检索结果-南通市图书馆

过渡金属掺杂钛酸纳米管的电子结构和光学性质研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2010年第2期59卷 1314-1320页

作者：乐伶聪马新国唐豪王扬李翔江建军华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用平面波超软赝势方法计算了过渡金属(TM)(Fe,Co或者Ru)掺杂钛酸纳米管的电子结构及光学性质.对TM取代钛酸纳米管层间间隙位H+的几何结构进行优化,发现掺杂对几何结构的影响较大,其中Co或者Ru掺杂的形成能均较低.此外,掺杂的TM与周围... 详细信息

采用平面波超软赝势方法计算了过渡金属(TM)(Fe,Co或者Ru)掺杂钛酸纳米管的电子结构及光学性质.对TM取代钛酸纳米管层间间隙位H+的几何结构进行优化,发现掺杂对几何结构的影响较大,其中Co或者Ru掺杂的形成能均较低.此外,掺杂的TM与周围的O原子成键,有形成固熔体的趋势.掺杂后的能带结构分析表明:Fe,Co或者Ru掺杂导致钛酸纳米管禁带宽度减小并且于禁带中引入了新的能级,这主要归因于b1g(dx2-y2)及a1g(dz2)态的出现;部分杂质能级处于半填充状态,成为空穴的俘获中心,减少电子和空穴的复合;掺杂后,价带顶向低能方向移动,使价带中形成的空穴氧化性更强.最后,掺杂的钛酸盐纳米管的吸收光谱显示,Ru掺杂的钛酸纳米管导致其在可见光范围内有更强的吸收.

关键词：钛酸盐纳米管掺杂光学性质第一性原理

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

小面积RSA加密引擎的硬件实现

应用科学学报 2010年第1期28卷 65-71页

作者：刘政林郭文平霍文捷邹雪城华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

RSA非对称密钥算法因其算法的复杂性,硬件实现开销一直较大.针对该问题,提出采用256位数据宽度处理的方式代替传统的1024位数据宽度处理,通过折叠数据通道,精简电路结构,并使用片内静态随机存储器(SRAM)减小实现面积,实现了应用于资源... 详细信息

RSA非对称密钥算法因其算法的复杂性,硬件实现开销一直较大.针对该问题,提出采用256位数据宽度处理的方式代替传统的1024位数据宽度处理,通过折叠数据通道,精简电路结构,并使用片内静态随机存储器(SRAM)减小实现面积,实现了应用于资源受限环境下的小面积RSA硬件加密引擎.采用华虹NEC0.25μm工艺实现该电路,整个设计规模约为24k等效门,最大工作频率为100MHz,相比于实用芯片西门子SLE66CX160S,本实现的面积缩小了55.63%.

关键词：超大规模集成电路 RSA算法模乘模幂

退火气压对Bi_(3.25)La_(0.75)Ti_3O_(12)铁电薄膜的微观结构和铁电性能的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2009年第2期58卷 1246-1251页

作者：李建军于军李佳杨卫明吴云翼王耘波华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

采用sol-gel法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,研究了在750℃时不同退火气压(pO2:10-4—3atm)对薄膜微观结构和电学性能的影响.XRD和拉曼光谱结果表明在10-4和3atm氧气压下退火的薄膜晶化度明显... 详细信息

采用sol-gel法在Pt/TiO2/SiO2/p-Si(100)衬底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)铁电薄膜,研究了在750℃时不同退火气压(pO2:10-4—3atm)对薄膜微观结构和电学性能的影响.XRD和拉曼光谱结果表明在10-4和3atm氧气压下退火的薄膜晶化度明显降低.同时,XRD结果反映出10-1atm氧气压下退火的薄膜具有a轴择优取向.FSEM截面形貌显示0.1atm氧气压下退火的薄膜由与a轴取向相对应的柱状晶粒构成,1atm氧气压下退火的薄膜为由随机取向相对应的斜杆状晶粒构成.薄膜的微观结构最终影响了其铁电性能.0.1atm氧气压下退火的薄膜具有最大的剩余极化值(Pr=17.8μC/cm2)和最小的矫顽场强(Ec=73.6kV/cm),以及良好的抗疲劳特性.

关键词： Bi3.25La0.75Ti3O12 铁电性能 sol-gel法正交化度

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

一种基于最大偏差的AES功耗分析攻击方法

计算机研究与发展 2009年第3期46卷 370-376页

作者：刘政林韩煜邹雪城陈毅成华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

针对高级加密标准(AES)密码算法的电路实现,提出了一种改进的功耗攻击方法.该方法的基本思想是选取2次不同明文输入下的汉明重量差为改进功耗模型,通过选择明文能够最大可能性地增大功耗偏差,从而恢复出密钥.采用UMC0.25μm1.8v标准CMO... 详细信息

针对高级加密标准(AES)密码算法的电路实现,提出了一种改进的功耗攻击方法.该方法的基本思想是选取2次不同明文输入下的汉明重量差为改进功耗模型,通过选择明文能够最大可能性地增大功耗偏差,从而恢复出密钥.采用UMC0.25μm1.8v标准CMOS工艺库,利用Synopsys公司的EDA工具得到AES电路加密过程的功耗仿真曲线,建立起功耗攻击平台,并在此平台上进行多种功耗攻击方法的分析和比较.实验结果表明,与普通的差分功耗分析(DPA)和相关功耗分析(CPA)攻击方法比较,提出的改进攻击方法能够以适当的功耗测量次数,以及更小的计算复杂度实现DPA攻击.

