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I-Line光刻胶材料的研究进展

影像科学与光化学 2012年第2期30卷 81-90页

作者：郑金红北京科华微电子材料有限公司北京101312

酚醛树脂-重氮萘醌正型光刻胶由于其优异的光刻性能,在g-line(436nm)、i-line(365nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长从g-line发展到i-lin... 详细信息

酚醛树脂-重氮萘醌正型光刻胶由于其优异的光刻性能,在g-line(436nm)、i-line(365nm)光刻中被广泛使用.g-line光刻胶胶、i-line光刻胶,两者虽然都是用线型酚醛树脂做成膜树脂,重氮萘醌型酯化物作感光剂,但当曝光波长从g-line发展到i-line时,为适应对应的曝光波长以及对高分辨率的追求,酚醛树脂及感光剂的微观结构均有变化.在i-line光刻胶中,酚醛树脂的邻-邻′相连程度高,感光剂酯化度高,重氮萘醌基团间的间距远.溶解促进剂是i-line光刻胶的一个重要组分,本文对其也进行了介绍.

关键词： i-line 光刻胶酚醛树脂感光剂溶解促进剂

基于锥形超晶格p-AlInGaN层的AlGaN基深紫外发光二极管性能优化

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原子与分子物理学报 2025年第1期42卷 101-107页

作者：许愿张傲翔张鹏飞王芳刘俊杰刘玉怀郑州大学电气与信息工程学院电子材料与系统国际联合研究中心、河南省电子材料与系统国际联合实验室郑州450001 郑州大学智能传感研究院郑州450001 郑州大学产业技术研究院有限公司郑州450001 郑州唯独电子科技有限公司郑州450001 北方民族大学电气与信息工程学院银川750001

为了解决AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的严重电子溢出和低空穴注入的问题,本文提出了一种新型锥形超晶格p-AlInGaN层,它大幅改善了基于AlGaN的DUV LED的光电特性.与传统结构相比,所提出结构的输出功率提高了337.8%;同时它的内... 详细信息

为了解决AlGaN基深紫外(DUV)发光二极管(LED)中的严重电子溢出和低空穴注入的问题,本文提出了一种新型锥形超晶格p-AlInGaN层,它大幅改善了基于AlGaN的DUV LED的光电特性.与传统结构相比,所提出结构的输出功率提高了337.8%;同时它的内部量子效率(IQE)也高达96%,并且没有效率下降现象.仿真计算结果表明,锥形超晶格p-AlInGaN层的引入明显增加了多量子阱(MQWs)内载流子的浓度并降低了量子阱(QWs)内的电场,导致了更高的辐射复合率,为改善DUV LED的性能提供了一个有吸引力的解决方案.

关键词：深紫外发光二极管 AlInGaN 锥形超晶格内部量子效率辐射复合

基于石墨烯/硫化铅量子点异质结的窄带光电探测器

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半导体技术 2025年第1期50卷 10-16页

作者：郑玉琳黄北举程传同陈力颖天津工业大学电子与信息工程学院天津300387 中国科学院半导体研究所光电子材料与器件重点实验室北京100083

纳米材料硫化铅量子点(PbS QD)以其高光吸收率和尺寸可调的带隙,被视为短波红外(SWIR)光电探测器的重要候选材料。将卤素配体置换的PbS QD薄膜与单层石墨烯结合制备了石墨烯/硫化铅量子点异质结光电探测器。采用液相配体交换技术结合单... 详细信息

