国有企业也面临一系列挑战和问题,包括效率低下、创新能力不足等。为了提升国有企业的竞争力和可持续发展能力,人力资源培训变得非常重要。人力资源培训可以帮助国有企业提升员工的素质和能力,加强组织的核心竞争力,提高企业运营效率和创新能力。因此,需要对国有企业人力资源培训进行深入研究,以提供相应的管理策略和方法。

关键词：人力资源培训国有企业企业运营效率核心竞争力可持续发展能力创新能力企业的竞争力全面优化

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串并联混合动力变速箱挡位对整车性能的影响

同济大学学报（自然科学版） 2024年第1期52卷 115-121页

作者：孙永正韩志玉刘华徐梓峰同济大学汽车学院上海201804 南昌济铃新能源科技有限责任公司江西南昌330000 江铃汽车股份有限公司江西南昌330000

针对串并联混合动力车辆变速箱选型匹配问题,采用试验设计(DOE)方法选取变速箱最优速比并分析挡位对整车性能的影响。建立了整车仿真模型和控制策略并进行了台架验证,分析了该混合动力系统3种变速箱挡位配置对车辆的加速性能、爬坡性能... 详细信息

针对串并联混合动力车辆变速箱选型匹配问题,采用试验设计(DOE)方法选取变速箱最优速比并分析挡位对整车性能的影响。建立了整车仿真模型和控制策略并进行了台架验证,分析了该混合动力系统3种变速箱挡位配置对车辆的加速性能、爬坡性能和整车油耗的影响。仿真结果表明,挡位的增多可以提高整车动力性,降低整车对电池放电功率及电池容量的需求,但是对整车油耗改善较小。进一步仿真结果表明,即使改善发动机低转速中高负荷区域的燃油消耗率,变速箱挡位数对整车油耗的影响也不大。

关键词：串并联混合动力变速箱速比寻优整车控制性能仿真

长玻纤增强聚丙烯流体辅助注塑管件的工艺影响

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复合材料学报 2024年第5期41卷 2436-2444页

作者：王佳敏匡唐清柳和生朱瑶瑶高聪华东交通大学机电与车辆工程学院南昌330013 江西联塑科技实业有限公司南昌330100

采用气体辅助注塑工艺(GAIM)、气体驱动弹头辅助注塑工艺(G-PAIM)、水辅助注塑工艺(WAIM)和水驱动弹头辅助注塑工艺(W-PAIM)这4种工艺方法成型长玻纤增强聚丙烯(LGFR-PP)流体辅助注塑管件,对比研究各工艺方法对管件壁厚、玻纤断裂长度... 详细信息

采用气体辅助注塑工艺(GAIM)、气体驱动弹头辅助注塑工艺(G-PAIM)、水辅助注塑工艺(WAIM)和水驱动弹头辅助注塑工艺(W-PAIM)这4种工艺方法成型长玻纤增强聚丙烯(LGFR-PP)流体辅助注塑管件,对比研究各工艺方法对管件壁厚、玻纤断裂长度及玻纤取向的影响。结果表明:W-PAIM工艺管件壁厚最薄且壁厚均匀性最好,GAIM工艺管件壁厚最厚且壁厚均匀性最差;G-PAIM比WAIM管件壁厚均匀性更好,但WAIM管件壁厚更薄;4种工艺方法中玻纤断裂长度呈不均匀分布,平均玻纤断裂长度WAIM>GAIM>WPAIM>G-PAIM,弹头的引入使玻纤断裂作用加剧,玻纤断裂长度更短;G-PAIM、WAIM和W-PAIM工艺中玻纤沿流动方向取向度由近模壁层到中间层再到近流道层呈现逐渐升高的趋势,GAIM玻纤取向杂乱无章;各工艺管件玻纤取向程度W-PAIM>WAIM>G-PAIM>GAIM。

关键词：长玻纤增强聚丙烯流体辅助注塑工艺方法玻纤取向玻纤断裂长度

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硅片近边缘形态的研究进展

稀有金属 2024年第2期48卷 254-261页

作者：摆易寒周旗钢宁永铎王新张果虎有研科技集团有限公司集成电路关键材料国家工程研究中心北京100088 有研半导体硅材料股份公司北京100088 北京有色金属研究总院北京100088 山东省硅单晶半导体材料与技术重点实验室山东德州253000

关于硅片近边缘形态已有的研究主要集中在评价方法、工艺改进以及加工装置上。国际半导体产业协会(SEMI)标准量化评价硅片近边缘形态,约定了有关硅片近边缘卷曲度(ROA)、近边缘曲率、近边缘局部平整度、近边缘不完整区域局部平整度的评... 详细信息

关于硅片近边缘形态已有的研究主要集中在评价方法、工艺改进以及加工装置上。国际半导体产业协会(SEMI)标准量化评价硅片近边缘形态,约定了有关硅片近边缘卷曲度(ROA)、近边缘曲率、近边缘局部平整度、近边缘不完整区域局部平整度的评价方法,可以依据不同的应用场景选择适合的评价方法来判断近边缘形态。对于硅片近边缘形态的测量手段,可以分为近边缘卷曲(ERO)和近边缘微粗糙度两个方面。探究了抛光工艺和抛光前道制程对硅片近边缘形态的影响:抛光工艺会影响硅片近边缘局部平整度和硅片ROA,通过控制抛光压力、抛光时间和转速等工艺参数以及抛光垫和抛光浆料等工艺耗材可以改善硅片近边缘局部平整度;对于300 mm硅片,通过对抛光垫的改良和创新,设计出双层抛光垫以及3层抛光垫,可以缓解硅片近边缘塌陷。对于200 mm硅片,通过匹配腐蚀工艺和双面研磨工艺有益于改进局部平整度。近边缘形态相关专利主要通过改进工艺流程、引入单面磨削、改变硅片形状来改善硅片近边缘形态。

关键词：近边缘卷曲(ERO) 近边缘曲率近边缘局部平整度键合

金锡键合在薄膜体声波滤波器晶圆级封装中的研究

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压电与声光 2024年第3期46卷 339-342页

作者：金中张基钦吕峻豪阮文彪刘娅甑静怡孙明宝孙彦红中电科芯片技术(集团)有限公司重庆400060 厦门云天半导体科技有限公司福建厦门361026

薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性... 详细信息

薄膜体声波滤波器(FBAR)作为一种无源、体积小和耐功率高的器件,被广泛应用于射频信号处理中。晶圆级气密封装作为小型化封装的代表,在各种高可靠性应用场景中占据重要地位。金-金键合和金-锡键合被广泛应用于薄膜体声波滤波器的气密性晶圆级封装中,但金-锡键合在工艺上更易实现。该文针对金-锡键合在气密性晶圆级封装中的应用进行了研究,在保证键合强度的情况下制作了3 GHz滤波器样品,其性能测试一致性良好,可靠性达到要求。

关键词：薄膜体声波滤波器晶圆级封装金锡键合