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基于硫铟锌纳米花的被动调Q激光

光学学报 2024年第4期44卷 247-253页

作者：朱宜璇仝鲁阳蔡阳健赵丽娜郑立仁山东师范大学物理与电子科学学院光场调控及应用中心山东省光学与光子器件技术重点实验室山东济南250358 华东师范大学与山东师范大学光调控科学与光子集成芯片联合研究中心上海200241

采用溶液法合成了二维硫铟锌纳米花,并测量了其可饱和吸收参数,其中,饱和强度为675 MW/cm^(2),调制深度为7.8%。通过搭建1μm全固态激光器,获得最大输出功率为240 mW、最大重复频率为629.08 kHz、最小脉冲宽度为388 ns、相应的单脉冲能... 详细信息

采用溶液法合成了二维硫铟锌纳米花,并测量了其可饱和吸收参数,其中,饱和强度为675 MW/cm^(2),调制深度为7.8%。通过搭建1μm全固态激光器,获得最大输出功率为240 mW、最大重复频率为629.08 kHz、最小脉冲宽度为388 ns、相应的单脉冲能量为0.38μJ、峰值功率为0.98 W的脉冲激光。结果表明,由于硫空位的存在,硫铟锌纳米花能够吸收能量低于其带宽的光子,在近红外区域,表现出良好的可饱和吸收特性,且在激光器中,能够获得高重复频率和短脉冲宽度的激光输出。因此,基于硫铟锌纳米材料的可饱和吸收体在调Q脉冲激光器中具有广阔的应用前景。

关键词：非线性光学脉冲激光可饱和吸收体二维材料硫空位硫铟锌

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基于DMD的无掩膜光刻图形精准性优化方法

中国激光 2024年

作者：刘华黄龙刘雨晴东北师范大学物理学院先进光电功能材料研究中心紫外发射材料与技术教育部重点实验室国家实验物理教育示范中心

基于数字微镜器件（DMD）的无掩膜光刻技术作为一种新兴技术在光刻领域备受关注，该技术利用DMD实现光刻掩膜的数字化控制，为微纳米加工和快速原型制作提供了一种新的解决方案。然而，在DMD无掩膜光刻技术中存在着一些问题，如投影畸... 详细信息

基于数字微镜器件（DMD）的无掩膜光刻技术作为一种新兴技术在光刻领域备受关注，该技术利用DMD实现光刻掩膜的数字化控制，为微纳米加工和快速原型制作提供了一种新的解决方案。然而，在DMD无掩膜光刻技术中存在着一些问题，如投影畸变、像素化效应和邻近效应等，严重影响了光刻图形的精准性。本文基于实验室多年的工作基础，全面分析了影响光刻图形质量的因素，并系统总结了几种提高光刻图案精准性的方法，包括数字掩膜补偿、像素叠加和飞秒局部修饰技术等。通过这些方法的相互配合，我们将投影畸变由37.7μm降低至1.7μm，像素化效应降低为原来的1/6，邻近效应造成的局部形变尺寸降低为1μm左右，制备出了高精准性的光刻图形。

关键词：投影光刻数字微镜器件光刻质量飞秒激光

基于DMD的无掩模光刻图形精准性优化方法（特邀）

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中国激光 2024年第12期 406-416页

作者：刘华黄龙刘雨晴东北师范大学物理学院先进光电功能材料研究中心紫外发射材料与技术教育部重点实验室国家实验物理教育示范中心

基于数字微镜器件（DMD）的无掩模光刻技术作为一种新兴技术在光刻领域备受关注，该技术利用DMD实现光刻掩模的数字化控制，为微纳米加工和快速原型制作提供了一种全新的解决方案。然而，在DMD无掩模光刻技术中还存在着一些问题，如投... 详细信息

基于数字微镜器件（DMD）的无掩模光刻技术作为一种新兴技术在光刻领域备受关注，该技术利用DMD实现光刻掩模的数字化控制，为微纳米加工和快速原型制作提供了一种全新的解决方案。然而，在DMD无掩模光刻技术中还存在着一些问题，如投影畸变、像素化效应和邻近效应等，这些问题严重影响了光刻图形的精准性。本课题组基于多年的工作基础，全面分析了影响光刻图形质量的因素，并系统总结了几种提高光刻图案精准性的方法，包括数字掩模补偿法、像素叠加优化方法和飞秒局部修饰技术等。基于这些方法的相互配合，本课题组将投影畸变由37.7μm降低至1.7μm，将像素化效应降低为原来的1/6，将邻近效应造成的局部形变尺寸减小为1μm左右，制备出了高精准性的光刻图形。

关键词：投影光刻数字微镜器件光刻质量飞秒激光

基于HEDTA配体修饰的纯红色CsPb（Br/I）3钙钛矿发光二极管

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发光学报 2024年第9期 1399-1409页

作者：瞿牡静张淑兰段嘉欣代恒龙宣曈曈解荣军李会利华东师范大学物理与电子科学学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心华东师范大学重庆研究院精密光学重庆市重点实验室厦门大学材料学院福建省表界面工程与高性能材料重点实验室