纳米材料硫化铅量子点(PbS QD)以其高光吸收率和尺寸可调的带隙,被视为短波红外(SWIR)光电探测器的重要候选材料。将卤素配体置换的PbS QD薄膜与单层石墨烯结合制备了石墨烯/硫化铅量子点异质结光电探测器。采用液相配体交换技术结合单步旋涂工艺,实现了PbS QD薄膜的均匀沉积。该技术不仅减少了缺陷态的产生,而且通过单步旋涂工艺能够实现所需薄膜厚度的快速沉积,简化了器件制备流程,满足工业化生产要求。测试了器件在SWIR波段的性能,结果显示该光电探测器在1550 nm处响应度为1.26×10^(4)A/W,显著高于其他波段,证实器件在1550 nm波段附近具有窄带探测的能力。此外,在1550 nm处比探测率高达1.49×10^(12)Jones。该结果表明器件在SWIR波段具备高探测灵敏度和实际应用的潜力。

关键词：相转移配体交换硫化铅量子点石墨烯光电探测器红外探测

考虑磁饱和的永磁电磁混合悬浮系统磁力计算方法

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交通运输工程学报 2025年

作者：申璐张立伟修三木张孟磊刘涛北京交通大学电气工程学院深圳市长龙铁路电子工程有限公司

为了提高永磁电磁混合悬浮系统磁力计算的准确性和效率，综合考虑解析法计算速度快和有限元法计算精度高的优势，基于等效面电流法，将系统中的永磁体等效为电磁线圈，进而建立了永磁电磁混合悬浮系统的纯电磁线圈等效模型；基于电磁线... 详细信息

为了提高永磁电磁混合悬浮系统磁力计算的准确性和效率，综合考虑解析法计算速度快和有限元法计算精度高的优势，基于等效面电流法，将系统中的永磁体等效为电磁线圈，进而建立了永磁电磁混合悬浮系统的纯电磁线圈等效模型；基于电磁线圈电感的电流-磁链表达式，即非线性磁饱和模型和虚位移能量平衡法，推导适用于永磁电磁混合悬浮系统的磁力解析表达式；基于有限元仿真结果拟合各参数变量-气隙方程，确定了考虑磁饱和的永磁电磁混合悬浮系统磁力计算方法。分析结果表明：电磁线圈电感的非线性磁饱和模型可以有效表示磁饱和对于磁力计算的影响；流过永磁电磁混合悬浮系统电磁线圈电流分别为0、2.0、8.5和17.0A时，永磁电磁混合悬浮系统利用传统解析计算公式得到的磁力计算结果与传统有限元仿真结果的平均偏差分别为32.87%、20.02%、29.05%和25.67%，考虑磁饱和的磁力计算方法与传统有限元仿真结果的平均偏差分别为1.68%、1.64%、1.58%和1.37%，与试验测量的平均偏差为1.66%、1.77%、0.91%和1.35%，相比于传统解析计算公式，本文所述方法极大提高了磁力计算的准确性，与传统有限元仿真法相比，计算任务量成倍减少，计算效率极大提升，可通过较少任务的有限元仿真得到远高于传统解析公式准确性的磁力计算结果。

关键词：轨道交通磁饱和有限元法永磁电磁混合悬浮系统方程拟合

硫醇吸附挥发性有机气体(VOCs)的气敏机理

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原子与分子物理学报 2025年第3期42卷 35-44页

作者：张海燕李琦王梓臻文豪刘丹凤中国环境科学研究院北京100012 中国汽车工程研究院股份有限公司重庆401122 中国科学院微电子研究所北京100029

化学电阻气体传感器对于空气质量、食品检测和人体呼吸有着重要作用.传感器上修饰物硫醇与待测的VOCs之间吸附的气敏机理分析是选择硫醇、预测吸附能力与特异性的重要手段.本文选取了11-巯基-1-十一醇(MUD)和4-甲氧基苄硫醇(MTT)两种常... 详细信息