关键词：高级加密标准(AES) 差分功耗分析(DPA) 相关系数功耗分析(CPA) 电路实现功耗模型功耗泄漏

基于超材料与电阻型频率选择表面的薄型宽频带吸波体的设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2012年第13期61卷 130-136页

作者：程用志聂彦龚荣洲郑栋浩范跃农熊炫王鲜华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

设计了三种类型吸波体,分别为基于正方形金属贴片(square metal patch,SMP)结构超材料吸波体、电阻型频率选择表面(Resistance Frequency Selective Surface,RFSS)吸波体和SMP与RFSS的复合结构吸波体.采用FDTD算法分别对这三种类型吸波... 详细信息

设计了三种类型吸波体,分别为基于正方形金属贴片(square metal patch,SMP)结构超材料吸波体、电阻型频率选择表面(Resistance Frequency Selective Surface,RFSS)吸波体和SMP与RFSS的复合结构吸波体.采用FDTD算法分别对这三种类型吸波体的电磁波吸收特性进行数值模拟分析.模拟得到的结果表明:在整个2—30 GHz频率范围内,SMP吸波体,通过几何参数的设计可以实现多频窄带强吸收;RFSS吸波体,通过方块电阻的设计可以实现高频宽带强吸收,但强吸收的带宽有限;SMP与RFSS的复合结构吸波体,在3—25GHz之间吸收率大于90%以上,且宽频范围内与自由空间具有较好的阻抗匹配特性.

关键词：超材料电阻型频率选择表面宽频带吸收

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于高性能升压转换器的跨导误差放大器

固体电子学研究与进展 2008年第2期28卷 293-298页

作者：余凯邹雪城童乔凌李思臻华中科技大学电子科学与技术系武汉430073

在分析峰值电流模式升压转换器原理的基础上,设计了一种结构新颖,高精度高性能跨导误差放大器。提出了将具有动态电流自补偿功能的基准电压电路复用为误差放大器输入级的新方法,克服了传统外接基准电压时误差放大器易受干扰和基准电路... 详细信息

在分析峰值电流模式升压转换器原理的基础上,设计了一种结构新颖,高精度高性能跨导误差放大器。提出了将具有动态电流自补偿功能的基准电压电路复用为误差放大器输入级的新方法,克服了传统外接基准电压时误差放大器易受干扰和基准电路设计复杂的缺点,提高了误差信号精度和放大器跨导。设计了输出电阻可调电路,简化了补偿网络设计。电路用0.6μmBiCMOS工艺实现,测试表明:3V输入电压,1.2MHz工作频率下,误差放大器开环电压增益57dB,跨导322μS,输入偏置电流小于50nA;升压转换器输出电压15V,输出纹波小于5mV。

关键词：误差放大器基准电压升压转换器运算跨导放大器高精度高性能

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

形变碳纳米管选择通过性的分子动力学研究

物理学报 2012年第9期61卷 354-359页

作者：徐葵王青松谭兵陈明璇缪灵江建军华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

本文采用分子动力学方法,研究了基团修饰后形变碳纳米管的水分子通过性和离子选择性.结果表明,形变碳纳米管的短径与修饰基团的种类、修饰率及修饰位置有关.不同粗细碳纳米管均存在临界短径,小于临界短径的形变碳纳米管具有对氯离子和... 详细信息

本文采用分子动力学方法,研究了基团修饰后形变碳纳米管的水分子通过性和离子选择性.结果表明,形变碳纳米管的短径与修饰基团的种类、修饰率及修饰位置有关.不同粗细碳纳米管均存在临界短径,小于临界短径的形变碳纳米管具有对氯离子和钠离子的选择性,同时水分子通过速率与本征碳纳米管相比未明显变小.分析系统平均力势表明,离子选择性来源于不同短径碳纳米管管口的通过势垒.对于实际制备中较宽孔径分布的碳纳米管,可以通过基团修饰等方法调控其短径,提高其离子选择性.

关键词：碳纳米管基团修饰离子选择性海水淡化

Ba_(1-x)Sr_xTiO_3及Ba_(0.6-x)Pb_xSr_(0.4)TiO_3陶瓷的制备和介温特性研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2010年第9期59卷 6606-6612页

作者：王梦贺建龙杨卫明吴云翼李建军雷强于军华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

用固相反应法制备了Ba1-xSrxTiO3(BST)及Ba0.6-xPbxSr0.4TiO3(BPST)陶瓷,通过XRD,FESEM和拉曼谱分析了Pb掺杂对Ba0.6Sr0.4TiO3样品的晶格、相变及表面形貌的影响.测试了BST及BPST样本系列的介电常数-温度(介温)谱,研究了BST及BPST钙钛矿结构中Sr和Pb成分对居里温度和居里峰值的调节机理,运用修正的Smolenski成分起伏理论和居里外斯定律,对BPST弥散相变进行了数学统计分析,得出弥散指数α为1.29—1.73,相变宽度为13.2—22.3℃,居里常量为1.25×105—2.87×105K数量级.

关键词： BST BPST 弥散相介温特性

两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高电压技术 2010年第12期36卷 3047-3053页

作者：余岳辉李伟邦梁琳尚超华中科技大学电子科学与技术系武汉430074

为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓扑。首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关... 详细信息

为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓扑。首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关延时时间ts;然后按照开通的要求对电容、电感、负载等回路参数进行设计并选择合适的开关;最后,通过Saber仿真和实验验证了设计的合理性,并对结果进行了对比分析。根据实验结果,在主电压10kV下,两种拓扑电路分别成功通过了14μs脉宽下9.0kA的主电流和15μs脉宽下7.5kA的主电流,通过RSD开关的浪涌电流时间平方积分别为545A2·s、426A2·s。实验表明,直接式预充拓扑电路设计和维护相对容易,其主要应用在单次的人工控制环境;变压器预充拓扑电路能实现高低压隔离,其主要应用在重频自动控制环境。

关键词：反向导通双晶复合管半导体开关磁开关直接预充变压器预充高电压