检索结果-南通市图书馆

界面工程调控石墨烯/氮化镓紫外光电探测性能研究

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激光与光电子学进展 2023年

作者：高芳亮陈坤刘青王幸福杨纪锐徐明俊贺宇浩石宇豪许腾文阳志超李述体华南师范大学半导体科学与技术学院东莞南方半导体科技有限公司

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。本论文报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN (3D)范德华异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,... 详细信息

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。本论文报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN (3D)范德华异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而光生电子向GaN一侧迁移。在高的电场驱动下,载流子将发生碰撞,造成光电流倍增,使得器件的光吸收效率与光电转化效率有明显提升。因此,器件在-2 V偏压条件和5μW/cm2紫外光照射下,展示出高的R (395.2A/W)和大的D*(4.425×1015Jones)值。本论文的研究丰富了界面工程技术在Gr基紫外光电探测器的应用,为制备高性能紫外探测器提供了可能。

关键词：氮化镓 2D/3D 金属有机化学气相沉积紫外探测器

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基于点转移矫正的视觉惯性里程计

中国惯性技术学报 2024年第2期32卷 146-152页

作者：张梦龙张凯杰刘昌林周琦李京波华南师范大学半导体科学与技术学院广州528225

针对卷帘相机的卷帘效应会引起图像扭曲,进而影响系统定位精度的问题,提出了一种融合IMU信息的点转移矫正的视觉惯性里程计。首先,针对卷帘图像扭曲问题,利用三焦点张量的点转移方法修正卷帘图像,相当于输入系统的是全局图像。其次,为... 详细信息

针对卷帘相机的卷帘效应会引起图像扭曲,进而影响系统定位精度的问题,提出了一种融合IMU信息的点转移矫正的视觉惯性里程计。首先,针对卷帘图像扭曲问题,利用三焦点张量的点转移方法修正卷帘图像,相当于输入系统的是全局图像。其次,为了保证算法在嵌入式硬件上实时运行,采用扩展卡尔曼滤波进行信息融合来提高系统的定位精度和降低计算资源的要求。然后,引入静态检测和异常检测来保证系统的鲁棒性。最后,所提算法在手机上以25 Hz左右的帧率实时运行,并在真实环境下进行实验。公开数据集上的实验结果表明:与RS-VINS-Mono算法相比,所提算法的定位精度提升了27%,验证了该算法可有效融合视觉和惯性信息来减小卷帘效应带来的定位误差,提高了系统的鲁棒性。

关键词：同步定位与地图构建视觉惯性里程计卷帘相机扩展卡尔曼滤波器

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氮化铝镓基深紫外发光二极管的研究进展

激光与光电子学进展 2023年

作者：李煜黄涌李渊江浩广东技术师范大学广东工业实训中心广东技术师范大学自动化学院广东技术师范大学电子与信息学院华南师范大学半导体科学与技术学院

氮化铝镓（AlGaN）基深紫外发光二极管（LED）因其环保、尺寸小、寿命长、发光波长可调等优点，在空气和水的净化、生化检测、杀菌消毒、非视距通信等领域具有巨大的发展潜力以及应用市场。经过近二十多年的研究发展，AlGaN基深紫外LED... 详细信息

氮化铝镓（AlGaN）基深紫外发光二极管（LED）因其环保、尺寸小、寿命长、发光波长可调等优点，在空气和水的净化、生化检测、杀菌消毒、非视距通信等领域具有巨大的发展潜力以及应用市场。经过近二十多年的研究发展，AlGaN基深紫外LED的外量子效率（EQE）已得到了很大的提高。然而，目前的AlGaN基深紫外LED与已全面商业化的氮化物蓝光LED相比，其EQE仍旧处于较低水平。本综述首先介绍了AlGaN基深紫外LED的发展现状，并分析了导致EQE低的原因；然后再分别从载流子注入效率、载流子辐射复合效率和光提取效率（LEE）三个方面阐述了近年来AlGaN基深紫外LED在提高EQE方向上的研究进展；最后探讨了AlGaN基深紫外LED目前面临的挑战及其未来的发展机遇。

关键词：氮化铝镓基深紫外发光二极管外量子效率注入效率辐射复合效率光提取效率

4H-SiC MOSFET栅氧界面性能提升工艺

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科学通报 2023年第14期68卷 1777-1786页

作者：吴望龙王小周李京波华南师范大学工学部半导体科学与技术学院佛山528225 广东省芯片与集成技术重点实验室广州510631 浙江大学光电科学与工程学院杭州310027

