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Ti掺杂BiFeO_3陶瓷的结构和铁电性能研究

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无机材料学报 2009年第4期24卷 745-748页

作者：郑朝丹张端明刘心明刘超军余春荣于军华中科技大学物理学院武汉430074 华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

用固相反应法制备了BiFe1-xTixO3(BFTxO)陶瓷样品,研究了不同Ti掺杂量对BFO陶瓷结构、形貌、铁电性能和铁电-顺电相变温度(Tc)的影响.XRD结果表明,当Ti含量x从0增大到0.2,相的结构由菱方钙钛矿逐渐变为斜方结构.Raman光谱的测试和模拟... 详细信息

用固相反应法制备了BiFe1-xTixO3(BFTxO)陶瓷样品,研究了不同Ti掺杂量对BFO陶瓷结构、形貌、铁电性能和铁电-顺电相变温度(Tc)的影响.XRD结果表明,当Ti含量x从0增大到0.2,相的结构由菱方钙钛矿逐渐变为斜方结构.Raman光谱的测试和模拟也证实了掺Ti后晶体结构有向三斜晶系转变的趋势.I-V曲线说明Ti掺杂显著降低了BFO陶瓷的漏电流,当Ti掺杂量为0.05时,漏电流最小,在100V电压下,漏电流密度为7.3×10-6A/***掺杂还增强了BFO陶瓷的铁电性,Ti掺杂量为0.05时的剩余极化强度甚至是纯BFO的两倍.另外,DTA测试显示,Ti掺杂能影响BFO的铁电-顺电相变温度.随着Ti掺杂量的增加,铁电-顺电相变温度逐渐降低.

关键词： BiFe1-xTixO3陶瓷铁电性能漏电流

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微波退火非晶硅薄膜低温晶化研究

压电与声光 2001年第1期23卷 53-55页

作者：饶瑞徐重阳孙国才曾祥斌华中科技大学电子科学与技术系武汉430074 华中科技大学物理系武汉430074

多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (<6 0 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工... 详细信息

多晶硅薄膜晶体管以其独特的优点在液晶显示领域中起着重要的作用。为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器 ,低温制备 (<6 0 0°C)高质量多晶硅薄膜已成为研究热点。文章研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺 :微波退火非晶硅薄膜固相晶化法 ,利用 X射线衍射、拉曼光谱和扫描电镜分析了微波退火工艺对非晶硅薄膜固相晶化的影响。

关键词：微波退火低温晶化非晶硅薄膜多晶硅薄膜

超薄栅介质MOSFET直接隧穿电流自洽解模型

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固体电子学研究与进展 2007年第4期27卷 545-549页

作者：许胜国徐静平季峰陈卫兵李艳萍华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确... 详细信息

采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。一维模拟结果与实验数据十分吻合,表明了模型的准确性和实用性。二维模拟结果表明,低栅压下,沟道边缘隧穿电流远大于沟道中心隧穿电流,沟道各处的隧穿电流均大于一维模拟结果;高栅压下,隧穿电流在沟道的分布趋于一致,且逼近一维模拟结果。

关键词：隧穿电流自洽解金属-氧化物-半导体场效应晶体管超薄栅介质

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通信和信息技术用电子陶瓷材料的研究进展

压电与声光 2004年第3期26卷 209-213页

作者：张道礼赵岚徐建梅周东祥华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

电子陶瓷材料研究受技术和器件应用的驱动。在工业过程控制、保健、消费电子品和环境监测等方面得到广泛应用。该文着重讨论了近年来通信和信息技术领域中电子陶瓷材料的研究情况及发展趋势。

关键词：电子陶瓷材料通信信息技术微电子器件

P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响

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人工晶体学报 2008年第5期37卷 1187-1190页

作者：雷青松徐火希王晓晶季峰徐静平华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理。在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。对p型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究。结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入... 详细信息

采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理。在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。对p型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究。结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的p型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性。其中的成核层,不仅促进微晶相p层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用。

关键词： p型微晶硅界面处理柔性太阳能电池

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弛张振荡器在高精度体温计芯片中的应用

固体电子学研究与进展 2008年第3期28卷 430-434页

作者：邹志革邹雪城简文翔华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

设计了一款基于弛张振荡器的温度测量电路,通过参考/感应振荡器电路,将热敏电阻的阻值变化转变成数字化的频率信号送系统处理。弛张振荡器使用了具有施密特触发器相同功能的RS触发器,降低了芯片对工艺的要求,便于在低电压和宽温度范围... 详细信息

设计了一款基于弛张振荡器的温度测量电路,通过参考/感应振荡器电路,将热敏电阻的阻值变化转变成数字化的频率信号送系统处理。弛张振荡器使用了具有施密特触发器相同功能的RS触发器,降低了芯片对工艺的要求,便于在低电压和宽温度范围正常工作。该温度测量电路被成功地应用于一款便携式电子体温计芯片,芯片采用0.5μm 1.5 V DMSP CMOS工艺,面积为1 250μm×1 260μm,在1.1 V的低电压下测量精度高达0.05°C,工作电流为30μA,待机电流为0.2μA。

关键词：温度测量弛张振荡器 RS触发器施密特触发器体温计

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直流偏场下BST电性能计算机测试系统

仪器仪表学报 2008年第1期29卷 89-93页

作者：孔宁林晓牧马韬曹伯承金学淼姜胜林华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

针对BaxSr1-xTiO3（BST，钛酸锶钡）材料在直流偏场下的电性能的变化，设计出一种直流偏场下BST电性能参数计算机测试系统。该系统测试结果通过串口输入计算机，通过LabVIEW编写的虚拟仪器程序实时处理与显示材料在不同偏压下的介电常数... 详细信息

针对BaxSr1-xTiO3（BST，钛酸锶钡）材料在直流偏场下的电性能的变化，设计出一种直流偏场下BST电性能参数计算机测试系统。该系统测试结果通过串口输入计算机，通过LabVIEW编写的虚拟仪器程序实时处理与显示材料在不同偏压下的介电常数-温度曲线与损耗曲线，从中引申出了一种外加直流偏场下热释电系数的测试方法。利用该系统在25～70℃，200V与400V偏压下，对BST样片进行了测量，得到了相关曲线与数据，其中400V下材料相对介电常数峰值与热释电系数峰值在42．2℃达到6795．51与1．17×10^-7C／cm^2·K，测量结果对于研究BST材料的红外探测性能具有现实意义。

关键词： BST 直流偏场计算机测试系统 LabVIEW