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PVK/BCP体系电致激基复合物的研究

光谱学与光谱分析 2005年第5期25卷 669-671页

作者：滕枫王元敏徐征王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

在PVK/BCP双层电致发光器件中发现了电致激基复合物的发光,器件的光谱中,除了有与光致发光相同的发光峰,在长波方向还有一个新的发光峰,该发光峰就是电致激基复合物的发光,发光来源于BCP的激发态向PVK基态的跃迁。PVK∶BCP混合型器件由... 详细信息

在PVK/BCP双层电致发光器件中发现了电致激基复合物的发光,器件的光谱中,除了有与光致发光相同的发光峰,在长波方向还有一个新的发光峰,该发光峰就是电致激基复合物的发光,发光来源于BCP的激发态向PVK基态的跃迁。PVK∶BCP混合型器件由于复合区域扩展,BCP分子可以与PVK充分接触,因此电致激基复合物的发光更强。不论是在双层器件还是在混合型器件中,随驱动电压的增加,电致激基复合物的发光都会增强,而混合型器件更加明显,当电压比较高时,器件只有电致激基复合物的发光了,而没有本征发光。

关键词：电致激基复合物有机电致发光混合型器件

水溶胶CdSe纳米复合器件电致发光特性的研究

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功能材料 2006年第7期37卷 1105-1107页

作者：唐爱伟滕枫高银浩梁春军王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了水溶胶CdSe纳米晶,透射电子显微镜表明了纳米晶的形态和尺寸大小。用表面活性剂将CdSe纳米晶从水相中转移到有机相中,将其与具有空穴传输性能的聚合物PVK互溶在一起作为电致发光器件的发光层,以Alq3作... 详细信息

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了水溶胶CdSe纳米晶,透射电子显微镜表明了纳米晶的形态和尺寸大小。用表面活性剂将CdSe纳米晶从水相中转移到有机相中,将其与具有空穴传输性能的聚合物PVK互溶在一起作为电致发光器件的发光层,以Alq3作为电子传输层,在发光层与Alq3之间加入了空穴阻挡层BCP制备了多层电致发光器件,研究了不同CdSe/PVK配比下水溶胶CdSe纳米复合器件的电致发光特性,结果发现随着水溶胶CdSe纳米晶在纳米复合物中所占比例的降低,电致发光器件的发光强度有所提高,起亮电压有所降低。

关键词：纳米复合器件水溶胶 CdSe/PVK 电致发光

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稀土铽配合物有机电致发光

中国稀土学报 2001年第6期19卷 532-535页

作者：邓振波白峰高新徐征侯延冰徐叙瑢北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

利用三价稀土铽配合物作为发射层、二胺衍生物 (TPD)以及聚乙烯咔唑 (PVK)作为空穴传输层制备了有机电致发光器件。器件的结构为 :玻璃衬底 /ITO/PVK或者TPD/Tb3+ 配合物 /Al,其中空穴传输层TPD和发光层Tb3+ 配合物采用热蒸发办法成膜... 详细信息

利用三价稀土铽配合物作为发射层、二胺衍生物 (TPD)以及聚乙烯咔唑 (PVK)作为空穴传输层制备了有机电致发光器件。器件的结构为 :玻璃衬底 /ITO/PVK或者TPD/Tb3+ 配合物 /Al,其中空穴传输层TPD和发光层Tb3+ 配合物采用热蒸发办法成膜。而空穴传输层PVK采用旋甩涂敷的方法成膜。对于以上的两种器件均获得了来自Tb3+ 的窄峰发射 ,在直流电压 15 4V驱动下 ,器件发光亮度达 2 10cd·m- 2 。

关键词：稀土有机电致发光铽配合物窄峰发射二胺衍生物聚乙烯咔唑有机电致发光器件

一种新结构ZnS∶Tm^(3+)薄膜电致发光器件的研究

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中国稀土学报 2001年第6期19卷 583-585页

作者：杨胜何大伟成正维邓朝勇关亚菲北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为... 详细信息

采用电子束蒸发法制备了一种新结构 (ITO/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /ZnS∶TmF3/SiO2 /Al)的薄膜电致发光器件 ,并与传统双绝缘层结构的器件相比较。结果表明 ,新结构器件的发光蓝红外比和发光亮度要明显高于双绝缘层结构的器件。分析认为这是由于SiO2