MOSFET器件是现代微电子学的关键核心器件之一,其应用范围从高度集成的CMOS芯片到高功率器件.目前,SiC MOSFET存在沟道迁移率较低、阈值电压漂移、栅氧介质在高温下的长期可靠性不足、体二极管正向导通状态下产生双极型漂移等问题.值得... 详细信息

MOSFET器件是现代微电子学的关键核心器件之一,其应用范围从高度集成的CMOS芯片到高功率器件.目前,SiC MOSFET存在沟道迁移率较低、阈值电压漂移、栅氧介质在高温下的长期可靠性不足、体二极管正向导通状态下产生双极型漂移等问题.值得注意的是,其中众多问题都与栅氧界面缺陷有关.由于SiC/SiO_(2)界面缺陷的存在,SiC MOSFET器件的沟道迁移率被严重限制,栅氧化层的可靠性和阈值电压的稳定性也受到较大影响,导致其栅氧界面性能较差.为了改善这些问题,本文从退火、高k介质层的使用、栅氧化物掺杂、沟槽型MOSFET沟槽深宽优化四个方面,综述了提升4H-SiC MOSFET栅氧界面性能的制备工艺,从多个角度介绍了多种可行的方案,以期进一步综合提升4H-SiC MOSFET栅氧界面性能,使其更好地应用于电力电子系统.

关键词： 4H-SiC MOSFET 栅氧界面场效应载流子迁移率界面缺陷

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忆阻器类脑神经突触的研究进展

华南师范大学学报（自然科学版） 2022年第6期54卷 1-15页

作者：陈心满钟智坚岳志秀朱俊高芳亮史艳丽章勇华南师范大学半导体科学与技术学院佛山528225 中山火炬职业技术学院中山528436 华南农业大学图书馆广州510642

大脑之所以能够控制人和动物的复杂生命活动,使生物体在多变的自然环境得以生存,得益于大规模神经网络中高效、快速、精准的信息传递。神经突触作为神经元之间信息传递的重要机构,保证了神经网络的高效运转,因此构建具有神经突触功能的... 详细信息

大脑之所以能够控制人和动物的复杂生命活动,使生物体在多变的自然环境得以生存,得益于大规模神经网络中高效、快速、精准的信息传递。神经突触作为神经元之间信息传递的重要机构,保证了神经网络的高效运转,因此构建具有神经突触功能的电子突触是研究仿生系统和类脑神经网络的必经之路。研究人员尝试各种电子元件对神经突触进行模拟,其中忆阻器由于其独特的器件结构和具有“记忆特性”的电学性能,成为构建类脑神经突触的最佳选择。文章全面概述近年来忆阻器模拟神经突触的研究进展,包括忆阻器模拟神经突触的可塑性、再可塑性、非联想学习、联想学习等功能,总结了忆阻器神经突触在人工神经网络中的应用、存在的问题和挑战,并对忆阻器神经突触的研究进行展望。

关键词：忆阻器神经突触可塑性神经网络

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基于拓扑/二维量子材料的自旋电子器件

物理学报 2024年第1期73卷 69-81页

作者：江龙兴李庆超张旭李京峰张静陈祖信曾敏吴昊华南师范大学半导体科学与技术学院广州510631 松山湖材料实验室东莞523808 北京航空航天大学材料科学与工程学院北京100191

拓扑材料和二维材料等新型量子材料,为自旋电子器件的研究与发展提供了新契机.这些量子材料不但有助于提高电荷-自旋转换效率及提供高质量异质结界面,从而改善器件表现,更由于它们丰富的相互作用和耦合关系,能提供新奇物理现象和新的物... 详细信息

拓扑材料和二维材料等新型量子材料,为自旋电子器件的研究与发展提供了新契机.这些量子材料不但有助于提高电荷-自旋转换效率及提供高质量异质结界面,从而改善器件表现,更由于它们丰富的相互作用和耦合关系,能提供新奇物理现象和新的物性调控机制,在自旋电子器件方面具有潜在的应用价值.拓扑材料和二维材料,尤其是层状拓扑材料、二维磁性材料以及它们组成的异质结的相关研究,取得了丰硕的成果,兼顾了启发性与及时的实用性.本文将综述这些新型量子材料的近期研究成果:首先重点介绍拓扑材料在自旋轨道力矩器件中实现的突破;其次着重总结二维磁性材料的特性及其在自旋电子器件中的应用;最后将进一步讨论由拓扑材料/二维磁性材料组成的全范德瓦耳斯异质结的研究进展.

