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CdS量子点与金电极之间的光生电子交换

物理化学学报 2011年第12期27卷 2814-2820页

作者：岳钊张维王程刘国华牛文成南开大学电子系天津300071

对光照下CdS量子点与金电极之间的光生电子交换过程进行了系统研究.首先,对基于电子隧穿的多个光生电子转移过程进行了理论分析,并进行了数学模型推导.其次,利用推导的数学模型在不同参数的条件下进行了仿真研究.最后,测量了CdS量子点... 详细信息

对光照下CdS量子点与金电极之间的光生电子交换过程进行了系统研究.首先,对基于电子隧穿的多个光生电子转移过程进行了理论分析,并进行了数学模型推导.其次,利用推导的数学模型在不同参数的条件下进行了仿真研究.最后,测量了CdS量子点修饰的金电极在不同偏置电压、不同光强和不同氧化物及还原物浓度的条件下产生的光电流,并将实验、理论及仿真结果三者相结合进行了分析讨论.实验结果与仿真结果都证明了理论模型的正确性.

关键词：量子点电子隧穿光生电子交换光电流光电化学

基于单端口群时延优化的高温超导滤波器和四工器设计

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电子学报 2013年第11期41卷 2216-2222页

作者：葛德永张旭何明赵新杰胡磊季鲁阎少林南开大学电子系天津300071

本文介绍了以单端口群时延作为目标的空间映射优化法,并用该方法设计了一个8阶滤波器和一个高温超导四工器.该阶滤波器中心频率为3000MHz,带宽为40MHz.而四工器的四个工作频段分别为3640MHz^3740MHz、3780MHz^3820MHz、3880MHz^3930MHz... 详细信息

本文介绍了以单端口群时延作为目标的空间映射优化法,并用该方法设计了一个8阶滤波器和一个高温超导四工器.该阶滤波器中心频率为3000MHz,带宽为40MHz.而四工器的四个工作频段分别为3640MHz^3740MHz、3780MHz^3820MHz、3880MHz^3930MHz、3970MHz^4030MHz.仿真结果表明用此方法设计得到的滤波器和四工器在通带内回波损耗均可达到-22dB以下,纹波系数小于0.1dB,且四工器各通道间隔离度大于40dB.另外,仿真结果和理论计算得到的S参数曲线基本一致.上述结果验证了基于单端口群时延的空间映射法是一种高效准确的微波电路仿真设计方法.

关键词：单端口群时延空间映射法滤波器四工器

瞬态电荷收集法研究a-Si:H/a-SiN:H界面处的电子积累

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电子学报 1993年第2期21卷 93-96页

作者：阎宝杰石立峰耿新华孙仲林徐温元南开大学电子系天津300071

本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10^(11)/cm^2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加... 详细信息

本文介绍一种研究a-Si:H/a-SiN:H界面层电子积累特性的新方法,所用样品为Cr/a-SiN:H/a-Si:H/(n+)a-Si:H/AI.测试表明,a-Si:H/a-SiN:H界面是一个电子积累层,其电子面密度为3.2×10^(11)/cm^2,并且界面层中的电子面密度随外加电压的增加而线性增加。实验结果与理论分析相一致。

关键词：电子积累场效应晶体管非晶硅

约瑟夫森结参数对Shapiro台阶的影响研究

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电子学报 2009年第5期37卷 957-960页

作者：刘飞连周铁戈王定城李娜赵新杰方兰阎少林南开大学电子系天津300071

采用PSpice电路仿真的方法,研究了结电容C较小的情况下,电阻电容并联约瑟夫森结模型的参数(临界电流Ic和正常态电阻Rn)对Shapiro台阶高度的影响.发现在射频电流较大的情况下减小Rn可以提高台阶的高度,而在射频电流较小的情况下增加Rn可... 详细信息

采用PSpice电路仿真的方法,研究了结电容C较小的情况下,电阻电容并联约瑟夫森结模型的参数(临界电流Ic和正常态电阻Rn)对Shapiro台阶高度的影响.发现在射频电流较大的情况下减小Rn可以提高台阶的高度,而在射频电流较小的情况下增加Rn可以提高台阶的高度.保持Rn不变,取不同Ic绘制的台阶高度-射频电流幅度曲线表明,临界电流越大,曲线所对应的台阶高度也越大.研究结果对利用约瑟夫森结作为电压标准和THz信号检测具有指导意义.

