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固体阿秒探测技术

中国科学:物理学力学天文学 2025年第1期 71-88页

作者：刘雅欣崔虎彬彭赛男李亮兰鹏飞陶镇生复旦大学物理学系表面物理国家重点实验室华中科技大学武汉光电国家研究中心物理学院

随着超快飞秒激光技术的不断进步,泵浦-探测技术已成为研究凝聚态材料中电子态动态变化的重要手段.然而,当探索尺度缩小至原子级别,对探测技术的时间分辨率提出了更高要求. 2023年诺贝尔物理学奖的颁发,表彰了在产生阿秒光脉冲以研究电... 详细信息

随着超快飞秒激光技术的不断进步,泵浦-探测技术已成为研究凝聚态材料中电子态动态变化的重要手段.然而,当探索尺度缩小至原子级别,对探测技术的时间分辨率提出了更高要求. 2023年诺贝尔物理学奖的颁发,表彰了在产生阿秒光脉冲以研究电子动力学方面的杰出贡献,标志着阿秒科学的重大突破.固体阿秒探测技术的出现,为实时观测和记录固体中电子的超快运动提供了前所未有的精度,揭示了这些过程背后的物理机制.本文重点介绍了阿秒光电子能谱、固体高次谐波和阿秒瞬态吸收谱这三种主要实验技术,阐述了它们的基本原理、相关应用,并展望了未来的发展趋势和方向.这些研究不仅对于全面揭示光与物质相互作用的深层次信息至关重要,也为开发新一代达到光频的超快光电子器件奠定了坚实基础.

关键词：阿秒脉冲固体高次谐波超快过程

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掺杂金属对甲醇裂解催化剂性能的影响

华中科技大学学报(自然科学版) 2025年第1期 100-106页

作者：卢奕鑫蒋炎坤华中科技大学中欧清洁与可再生能源学院

为提升醇氢发动机中甲醇催化裂解的效果，研究了Cu3Ni1N/Al2O3催化剂（N=Zn,Co,Ce,La和Zr）对甲醇裂解反应催化行为的影响，检验其时间稳定性，并与未掺杂的Cu3Ni1/Al2O3催化剂对比．所有的催化剂均采用X射线衍射（XRD）、H2-程序升温... 详细信息

为提升醇氢发动机中甲醇催化裂解的效果，研究了Cu3Ni1N/Al2O3催化剂（N=Zn,Co,Ce,La和Zr）对甲醇裂解反应催化行为的影响，检验其时间稳定性，并与未掺杂的Cu3Ni1/Al2O3催化剂对比．所有的催化剂均采用X射线衍射（XRD）、H2-程序升温还原技术（H2-TPR）、扫描电子显微镜（BET）、扫描电子显微镜（SEM）与X射线光电子能谱技术（XPS）进行表征．结果表明：第三金属元素的掺杂能够提升甲醇裂解率，降低副产物生成．就各掺杂元素而言，La因其难以负载导致对甲醇裂解效应提升不明显；Zr能够很好地分散在催化剂中促进裂解反应；Co能与Ni产生协同作用，促进Co-Ni合金形成促进甲醇裂解，但其副产物较多，不利于实际生产；Zn能在载体表面均匀附着，形成大量细小晶粒；Ce能活化Cu2+并促进Cu的分散，对甲醇裂解率的提升效果是最好的．Cu3Ni1Ce1/Al2O3催化剂对甲醇裂解效应最佳．

关键词：甲醇裂解负载型催化剂掺杂金属协同作用

Nd^(3+)取代对(PbCa)(FeNb)O_3介质陶瓷微波特性及晶体结构的影响研究

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无机材料学报 2005年第1期20卷 126-132页

作者：胡明哲周东祥姜胜林蔡雪卿黄静华中科技大学电子科学与技术系

研究了A位Nd3+非电荷平衡取代量对[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3晶体结构及微波介电性能的影响.用XRD研究了Nd3+的取代对体系晶胞参数及物相成分的影响.介电性能研究表明,体系介电常数随Nd3+先增加后减小,并且当Nd3+的含量超过... 详细信息

研究了A位Nd3+非电荷平衡取代量对[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3晶体结构及微波介电性能的影响.用XRD研究了Nd3+的取代对体系晶胞参数及物相成分的影响.介电性能研究表明,体系介电常数随Nd3+先增加后减小,并且当Nd3+的含量超过一定值时,体系的品质因数得到改善.用键价理论分析了体系谐振频率温度系数随Nd3+取代量的变化关系.当Nd3+的含量为5mol％时体系微波介电性能达到最佳为:εr=87.9,Qf=5210GHz,τf=7.8ppm／K.研究了[(Pb0.48Ca0.52)1-xNdx](Fe0.5Nb0.5)O3体系中晶体结构与介电性能之间的关系.

关键词：取代微波介电性能物相微波特性陶瓷研究 XRD 晶体结构变化关系电荷平衡

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Au/PZT/BIT/p-Si异质结的制备与性能研究

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物理学报 2001年第5期50卷 981-985页

作者：王华于军董小敏王耘波周文利赵建洪周东祥华中科技大学电子科学与技术系

采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响 ,对Au PZT BIT p Si异质结的导电机制进行了讨论 .氧... 详细信息

采用脉冲激光沉积 (PLD)工艺 ,制备了以Bi4Ti3O1 2 (BIT)为过渡阻挡层的Au PZT BIT p Si异质结 .研究了BIT铁电层对Pb(Zr0 .5 2 Ti0 .48)O3(PZT)薄膜晶相结构、铁电及介电性能的影响 ,对Au PZT BIT p Si异质结的导电机制进行了讨论 .氧气氛 5 30℃淀积的PZT为多晶铁电薄膜 ,与直接淀积在Si基片上相比 ,加入BIT铁电层后PZT铁电薄膜的 (110 )取向更加明显 ;在铁电层总厚度均为 40 0nm的情况下 ,PZT BIT双层铁电薄膜比PZT单层铁电薄膜具有更大的剩余极化和更低的矫顽场 ;观察到顺时针回滞的C V特性曲线 ,表明铁电极化控制了硅的表面势 ,薄膜呈现极化开关的特性 ;I V特性曲线表明异质结具有明显的单向导电性 ,并证实异质结在弱场下导电遵循欧姆定律 ,强场下以空间电荷限制电流 (SCLC)为主 ;异质结具有较好的疲劳特性 ,10 9次极化反转后其剩余极化仍达到初始值的90 % .

关键词：铁电薄膜脉冲激光沉积 Au/PZT/BIT/p-Si异质结 BIT铁电层导电机制

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