化学电阻气体传感器对于空气质量、食品检测和人体呼吸有着重要作用.传感器上修饰物硫醇与待测的VOCs之间吸附的气敏机理分析是选择硫醇、预测吸附能力与特异性的重要手段.本文选取了11-巯基-1-十一醇(MUD)和4-甲氧基苄硫醇(MTT)两种常见的硫醇与六种典型的VOCs(乙醇ETN、异丙醇IPA、丙酮ACN、正己烷HXN、甲苯TLN、苯甲醛BND),基于密度泛函理论(DFT),计算其表面静电势(ESP)并建立气体吸附模型.在气体吸附模型的基础上计算其吸附能,并分析其弱相互作用,从微观角度解释气体吸附的作用机理.实验结果表明,具有羟基的MUD分子对同样有羟基的气体(如ETN、IPA)能够以氢键的方式吸附,具有较强的选择效果;具有苯环的MTT分子与具有苯环结构的气体分子(如TLN、BND)吸附时会在苯环之间形成π-π堆积,基于色散作用进行吸附,这表明MTT分子对具有苯环结构的气体有着较强的吸附作用.研究发现其色散作用吸附的强弱与分子的表面ESP绝对值有关.本文对于传感器表面修饰物吸附气体的气敏机理进行了探究,并对表面修饰物的选择和实验结果预测提供了理论指导.

关键词：硫醇 VOCs DFT 表面静电势气体吸附模型弱相互作用分析

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热电池FeS_(2)-CoS_(2)复合正极材料利用率的影响因素

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火工品 2025年第1期 70-76页

作者：宋卫兵孙现忠康二维王磊骆静何董琦白银祥钱玉敏西安北方庆华机电有限公司陕西西安710025 北京理工大学物理学院北京100081

采用高能球磨和磁悬浮筛分法制备了不同粒径的FeS_(2)-CoS_(2)复合正极材料,并通过单体电池放电试验研究了LiB/LiCl-LiBr-KBr/FeS_(2)-CoS_(2)热电池中正极材料粒径、正负极质量比和放电温度对正极材料利用率的影响。结果表明:在450℃... 详细信息

采用高能球磨和磁悬浮筛分法制备了不同粒径的FeS_(2)-CoS_(2)复合正极材料,并通过单体电池放电试验研究了LiB/LiCl-LiBr-KBr/FeS_(2)-CoS_(2)热电池中正极材料粒径、正负极质量比和放电温度对正极材料利用率的影响。结果表明:在450℃条件下,当FeS_(2)粒径为7.85~59.12μm时,正极材料利用率随FeS_(2)粒径的减小而增大;当FeS_(2)粒径为3.30~7.85μm时,正极材料利用率随FeS_(2)粒径的减小而减小。FeS_(2)(7.85μm)-CoS_(2)(8.06μm)复合正极单体电池的放电性能最佳,截止电压1.5 V时,其放电比容量为342.4 mA·h·g^(-1),正极材料利用率为48.8%。随着单体电池工作时间的延长,其放电比容量随正负极质量比的减小而增大,在正负极质量比为1.67时,450℃条件下的FeS_(2)-CoS_(2)复合正极单体电池的放电比容量高于400℃和500℃,截止电压1.5 V时,其放电比容量为389.2 mA·h·g-1,正极材料利用率高达55.5%。

关键词：热电池预处理正极材料利用率正负极质量比放电温度

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193nm浸没式光刻材料的研究进展

半导体技术 2008年第9期33卷 743-747页

作者：何鉴高子奇李冰郑金红穆启道北京科华微电子材料有限公司北京101312

介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体... 详细信息

介绍了193 nm浸没式光刻技术的兴起和面临的挑战。在所涉及的材料方面,对第一代、第二代及第三代的浸没液体进行了介绍,对顶部涂料的类型及其应用进行了归纳概述。并对顶部涂料存在的问题进行了阐述。对光刻胶材料中涉及的产酸剂、主体树脂及光刻胶应用方面进行了综述,并重点描述了无须顶部涂层的光刻胶,最后对193 nm浸没式光刻材料发展趋势作了展望。

