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多能互补下的光伏储能系统设计研究

电子产品世界 2025年第1期32卷 43-45,67页

作者：袁高峰北京京能科技有限公司北京100000

在能源转型和可持续发展的背景下,多能互补技术成为提高可再生能源利用率和增强电网灵活性的关键。提出了一种基于多能互补的光伏储能系统设计方案,包括高效能量转换、稳定功率输出、智能充放电管理和实时状态监测等功能。硬件设计涵盖... 详细信息

在能源转型和可持续发展的背景下,多能互补技术成为提高可再生能源利用率和增强电网灵活性的关键。提出了一种基于多能互补的光伏储能系统设计方案,包括高效能量转换、稳定功率输出、智能充放电管理和实时状态监测等功能。硬件设计涵盖了光伏阵列模块、储能电池系统、智能电网并网逆变器和能量管理控制单元。搭建了测试环境并进行了系统测试,验证了系统功能和性能的可靠性。

关键词：多能互补光伏储能系统设计功能分析硬件设计

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基于伪光照和区域特征梯度结合的导电粒子快速检测方法

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中国科学：技术科学 2021年第2期51卷 231-240页

作者：罗晨范霆霄张鑫周怡君贾磊东南大学机械工程学院南京211189 无锡尚实电子科技有限公司无锡214000

在TFT-LCD导电粒子压痕检测过程中,由于检测对象面积小、数量多、分布不均等因素,传统的半导体检测方法漏检、误检较多,无法实现有效检测.为提高TFT-LCD导电粒子压痕的识别率和识别速度,提出一种基于图像梯度的TFT-LCD导电粒子快速检测... 详细信息

在TFT-LCD导电粒子压痕检测过程中,由于检测对象面积小、数量多、分布不均等因素,传统的半导体检测方法漏检、误检较多,无法实现有效检测.为提高TFT-LCD导电粒子压痕的识别率和识别速度,提出一种基于图像梯度的TFT-LCD导电粒子快速检测方法.该方法针对导电粒子的阴阳面特征,提出了统计意义上的伪光照方向判定方法,解决目前光照模型不能适应导电粒子伪光照方向的判断,同时有助于后续梯度统一表述为阳面区域,然后提出了区域特征梯度的概念,有效避免导电粒子的常规梯度信息受噪声干扰严重的问题,并采用结合动态规划的K-means算法对区域特征梯度进行聚类计算,得出梯度阈值,完成对导电粒子压痕的检测与计数,算法识别率约为98.61%,漏检率为1.39%,误检率约为1.85%.此外,为了满足工业检测中对于亿级像素图像处理的实时性需求,采用基于CUDA平台的并行计算方法对算法进行了加速,核心算法部分加速约253倍,整体算法加速约8倍,代码运行时间<2 s,满足工业检测的实时性需求.

关键词：导电粒子图像处理图像梯度并行算法聚类

沟槽形状对硅基沟槽式肖特基二极管电学特性的影响

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物理学报 2014年第12期63卷 304-310页

作者：翟东媛赵毅蔡银飞施毅郑有炓南京大学电子科学与工程学院南京210093 杭州启沛科技有限公司杭州311121

随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky diodes,TMBS)由于其优异的性能而备受青睐.沟槽结构对提高肖... 详细信息

随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟槽式肖特基二极管(trench barrier Schottky diodes,TMBS)由于其优异的性能而备受青睐.沟槽结构对提高肖特基二极管性能起着至关重要的作用,但是关于沟槽形状对二极管电学性能的影响尚未见有深入的研究报道.本文提出了两种新型的沟槽结构——圆角沟槽和阶梯型沟槽.通过模拟研究发现,圆角沟槽与传统的直角沟槽TMBS器件相比,在维持同样的漏电流和正向导通电压的条件下,击穿电压可以提高15.8%.阶梯沟槽与传统直角沟槽TMBS器件相比,可以在击穿电压不减小的情况下,漏电降低35%,正向导通电压仅略有增加.这归结于圆角沟槽和阶梯沟槽对有源区内部电场强度分布的调节.

