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具有MgF_2夹层有机-无机复合电致发光器件的性能

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光电子．激光 2001年第12期12卷 1214-1217页

作者：苏艳梅侯延冰衣立新杨晓辉陈晓红徐征章婷北方交通大学光电子技术研究所

本文把 Mg F2 引入有机电致发光器件的电子传输层和空穴传输层之间 ,制备了有机 -无机复合的电致发光器件。通过发光和电学研究发现 ,Mg F2 层的引入可以明显抑制激基复合物的形成 ,增加短波长光的发射的强度 ;同时 ,它对降低起亮电压。

关键词：电致发光器件有机-无机复合氟化镁

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三棒Nd:YAG激光谐振腔的分析

激光杂志 1999年第4期20卷 50-52页

作者：杨盛谊王振家侯延冰徐征赵辉北方交通大学光电子技术研究所

从稳定性条件出发，通过对基模高斯光束模体积的计算，对比分析了谐振腔内对称间距设置方式与等间距设置方式中三棒Ｎｄ：ＹＡＧ增益介质模体积的大小，得出激光谐振腔中的三棒使用等间距设计能获得更大的输出功率的结论。

关键词： Nd:YAG 激光器模体积谐振腔计算

稀土元素Er、Yb和Y掺杂ZrO_(2)的第一性原理研究

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原子与分子物理学报 2025年第1期42卷 156-162页

作者：熊威任浩重庆交通大学航空学院重庆402247 重庆交通大学绿色航空技术研究院重庆401147

氧化锆具有声子能量低,介电常数高和带隙较宽等优良特性,并且立方相的氧化锆(cZrO_(2))透光率高,适合作为上转换发光材料的基质.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法研究了稀土元素Er、Yb和Y掺杂cZrO_(2)的电子结构和光... 详细信息

氧化锆具有声子能量低,介电常数高和带隙较宽等优良特性,并且立方相的氧化锆(cZrO_(2))透光率高,适合作为上转换发光材料的基质.采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法研究了稀土元素Er、Yb和Y掺杂cZrO_(2)的电子结构和光学性质.计算结果显示,掺入Y元素后,cZrO_(2)转变为直接带隙材料,继续掺入Er和Yb原子后,费米能级移动到价带内,带隙显著减小.Y和Er混掺后,增强了cZrO_(2)在近红外波段的吸收能力.继续掺入Yb后,cZrO_(2)对近红外波段的吸收能力有了进一步地增加.

关键词：氧化锆第一性原理电子结构光学性质

ZnO/MEH-PPV有机-无机复合器件的光电导特性

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光电子．激光 2002年第7期13卷 664-666页

作者：苏艳梅侯延冰徐征陈晓红刘峻峰靳辉北方交通大学光电子技术研究所

我们制做 ITO/ MEH- PPV/ Al及 ITO/ Zn O/ MEH- PPV/ Al类型的器件 ,研究了其光电导特性。发现同样测试条件下 ,有 Zn O的器件光电流大于没有 Zn O的器件 ,且随着 Zn O厚度的增加 ,光电流增加。Zn O在其中的主要作用是促进器件中激子... 详细信息

我们制做 ITO/ MEH- PPV/ Al及 ITO/ Zn O/ MEH- PPV/ Al类型的器件 ,研究了其光电导特性。发现同样测试条件下 ,有 Zn O的器件光电流大于没有 Zn O的器件 ,且随着 Zn O厚度的增加 ,光电流增加。Zn O在其中的主要作用是促进器件中激子的解离 ,并有助于电荷的运动。

关键词：有机-无机复合光电导 ZnO MEH-PPV 光电流

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光纤的光敏特性及光纤光栅紫外写入技术

电子学报 1997年第8期25卷 73-77页

作者：陈根祥李洵杨玲简水生葛璜胡雄伟王圩北方交通大学光波技术研究所国家光电子工艺中心

本文扼要评述了光纤的光敏特性及其微观机理，描述了光纤光栅光学特征，并对迄今发展起来的几种主要光纤光栅紫外写人技术进行了全面的评介．最后简要介绍了光纤光栅在激光和通信等方面的一些重要应用．