关键词： 193 nm浸没式光刻浸没液体顶部涂料光刻胶

高容量锂离子电池正极补锂材料Li5FeO4@C的性能研究

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储能科学与技术 2025年

作者：曾州岚尚雷胡志金王宗凡辛小超刘瑛紫金矿业新能源新材料科技(长沙)有限公司

正极补锂添加剂Li5FeO4（LFO）具有理论比容量高、成本低且无毒等优点，是发展前景广大的补锂技术之一，但其残碱值高、导电性低等问题导致其在实际使用中脱锂容量大大降低，限制了其进一步应用。针对此问题，本工作采用高温固相法制备... 详细信息

正极补锂添加剂Li5FeO4（LFO）具有理论比容量高、成本低且无毒等优点，是发展前景广大的补锂技术之一，但其残碱值高、导电性低等问题导致其在实际使用中脱锂容量大大降低，限制了其进一步应用。针对此问题，本工作采用高温固相法制备出纯相的LFO材料，并使用等离子增强型化学气相沉积法（PECVD）对LFO材料进行碳包覆处理得到LFO@C材料，分析了不同包覆时间、温度下LFO@C材料的理化性能和电化学性能。扫描电子显微镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）和能量分析谱（EDS）显示不同的PECVD碳包覆工艺会在LFO@C材料表面沉积不同的碳层结构，包覆温度为500℃、包覆时间为2h时会在材料表面沉积了一层均匀且致密的碳层。X射线衍射分析（XRD）结果表明包覆温度为500℃、包覆时间≤2h时LFO@C材料不会发生不可逆相变。碳含量和导电性分析结果表明LFO@C材料的碳含量和电导率随包覆时间的延长呈现增大后减小的趋势、随包覆温度的增加呈上升趋势。残碱值分析结果显示LFO材料的残碱值经过PECVD碳包覆改性后发生了明显的下降，且LFO@C材料的残碱值大小与其表面碳层结构相关。碳包覆改性后的LFO@C材料的电化学性能得到了极大改善，其中容量最高的LFO-5002材料在2.0～4.2V下首次充电克比容量为756.4mAh/g，不可逆容量达到623.51mAh/g，超过纯相LFO材料200mAh/g以上。分析结果表明使用PECVD可以在LFO材料颗粒表面包裹一层均匀致密的碳层，碳包覆后材料的残碱值大大降低，导电性、容量大大提升，补锂效果得到了极大改善。本工作通过碳包覆改性显著提升了正极补锂材料LFO的不可逆容量，为高容量的正极补锂材料设计提供了技术指导。

关键词：锂离子电池正极补锂添加剂 Li FeO 等离子增强型化学气相沉积法碳包覆改性

基于改进型Buck变换器的电池组主动均衡方法研究

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电源学报 2025年

作者：邵明玺张浩陈翔燕绍九王晓娟张薇青海大学机械工程学院北京石墨烯技术研究院有限公司北京航空材料研究院石墨烯能源材料研究中心

均衡技术对于电池管理系统至关重要，广泛采用的被动均衡存在效率低、均衡时间长等缺点，而更高效的主动均衡存在控制复杂和成本高等问题。针对以上现状，提出了一种基于改进型Buck变换器的双层均衡拓扑电路，匹配性设计了其电路参数和... 详细信息

均衡技术对于电池管理系统至关重要，广泛采用的被动均衡存在效率低、均衡时间长等缺点，而更高效的主动均衡存在控制复杂和成本高等问题。针对以上现状，提出了一种基于改进型Buck变换器的双层均衡拓扑电路，匹配性设计了其电路参数和均衡策略，详细分析了其工作原理，并对比分析了其经济成本，验证了该方案的可行性和经济性。MATLAB/Simulink模型仿真分析表明，该方案的均衡时间相比于传统相邻单体均衡系统减少了40.4%。搭建的电池组均衡实验结果表明，该方案具有结构简单、控制简便的优点，可快速实现26650磷酸铁锂电池的均衡，将4串电池组最大压差从141 mV控制到50 mV以内仅需20.4 min。

关键词：锂离子电池组主动均衡改进型Buck电路均衡时间