关键词：自旋电子器件拓扑材料二维材料全范德瓦耳斯异质结

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基于拓扑/二维量子材料的自旋电子器件研究

物理学报 2023年

作者：江龙兴李庆超张旭李京峰张静陈祖信曾敏吴昊华南师范大学半导体科学与技术学院松山湖材料实验室北京航空航天大学材料科学与工程学院

拓扑材料和二维材料等新型量子材料，为自旋电子器件的研究与发展提供了新的契机. 这些量子材料不但有助于提高电荷-自旋转换效率及提供高质量异质结界面，从而改善器件表现，更由于它们丰富的相互作用和耦合关系，能提供新奇物理... 详细信息

拓扑材料和二维材料等新型量子材料，为自旋电子器件的研究与发展提供了新的契机. 这些量子材料不但有助于提高电荷-自旋转换效率及提供高质量异质结界面，从而改善器件表现，更由于它们丰富的相互作用和耦合关系，能提供新奇物理现象和新的物性调控机制，在自旋电子器件方面具有潜在的应用价值. 拓扑材料和二维材料，尤其是层状拓扑材料、二维磁性材料、以及它们组成的异质结的相关研究，取得了丰硕的成果，兼顾了启发性与及时的实用性. 本文将综述这些新型量子材料的近期研究成果，主要分为以下几个方面: 首先重点介绍拓扑材料在自旋轨道力矩器件中实现的突破，其次着重总结二维磁性材料的材料特性及其在自旋电子器件中的应用，最后将进一步讨论由拓扑材料/二维磁性材料组成的全范德华异质结的研究进展.

关键词：自旋电子器件拓扑材料二维材料全范德华异质结

界面工程调控石墨烯/氮化镓紫外光电探测性能研究(特邀)

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激光与光电子学进展 2024年第3期61卷 1-6页

作者：高芳亮陈坤刘青王幸福杨纪锐徐明俊贺宇浩石宇豪许腾文阳志超李述体华南师范大学半导体科学与技术学院广东广州510631 东莞南方半导体科技有限公司广东东莞523781

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而... 详细信息

界面工程是提高光电探测器性能的有效方法之一。报道了基于界面工程调控的石墨烯(Gr,2D)/GaN(3D)范德瓦耳斯异质结紫外光电探测器。GaN吸收光子产生电子空穴对,并在内建电场作用下发生分离。其中,光生空穴利用隧穿效应向Gr一侧迁移,而光生电子向GaN一侧迁移。在较高的电场驱动下,载流子将发生碰撞,造成光电流倍增,使得器件的光吸收效率与光电转化效率有明显提升。因此,器件在-2 V偏压条件和5μW/cm^(2)紫外光照射下,展示出较高的响应度(395.2 A/W)和较大的探测率(4.425×10^(15)Jones)值。该研究丰富了界面工程技术在Gr基紫外光电探测器的应用,为制备高性能紫外探测器提供了可能。

关键词：氮化镓二维/三维金属有机化学气相沉积紫外探测器

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氮化铝镓基深紫外发光二极管的研究进展

激光与光电子学进展 2024年第9期 25-40页

作者：李煜黄涌李渊江浩广东技术师范大学电子与信息学院广东技术师范大学广东工业实训中心华南师范大学半导体科学与技术学院广东技术师范大学自动化学院

目前的氮化铝镓（AlGaN）基深紫外发光二极管（LED）与已全面商业化的氮化物蓝光LED相比，其外量子效率（EQE）仍旧处于较低水平。首先介绍了AlGaN基深紫外LED的发展现状，并分析了导致EQE低的原因。然后再分别从载流子注入效率、载流... 详细信息

目前的氮化铝镓（AlGaN）基深紫外发光二极管（LED）与已全面商业化的氮化物蓝光LED相比，其外量子效率（EQE）仍旧处于较低水平。首先介绍了AlGaN基深紫外LED的发展现状，并分析了导致EQE低的原因。然后再分别从载流子注入效率、载流子辐射复合效率和光提取效率三个方面阐述了近年来AlGaN基深紫外LED在提高EQE方向上的研究进展。最后探讨了AlGaN基深紫外LED目前面临的挑战及其未来的发展机遇。

关键词：氮化铝镓基深紫外发光二极管外量子效率注入效率辐射复合效率光提取效率