关键词：肖特基二极管金属-氧化物-半导体结构沟槽式肖特基二极管沟槽形状

零应力温度和模型简化对CCGA器件寿命评估的影响

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机械工程学报 2024年第12期60卷 268-276页

作者：冯明祥蒋庆磊王旭艳中国电子科技集团公司第十四研究所南京210039

在有限元方法评估陶瓷柱栅阵列封装(Ceramic column grid array,CCGA)器件温度循环疲劳寿命的问题上,国内外相关研究对零应力温度取值存在不同意见,也存在较多不同的模型简化方法。针对上述问题,选取一种CCGA封装器件,使用有限元分析方... 详细信息

在有限元方法评估陶瓷柱栅阵列封装(Ceramic column grid array,CCGA)器件温度循环疲劳寿命的问题上,国内外相关研究对零应力温度取值存在不同意见,也存在较多不同的模型简化方法。针对上述问题,选取一种CCGA封装器件,使用有限元分析方法和Darveaux模型计算在不同零应力温度取值和不同的模型简化方法下的温度循环疲劳寿命。结果表明零应力温度取室温和温度循环试验的最高温度疲劳寿命计算差异小于0.1%,零应力温度取焊料凝固温度会轻微低估焊柱的温度循环疲劳寿命。缺省镀层铜箔、缺省部分印制电路板、片状模型和子模型简化方法均能得到相近的疲劳寿命计算结果,其中的片状模型简化方法在减少计算量上表现最突出,片状模型简化方法相比于初始模型可减少模型网格单元数量95%以上,且疲劳寿命计算结果偏差小于10%。

关键词： CCGA封装有限元仿真疲劳寿命零应力温度模型简化

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基于谐振网络控制策略的无线电能传输系统

现代电子技术 2025年第2期 109-114页

作者：潘星星李光平陈宇广东工业大学信息工程学院深圳市磁迹科技有限公司

为了提高无线电能传输系统的工作距离范围和效率，提出一种基于谐振网络控制策略的无线电能传输系统方案。该方案采用谐振电容控制电路和谐振电感控制电路来实现系统谐振频率的自适应匹配，进一步，通过对线圈的结构进行重构，优化线圈... 详细信息

为了提高无线电能传输系统的工作距离范围和效率，提出一种基于谐振网络控制策略的无线电能传输系统方案。该方案采用谐振电容控制电路和谐振电感控制电路来实现系统谐振频率的自适应匹配，进一步，通过对线圈的结构进行重构，优化线圈结构设计，调节不同距离下的互感和耦合系数，提高工作距离范围及功率传输性能。为了验证系统方案的可行性，首先通过磁场仿真和电路仿真进行验证，然后搭建无线电能传输样机进行性能测试。测试结果表明，相比于通用的无线电能传输系统，所提方案工作距离范围增加了50%，全距离范围内效率显著提升。

关键词：无线电能传输谐振网络谐振电容控制谐振电感控制传输效率串联拓扑线圈设计

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银纳米线的侧向生长及其抑制研究

光谱学与光谱分析 2016年第6期36卷 1656-1661页

作者：彭勇宜徐国钧周剑飞代国章王云李宏建中南大学物理与电子学院湖南长沙410083 新鼎盛电子科技有限公司湖南城步422500

采用多元醇法,在不同温度,不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。而且表示银纳米线侧向生长的紫... 详细信息

采用多元醇法,在不同温度,不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。而且表示银纳米线侧向生长的紫外吸收光谱峰在银纳米线合成后期发生了明显的红移,由384nm红移至约388nm处,表明银纳米线合成后期直径迅速增长,银纳米线发生了快速的侧向生长。SEM研究表明银纳米线直径在反应前期(15~23min)只增加了20nm,而在反应后期(23~30min)银纳米线直径增加了近150nm,SEM观察结果与UV-Vis分析结论一致。同时还发现银纳米线直径不仅与晶种大小有关而且与银线外覆盖的银层厚度有关,银源以吸附在银线侧面的小银颗粒为附着点沿其侧面多点沉积导致了银纳米线的侧向生长;降低反应液温度(165℃降至155℃),降低PVP滴加速度(67mL·h^(-1)减小到49mL·h^(-1))以及减少银纳米线合成后期PVP加入量可抑制银纳米线的侧向生长,显著提高银纳米线长径比,银纳米线直径由200nm减小至100nm左右,长度仍保持在100μm以上。