近年来，钙钛矿发光二极管（Perovskite light-emitting diodes,PeLEDs）已表现出了超高色纯度、超宽色域、高发光效率等一系列卓越性能，尤其绿光和近红外光PeLEDs的外量子效率（External quantum efficiency,EQE）和亮度迅速提升，但... 详细信息

近年来，钙钛矿发光二极管（Perovskite light-emitting diodes,PeLEDs）已表现出了超高色纯度、超宽色域、高发光效率等一系列卓越性能，尤其绿光和近红外光PeLEDs的外量子效率（External quantum efficiency,EQE）和亮度迅速提升，但荧光峰位于620～640 nm的纯红光PeLEDs器件的性能（效率、亮度、可靠性等）发展则相对缓慢。本文采用热注射和N-羟乙基乙二胺三乙酸（HEDTA）配体后处理相结合的工艺制备了光学性能和稳定性均显著提升的纯红色混合卤素钙钛矿CsPb（Br/I）3纳米晶。HEDTA多齿配体通过与纳米晶表面的Pb2+和I-有效结合，钝化表面Pb2+有关的缺陷，同时抑制了致使卤化物偏析的I-弗伦克尔缺陷的形成。基于配体交换处理后的CsPb（Br/I）3纳米晶为发光层制备的PeLEDs，发射峰位于636 nm的纯红色范围，最大EQE和最大亮度分别为18.62%和1 880 cd/m2。表征器件工作稳定性的T50（器件亮度衰减至初始亮度一半所需的时间）由未修饰器件的11.4 min提升至74.5 min。

关键词：纯红色钙钛矿发光二极管 CsPb(Br/I)3 配体工程缺陷钝化

CsPbBr3@MIL-53纳米复合荧光粉的合成、性能及其白光LEDs应用

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无机材料学报 2024年第9期39卷 1035-1043页

作者：瞿牡静张淑兰朱梦梦丁浩杰段嘉欣代恒龙周国红李会利华东师范大学物理与电子科学学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心华东师范大学重庆研究院精密光学重庆市重点实验室中国科学院上海硅酸盐研究所中国科学院透明光功能无机材料重点实验室

全无机钙钛矿（CsPbX3,X=Cl,Br,I）纳米晶因其卓越的光电性能被广泛应用于光电子器件领域,但稳定性问题仍然是制约其商业化发展的主要因素之一。基于此,本研究以提高CsPbBr3纳米晶的稳定性和固态发光性能为研究目标,选用具有优异疏水性... 详细信息

全无机钙钛矿（CsPbX3,X=Cl,Br,I）纳米晶因其卓越的光电性能被广泛应用于光电子器件领域,但稳定性问题仍然是制约其商业化发展的主要因素之一。基于此,本研究以提高CsPbBr3纳米晶的稳定性和固态发光性能为研究目标,选用具有优异疏水性能的多孔MIL-53（Al）金属有机框架（MOFs）作为封装基质,通过热注射工艺在MIL-53（Al）孔道内原位限域生长CsPbBr3纳米晶,成功制备了优异发光性能和稳定性的CsPbBr3@MIL-53纳米复合荧光粉。MIL-53通过包含的苯环和有机配体与CsPbBr3纳米晶螯合,将其稳固地锚定在孔道内,既保护了CsPbBr3纳米晶免受外界环境的影响,又有效防止了纳米晶之间的聚集,从而避免了固态荧光猝灭。此外,MIL-53中的COO–官能团与CsPbBr3纳米晶表面未配对的Pb2+结合,钝化了其表面的缺陷,抑制了载流子的非辐射复合。MIL-53包含的苯环及有机长链又赋予了纳米复合荧光粉出色的疏水性能。这些因素的协同作用显著提升了CsPbBr3@MIL-53纳米复合荧光粉的光学性能和水稳定性,其荧光量子产率（Photoluminescence Quantum Yield,PLQY）为75.4%,是固态CsPbBr3纳米晶粉体（33.2%）的2.3倍。将CsPbBr3@MIL-53纳米复合荧光粉完全浸泡在水中10 h,其荧光强度仍能维持初始值的75.6%。最后,将绿光发射的CsPbBr3@MIL-53纳米复合荧光粉应用于白光发光二极管（Light Emitting Diodes,LEDs）器件,实现了126%NTSC和85%Rec.2020的宽色域覆盖面积,表明其在显示器件领域具有优异的应用前景。

关键词：全无机钙钛矿金属有机框架 CsPbBr3@MIL-53 稳定性白光LEDs

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复合结构丝中的电流密度分布和巨磁阻抗效应

物理学报 2006年第4期55卷 2014-2020页

作者：刘龙平赵振杰黄灿星吴志明杨燮龙华东师范大学物理系纳米功能材料与器件应用研究中心上海200062

提出了由中间为高电导率的非铁磁性金属丝外面包裹一层铁磁材料组成的复合结构丝的电流密度分布和巨磁阻抗(GMI)效应模型,并对Cu/FeCoNi复合丝进行了数值模拟.结果表明:在相同的磁性材料几何尺寸和磁特性时,Cu/FeCoNi复合丝铁磁层内的... 详细信息