关键词：约瑟夫森结 Shapiro台阶电压标准 THz信号检测

YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体声子谱的动态研究

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红外研究 1989年第2期8卷 97-101页

作者：张贵忠李浩亮李增发张光寅阎杰宋德英杨小明刘宝瑞蔡明儒南开大学物理系南开大学化学系南开大学电子系

测定了YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体在室温至10K的中红外透射光谱,发现超导相YBa_2Cu_3O_(7-δ)相与其它相的中红外透射光谱存在巨大差异,且与超导性能密切相关.从声子选择定则的群论出发。

关键词：超导体钇红外透射光谱钡氧化物

一种双采样6 bit 150MSPS CMOS折叠内插式ADC。

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固体电子学研究与进展 2006年第3期26卷 399-403页

作者：陈浩琼高清运秦世才南开大学微电子系天津300071

CMOS折叠预处理电路的带宽和失调是限制折叠内插式ADC的动态和静态特性的主要原因之一。所设计的ADC采用一种双采样保持电路降低了对折叠器的带宽要求,获得了优良的动态特性;提出一种改进结构的全平衡折叠电路,降低了折叠器本身的失调,... 详细信息

CMOS折叠预处理电路的带宽和失调是限制折叠内插式ADC的动态和静态特性的主要原因之一。所设计的ADC采用一种双采样保持电路降低了对折叠器的带宽要求,获得了优良的动态特性;提出一种改进结构的全平衡折叠电路,降低了折叠器本身的失调,同时改善了ADC的静态和动态特性。仿真结果表明:在输入信号频率74.1MHz、采样频率150M时SNDR为37.2dB;INL、DNL分别为0.5/0.6LSB。芯片采用1stSilicon0.25μmCMOS工艺流片,并用于10/100Base-TPHY芯片中,测试结果表明,该ADC能正常工作,功耗为135mW,芯片有效面积0.4mm2。

关键词：双采样折叠器内插平均模数转换器

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一种高性能CMOS单片中频接收机

固体电子学研究与进展 2005年第3期25卷 305-309页

作者：陈浩琼李学初吴岳南开大学微电子系天津300071

研制了一种CMOS低压低功耗中频接收机芯片,它包含混频器、限幅放大器、解调器以及场强指示、消音控制等模块,可用于短距离的FM/FSK信号的接收和解调.该接收机采用1st silicon 0.25 μm CMOS工艺,芯片的测试结果表明整机接收灵敏度为-103... 详细信息

研制了一种CMOS低压低功耗中频接收机芯片,它包含混频器、限幅放大器、解调器以及场强指示、消音控制等模块,可用于短距离的FM/FSK信号的接收和解调.该接收机采用1st silicon 0.25 μm CMOS工艺,芯片的测试结果表明整机接收灵敏度为-103 dBm,最高输入射频频率可以达到100 MHz,解调器的线性解调范围为±10 kHz,典型鉴频灵敏度为40 mV/kHz,输入FM信号(调频指数3,信号频率1 kHz)时解调信号的SFDR为41.3 dB.芯片的工作电源电压范围为2～4 V,工作电流3 mA,有效面积0.25 mm2.

关键词：互补金属氧化物半导体接收机中频调频/频移键控灵敏度

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CMOS带隙电压基准的误差及其改进

固体电子学研究与进展 2005年第4期25卷 531-535页

作者：陈浩琼高清运秦世才南开大学微电子系天津300071

分析了CMOS带隙基准电压值的误差,给出了定量的数学表达式和相应的改进方法。在此理论指导下,用0.25μmCMOS工艺设计了一个带隙基准源,并制出芯片。基准电压的设计值为1.2V,实测结果表明,在不使用修正技术的情况下,基准电压值的均方差达... 详细信息

分析了CMOS带隙基准电压值的误差,给出了定量的数学表达式和相应的改进方法。在此理论指导下,用0.25μmCMOS工艺设计了一个带隙基准源,并制出芯片。基准电压的设计值为1.2V,实测结果表明,在不使用修正技术的情况下,基准电压值的均方差达3mV,温度系数(从-40°C～100°C)为20ppm/°C,电源抑制比(从2～3.3V)80μV/V,验证了理论分析的正确性。

关键词：互补金属氯化物半导体带隙基准误差源均方差

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约瑟夫森结不同模型的混沌行为仿真

系统仿真学报 2010年第3期22卷 666-669页

作者：周铁戈王定城刘飞连方兰赵新杰阎少林南开大学电子系天津300071

约瑟夫森结的混沌行为具有重要的研究和应用价值,根据其动力学特性,提出了约瑟夫森结混沌行为在通用软件Pspice中的仿真模型,为深入系统研究约瑟夫森结混沌行为提供了新的方法。其中包括射频驱动的RCSJ模型、考虑隧道效应的RCSJ模型和RC... 详细信息

约瑟夫森结的混沌行为具有重要的研究和应用价值,根据其动力学特性,提出了约瑟夫森结混沌行为在通用软件Pspice中的仿真模型,为深入系统研究约瑟夫森结混沌行为提供了新的方法。其中包括射频驱动的RCSJ模型、考虑隧道效应的RCSJ模型和RCLSJ模型。利用模型进行仿真研究得出了三种模型的时域波形、频谱、对初值的敏感依赖关系等混沌特性,不但证实了模型的正确性和实用性,而且得到了考虑隧道效应的RCSJ模型混沌行为的规律。

关键词：约瑟夫森结混沌行为 RCSJ模型 RCLSJ模型