关键词：稀土薄膜电致发光器件硫化锌铥掺杂薄膜电致发光电子束蒸发法显示材料

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PPV固态类阴极射线发光动力学的研究

发光学报 2002年第2期23卷 183-185页

作者：曲崇徐征陈晓红邓朝勇于文革杨胜北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室

制备了三种结构的薄膜电致发光器件 ,以PPV作为发光层 ,SiO2 作加速层 ,证明了固态类阴极射线发光的存在 ,对其发光动力学中的一些问题进行了研究。

关键词：传导电流平板显示薄膜电致发光器件 PPV 固态类阴极射线发光动力学

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两种基质中Er^(3+)的上转换发光特性

中国稀土学报 2001年第6期19卷 518-521页

作者：赵谡玲徐征侯延冰裴晓将徐叙瑢北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

合成了一种新型共掺杂Er3+ 和Yb3+ 的氟氧化物 (ZnF2 SiO2 基质 )材料 ,研究了Er3+ 在这种基质材料中的吸收和在 980nm激发下的上转换发光 ,并对比了同等激发条件下Er3+ 离子在ZBLAN玻璃和这种氟氧化物中的上转换发光特性。实验发现两... 详细信息

合成了一种新型共掺杂Er3+ 和Yb3+ 的氟氧化物 (ZnF2 SiO2 基质 )材料 ,研究了Er3+ 在这种基质材料中的吸收和在 980nm激发下的上转换发光 ,并对比了同等激发条件下Er3+ 离子在ZBLAN玻璃和这种氟氧化物中的上转换发光特性。实验发现两种基质中Er3+ 离子吸收峰位置基本相同 ,但吸收强度明显不同。氟氧化物中Er3+ 离子的上转换发光强度要低于ZBLAN基质中Er3+ 离子的上转换发光强度 ,不同的是Er3+ 离子在氟氧化物基质中红光发射强度要强于绿光强度。分析了两种基质中Er3+ 的上转换发光机制 ,氟氧化物基质中Er3+ 离子红绿光发射均为双光子过程 ,ZBLAN基质中Er3+ 离子绿光发射为双光子过程 ,而红光发射为双光子和三光子混合过程。

关键词：稀土上转换发光 ZBLAN玻璃氟氧化物基质氟锆酸盐玻璃光纤材料铒镱共掺杂光学性能

稀土氧化钕对铝酸盐长余辉发光材料性能的影响

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中国稀土学报 2001年第6期19卷 599-601页

作者：何大伟崔兴龙北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

制备了SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Nd3+ 和SrAl2 O4 ∶Eu2 + ,Dy3+ ,Nd3+ 长余辉材料 ,研究了所合成的材料在不同波段紫外光激发条件下的发光光谱和激发光谱的差异和Eu2 + ,Dy3+ ,Nd3+ 的摩尔掺杂浓度对材料的余辉性能的影响等。

关键词：稀土 SrAl2O4:Eu^2+,Dy^3+ 陷井中心铝酸盐长余辉发光材料氧化钕发光性能

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ZnO薄膜制备及其发光特性研究

光电子．激光 2002年第11期13卷 1116-1119页

作者：王晶张希清梅增霞黄世华徐征北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度... 详细信息

用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响。通过对样品的X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230℃、退火温度为400℃时样品结晶性能最佳,并具有最强的紫外光发射(380nm)。

关键词： ZnO薄膜制备发光特性磁控溅射光致发光氧化锌半导体化合物

ZnS∶TbF_3薄膜电致发光器件性能的研究

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中国稀土学报 2001年第6期19卷 570-574页

作者：何大伟杨胜王永生徐叙瑢北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

用射频磁控溅射和扫描电子束蒸发方法研究制备了ZnS∶TbF3薄膜的交流电致发光器件。研究了制备ZnS∶TbF3薄膜电致发光器件的几种因素对电致发光器件性能的影响 ,诸如 ,磁控溅射过程中衬底温度 ,发光层厚度 ,退火等。

关键词：稀土电致发光磁控溅射电子束蒸发硫化锌氟化镱 ZnS:TbF3薄膜电致发光器件