关键词：多元醇法银纳米线侧向生长抑制

间接雷电效应测试用快速衰减振荡波发生器研制

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高电压技术 2017年第5期43卷 1425-1431页

作者：陈鹏陶智苏州大学苏州215000 苏州泰思特电子科技有限公司苏州215000

为了满足DO-160G测试标准关于间接雷电效应测试的技术要求,开发了1种基于串联谐振电路的快速衰减振荡(FDO)波发生器。首先,调研了现有基于并联谐振电路原理的快速衰减振荡波发生器研究现状;其次,提出了基于串联谐振电路、3级电容器储能... 详细信息

为了满足DO-160G测试标准关于间接雷电效应测试的技术要求,开发了1种基于串联谐振电路的快速衰减振荡(FDO)波发生器。首先,调研了现有基于并联谐振电路原理的快速衰减振荡波发生器研究现状;其次,提出了基于串联谐振电路、3级电容器储能、场效应管和肖特基二极管混合器件等新型设计思路;然后,完成了高频高压电子开关设计;最后,完成了快速衰减振荡波发生器研制与试验。试验结果表明所研制衰减振荡波发生器输出电压波形的谐振频率约为10 MHz且第1峰值大于第2峰值,完全满足DO-160G测试标准的技术要求。与国外同类产品相比,所研制产品的优点是输出电压波形除第1半波外无畸变、电压利用效率为100%,而且对高压电源充电速度无快速性要求。

关键词：间接雷电效应测试快速衰减振荡波发生器 FDO 串联谐振电路 3级电容器储能高频高压电子开关高压电源

基于联合域滤波的无人机载SAR图像块效应抑制方法

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系统工程与电子技术 2023年第9期45卷 2768-2776页

作者：王中宝尹奎英中国电子科技集团公司第十四研究所江苏南京210039

针对无人机载合成孔径雷达(synthetic aperture radar,SAR)成像系统因采用基于块的离散余弦变换压缩方法所产生的块效应问题,提出一种基于联合域滤波的块效应抑制方法。首先,从无人机载SAR成像系统工作原理出发,介绍无人机载SAR图像的... 详细信息

针对无人机载合成孔径雷达(synthetic aperture radar,SAR)成像系统因采用基于块的离散余弦变换压缩方法所产生的块效应问题,提出一种基于联合域滤波的块效应抑制方法。首先,从无人机载SAR成像系统工作原理出发,介绍无人机载SAR图像的压缩处理流程,分析产生块效应的机理。然后,在地面端对SAR图像解压过程的变换域和像素域中分别加入块效应滤波处理手段,其中变换域采用的是“十字型”转移块滤波方法,像素域采用的是双边滤波方法。最后,通过联合域滤波方法达到抑制无人机载SAR图像块效应的目的。实验结果表明,在同等压缩系数条件下,本文方法相比于其他滤波方法可以获得更好的峰值信噪比结果,降低无人机载SAR图像因图像压缩造成的失真影响,具有很强的块效应抑制能力。

关键词：无人机合成孔径雷达图像块效应离散余弦变换

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4H-SiC半导体同质外延生长技术进展

人工晶体学报 2020年第11期49卷 2128-2138页

作者：冯淦孙永强钱卫宁陈志霞瀚天天成电子科技(厦门)有限公司

4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高。本文首先介绍了4H-SiC半导体同质外延生长的必要性,结合SiC多晶型的结构特点,介绍了4H-SiC外延生长过... 详细信息

4H-SiC(碳化硅)半导体是制作高温、高频、大功率电力电子器件的理想电子材料,近20年来材料生长技术水平不断提升,材料品质逐步提高。本文首先介绍了4H-SiC半导体同质外延生长的必要性,结合SiC多晶型的结构特点,介绍了4H-SiC外延生长过程中的原位掺杂浓度控制、扩展缺陷控制、点缺陷控制及高速生长控制方面的技术进展。同时,介绍了国产4H-SiC外延产业化的现状。

关键词： 4H-SiC 宽禁带半导体外延生长化学气相沉积