关键词：光纤光栅光敏光纤光纤通信

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PVK的光致发光在电场下的猝灭

光电子．激光 2001年第9期12卷 886-888页

作者：靳辉侯延冰樊中朝衣立新苏艳梅北方交通大学光电子技术研究所

对 PVK在电场调制下的光致发光现象进行了研究。发现在高场下光致发光强度会减弱 ,且存在一个阈值 ;在阈值以下发光强度随电压增加缓慢减弱。

关键词：聚乙烯咔唑光致发光高场猝灭电场

质子累积辐照效应对CMOS图像传感器饱和输出的影响

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物理学报 2025年第2期74卷 137-148页

作者：彭治钢白豪杰刘方李洋何欢李培贺朝会李永宏西安交通大学核科学与技术学院西安710049

本文通过辐照实验和TCAD仿真,研究了质子累积辐照导致四晶体管钳位光电二极管(4T PPD)CMOS图像传感器的饱和输出变化机理.实验采用的质子能量为12 MeV和60 MeV,最高质子注量为2×10^(12)cm^(-2).实验结果表明:12 MeV和60 MeV质子最高注... 详细信息

本文通过辐照实验和TCAD仿真,研究了质子累积辐照导致四晶体管钳位光电二极管(4T PPD)CMOS图像传感器的饱和输出变化机理.实验采用的质子能量为12 MeV和60 MeV,最高质子注量为2×10^(12)cm^(-2).实验结果表明:12 MeV和60 MeV质子最高注量辐照后分别导致转换增益增大8.2%和7.3%,满阱容量分别减小7.3%和3.8%.饱和输出在12 MeV质子辐照下变化趋势不显著,在60 MeV质子辐照下增大3%.在TCAD仿真中,建立了单个三维4T PPD像元模型,开展了质子累积辐照效应仿真来分析损伤机理.仿真结果表明像元饱和输出的变化由满阱容量、复位晶体管的物理特性和浮置扩散区的电容决定,但它们具有不同的影响.具体而言,满阱容量的降低导致饱和输出减小,而复位晶体管的辐照效应导致饱和输出增大.辐照导致浮置扩散区的电容减小,从而使转换增益增大,进而饱和输出增大.上述工作较为全面地揭示和分析了辐照后饱和输出的变化机理,研究成果对CMOS图像传感器的辐射损伤分析具有一定的指导意义.

关键词： CMOS图像传感器总剂量效应饱和输出满阱容量转换增益

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ZnS∶Mn^(2+)薄膜电致发光器件中电子散射过程的研究

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功能材料 1999年第3期30卷 307-309页

作者：赵辉王永生徐征王丽辉徐叙瑢北方交通大学光电子技术研究所

研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程，计算了ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中声学声子、极化光学声子、电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系，对各种散射过程进行了比较，发现极化光学声子散射及谷间散射较为重要，杂质散射的重要性... 详细信息

研究了薄膜电致发光器件中的电子散射过程，计算了ＺｎＳ∶Ｍｎ２＋中声学声子、极化光学声子、电离杂质及谷间散射的几率随电子能量的变化关系，对各种散射过程进行了比较，发现极化光学声子散射及谷间散射较为重要，杂质散射的重要性取决于浓度的大小。同时研究了它们在不同能谷中的行为。进而研究了温度对散射过程的影响。

关键词：电子输运电致发光散射薄膜 TFELD

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ZnS:Mn摩擦发光特性的研究

光谱学与光谱分析 2001年第6期21卷 766-768页

作者：梅增霞张希清姚志刚韩建民李家泽北方交通大学光电子技术研究所北京理工大学光电工程系北京100081

本文报道了ZnS :Mn具有良好摩擦发光性能。研究了ZnS :Mn发光中心Mn2 + 及其含量以及样品的灼烧温度、灼烧时间等条件对样品发光特性的影响。优化浓度配比和制备条件制备出了较高摩擦发光效率的ZnS :Mn摩擦发光材料。摩擦发光机理可能... 详细信息

本文报道了ZnS :Mn具有良好摩擦发光性能。研究了ZnS :Mn发光中心Mn2 + 及其含量以及样品的灼烧温度、灼烧时间等条件对样品发光特性的影响。优化浓度配比和制备条件制备出了较高摩擦发光效率的ZnS :Mn摩擦发光材料。摩擦发光机理可能是由于机械能使ZnS :Mn的电子从基态激发到激发态所致 ,而具有较高的摩擦发光效率可能来源于ZnS

关键词：摩擦发光 ZnS Mn 硫化锌锰掺杂摩擦发光材料发光效率