提出了由中间为高电导率的非铁磁性金属丝外面包裹一层铁磁材料组成的复合结构丝的电流密度分布和巨磁阻抗(GMI)效应模型,并对Cu/FeCoNi复合丝进行了数值模拟.结果表明:在相同的磁性材料几何尺寸和磁特性时,Cu/FeCoNi复合丝铁磁层内的电流随频率的升高比匀质FeCoNi铁磁丝内的电流更趋于表面分布,而且开始出现趋肤效应时对应的频率明显降低.当在比较低的频率下就可以观察到明显的MI变化时,复合结构丝中的电阻和电抗变化主要是由趋肤效应引起,趋肤效应仍然是引起复合结构材料(包括多层薄膜结构)产生GMI效应的重要原因.当频率升高到4MHz以上时,驱动电流将主要从Cu/FeCoNi复合结构丝的FeCoNi铁磁层流过,中间的Cu对铁磁层的电磁作用减弱,复合结构丝的MI行为逐渐类似于匀质铁磁丝的MI行为.

关键词：电流密度巨磁阻抗效应趋肤效应复合结构丝

多壁碳纳米管/溴/聚苯乙炔三元共混物导电性能的研究

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化学学报 2009年第19期67卷 2245-2252页

作者：梁旦韩菲菲叶葏吴玲娟徐学诚华东师范大学物理系纳米功能材料与器件研究中心上海200062

通过机械共混和溶液共混制备了多壁碳纳米管(MWNTs)/溴/聚苯乙炔(PPA)三元复合材料,复合材料表现出良好的导电性能,电导率为10S/m,达到掺溴MWNTs的导电水平.通过固体紫外光谱、XPS和SEM分析了复合材料中MWNTs、溴与PPA三者之间的相互作... 详细信息

通过机械共混和溶液共混制备了多壁碳纳米管(MWNTs)/溴/聚苯乙炔(PPA)三元复合材料,复合材料表现出良好的导电性能,电导率为10S/m,达到掺溴MWNTs的导电水平.通过固体紫外光谱、XPS和SEM分析了复合材料中MWNTs、溴与PPA三者之间的相互作用,研究了独立导电单元的形成,以及导电单元对电导率提高所起的作用.结果表明,当MWNTs含量较低时,MWNTs和PPA之间的溴转移导致复合材料电导率降低;MWNTs含量较高时,独立导电单元的数目增多,复合材料的电导率随之大幅提高.

关键词：铌原子簇多壁碳纳米管溴聚苯乙炔溴转移导电单元

聚噻吩/多壁碳纳米管复合材料结构与导电机理的研究

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化学学报 2008年第20期66卷 2279-2284页

作者：王红敏梁旦韩菲菲唐国强徐学诚华东师范大学物理系纳米功能材料与器件研究中心上海200062

从结构和相互作用方面对聚噻吩(PTh)/多壁碳纳米管(MWNTs)复合材料进行了研究,结果表明:一方面聚噻吩本身的结构对其导电性能有一定的影响,另一方面MWNTs作为一种掺杂剂,和聚噻吩之间存在强的相互作用,电子从MWNTs转移到聚噻吩.MWNTs和... 详细信息

从结构和相互作用方面对聚噻吩(PTh)/多壁碳纳米管(MWNTs)复合材料进行了研究,结果表明:一方面聚噻吩本身的结构对其导电性能有一定的影响,另一方面MWNTs作为一种掺杂剂,和聚噻吩之间存在强的相互作用,电子从MWNTs转移到聚噻吩.MWNTs和它周围被掺杂的聚噻吩通过π-π共轭作用形成相对独立的导电单元,在复合材料的导电体系中起到主要作用,随着这种导电单元数量的增加直至相互接触,形成大的导电体系,复合材料的电导率达到最大值.

关键词：聚噻吩碳纳米管导电机理电荷转移掺杂

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溴蒸气掺杂聚苯乙炔的导电机理

化学学报 2009年第7期67卷 581-586页

作者：梁旦韩菲菲王红敏唐国强叶葏吴玲娟徐学诚华东师范大学物理系纳米功能材料与器件研究中心上海200062

通过溴蒸气的吸附,聚苯乙炔(PPA)的电导率比吸溴前提高近12个数量级.采用固体紫外光谱、X光电子能谱研究了溴与PPA之间的p-π共轭效应,探讨了掺溴PPA的导电机理.研究表明,PPA掺溴产生了溴负离子和电子转移复合物,促使导电率提高.实验证... 详细信息

通过溴蒸气的吸附,聚苯乙炔(PPA)的电导率比吸溴前提高近12个数量级.采用固体紫外光谱、X光电子能谱研究了溴与PPA之间的p-π共轭效应,探讨了掺溴PPA的导电机理.研究表明,PPA掺溴产生了溴负离子和电子转移复合物,促使导电率提高.实验证明压力作用的增大有利于增强溴与PPA之间的共轭作用,温度升高导致掺溴PPA中p-π共轭结构减少,导致电导率降低.

关键词：溴聚苯乙炔 p-π共轭导电机理压力温度