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语言

  • 1,542 篇 中文
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检索条件"机构=南京电子器件研究所GaAs工程中心"
1543 条 记 录,以下是11-20 订阅
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基于肖特基二极管的太赫兹固态接收技术进展
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空间电子技术 2024年 第4期21卷 15-21页
作者: 梁启尧 丁江乔 蒋均 何月 南京信息工程大学电子与信息工程学院 南京210044 中国工程物理研究院微系统与太赫兹研究中心 成都610200 中国工程物理研究电子工程研究所 绵阳621999
随着半导体技术的发展,基于肖特基二极管的太赫兹接收机工作频率已实现1THz以上提升,并在太赫兹雷达、通信和探测领域得到了实际应用。文章首先对肖特基二极管器件的发展进行了梳理;其次介绍了利用肖特基二极管进行太赫兹接收机设计的... 详细信息
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gaas微波单片集成电路中器件的精确建模
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固体电子研究与进展 2001年 第2期21卷 126-132页
作者: 陈雪军 徐世晖 岑元飞 李辉 宋军 陈效建 南京电子器件研究所 210016
论述了精确模型的建立对于微波单片集成电路研制和产品开发的重要意义 ,介绍了工程模型的概念和提取模型的方法 ,给出了在南京电子器件研究所进行的 MMIC有源器件的建模实例及验证结果。
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基于太赫兹单片集成电路的560 GHz次谐波混频器设计
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固体电子研究与进展 2024年 第5期44卷 390-395页
作者: 张宜明 张勇 牛斌 代鲲鹏 张凯 陈堂胜 电子科技大学电子科学与工程学院 成都611731 固态微波器件与电路全国重点实验室 南京210016
基于太赫兹单片集成技术,设计并加工了一款560 GHz次谐波混频器。建立了二极管的三维电磁模型进行全波仿真,并结合二极管SPICE参数模型,获得了包括寄生参数和本征参数的二极管完整模型。基于半分部−半整体设计法对电路进行了仿真优化,... 详细信息
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金刚石基材料及其表面微通道制备技术在高效散热中的应用
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金刚石与磨料磨具工程 2024年 第3期44卷 286-296页
作者: 邓世博 夏永琪 吴明涛 岳晓斌 雷大江 四川省精密超精密加工工程技术研究中心 成都610200 南京航空航天大学机电工程学院 南京210016 中国工程物理研究院材料研究所 四川绵阳621908
随着第三代半导体材料的兴起,电子器件逐渐向着高功率、小型化、集成化方向发展。传统散热技术已难以满足第三代半导体器件高热流的散热要求,由此带来的温度堆积问题成为器件失效的主要原因。金刚石基材料具有优异的散热性能,基于此材... 详细信息
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HBT电压控制振荡器的相位噪声
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固体电子研究与进展 1999年 第3期19卷 260-265页
作者: 廖小平 顾世惠 林金庭 魏同立 东南大学微电子中心 南京210018 南京电子器件研究所 210016
研究了电压控制振荡器(VCO)的相位噪声与构成该振荡器的有源器件的低频噪声的关系,测试了SiBJT、AlGaAs/GaAs HBT和GaInP/GaAs HBT的低频噪声,并分析了各自低频噪声产生的原因,提出了选择Ga... 详细信息
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石墨烯/钼基二硫族化合物范德华异质结光电探测器的研究进展
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新型炭材料(中英文) 2024年 第3期39卷 439-457页
作者: 张鑫华 刘伟迪 龚佑品 刘庆丰 陈志刚 南京工业大学化工学院 材料化学工程国家重点实验室江苏南京211816 School of Chemistry and Physics ARC Research Hub in Zero-emission Power Generation for Carbon Neutralityand Center for Materials ScienceQueensland University of TechnologyBrisbaneQLD 4000Australia 重庆大学物理学院 前沿交叉学科研究院量子材料与器件研究中心重庆400044
石墨烯因其高载流子迁移率和宽光谱吸收范围而广泛应用于光电探测。然而,其低光吸收率导致的高暗电流严重限制了它的光电探测性能。钼基二硫族化合物(MoX_(2),X=S、Se和Te)具有高的吸收系数,能够弥补石墨烯基光电探测器中暗电流较高的劣... 详细信息
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重离子辐照对GaN HEMT器件的影响
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固体电子研究与进展 2020年 第5期40卷 389-393页
作者: 张茗川 于庆奎 奚红杰 林罡 钟世昌 李宇超 南京电子器件研究所 南京210016 中国航天宇航元器件工程中心 北京100029
采用重离子加速器和钽(^(181)Ta)源进行单粒子实验来研究GaN功率器件的单粒子效应,钽离子的线性能量传输(LET)为81.4 MeV·cm^2/mg,试验离子注量率为1×10~5/(cm^2·s),累积注量为1×10~7/cm^2。将这一重离子作用在一款输出功率为40 dBm... 详细信息
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多频点多波束可调的全空间太赫兹编码超表面
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光学学报 2024年 第4期44卷 300-309页
作者: 杨志雄 汪静丽 孙文俊 尹亮 董先超 万洪丹 陈鹤鸣 钟凯 南京邮电大学电子与光学工程学院、柔性电子(未来技术)学院 江苏南京210023 南京邮电大学贝尔英才学院 江苏南京210023 天津大学精密仪器与光电子工程学院 教育部光电信息技术重点实验室天津300072
提出了一种通过改变二氧化钒的相变状态,实现太赫兹波在透射、反射之间灵活切换且多频点多波束可调的全空间太赫兹编码超表面。仿真结果表明:当二氧化钒处于绝缘态时,在频率f_(1)=0.6 THz的左旋圆极化波(LCP)垂直入射下,设计的编码超表... 详细信息
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过渡金属化合物表界面调控对超级电容的增强机制
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化学进展 2024年 第7期36卷 961-974页
作者: 陈星 蒋德敏 谢昆 刘丽君 王堙 王育乔 重庆三峡学院环境与化学工程学院 重庆404100 东南大学化学化工学院纳米光电化学与器件研究中心 南京211189 北京理工大学重庆创新中心 重庆401120
开发效率高、稳定性好的超级电容器对于缓解能源危机和环境污染问题具有重要意义。过渡金属化合物通过法拉第氧化还原反应存储电荷,具有更高的比容量。然而,其面临导电性差、反应动力学缓慢和暴露的电活性位点少等问题,在实践应用中存... 详细信息
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S波段单片低噪声放大器
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东南大学学报(自然科学版) 2004年 第1期34卷 5-9页
作者: 彭龙新 李建平 蒋幼泉 魏同立 东南大学微电子中心 南京210096 南京电子器件研究所 南京210016
S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行... 详细信息
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