检索结果-南通市图书馆

伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型的研究进展

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2018年第1期43卷 15-23页

作者：刘芳陈燕宁李建强付振袁远东张海峰唐晓柯北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM... 详细信息

随着金属氧化物半导体（MOS）集成电路工艺的飞速发展,体硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模型经历了从物理到经验,最后到半经验物理的转变。介绍了以阈值电压和反转电荷为建模基础的伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型（BSIM）,以及该模型中阈值电压、饱和电流和电容的基本建模理论。回顾了近年来体硅MOSFET BSIM的研究进展,着重从各种模型的优缺点、建模机理和适用范围方面分析了4种最有代表性的BSIM,即BSIM3v3,BSIM4,BSIM5和BSIM6。从模型的发展历史可以看出模型是随着MOSFET尺寸的缩小而不断完善和发展的。最后,对体硅MOSFET的模型发展趋势进行了展望。

关键词：伯克利短沟道绝缘栅场效应晶体管模型(BSIM) 阈值电压饱和电流电荷密度夹断电势电容模型

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

TVS对移动电话辐射杂散的影响研究

电力电子技术 2020年第6期54卷 95-98页

作者：符荣杰李杰伟雷康张海峰北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

此处旨在研究瞬态电压抑制二极管(TVS)非线性特性对移动电话DCS1800频段辐射杂散二次谐波发射的影响。通过使用传导射频(RF)信号注入的方法,对带有TVS的扬声器电路进行验证,得到传导杂散二次谐波数值;利用电路板搭建测试电路进行TVS的U-... 详细信息

此处旨在研究瞬态电压抑制二极管(TVS)非线性特性对移动电话DCS1800频段辐射杂散二次谐波发射的影响。通过使用传导射频(RF)信号注入的方法,对带有TVS的扬声器电路进行验证,得到传导杂散二次谐波数值;利用电路板搭建测试电路进行TVS的U-I曲线的测量验证,得到TVS的U-I曲线。实测结果表明不同厂家TVS所产生的杂散二次谐波的幅值大小不同,EPCOS要明显优于ST,低大约40 dB;不同厂家的TVS开启电压水平差异显著,EPCOS TVS开启电压高于25 V,ST TVS开启电压为16 V左右,EPCOS TVS要远高于ST TVS。TVS用于移动电话各功能模块的静电放电(ESD)防护时,尤其是天线附近区域时,可使用传导RF注入法和U-I曲线测量法进行验证评估,确保不影响辐射杂散谐波发射值。

关键词：瞬态电压抑制二极管非线性辐射杂散

320 nm AlGaN肖特基型紫外探测器的研制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电力电子技术 2020年第2期54卷 117-119页

作者：刘芳张海峰陈燕宁付振北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠集成电路设计工程技术研究中心北京100192

制备了i-AlGaN/n-AlGaN肖特基结构的背照射AlGaN紫外光电探测器,并进行了光电性能的研究。室温下发现光电探测器的截止波长为320 nm,但在350~400 nm之间存在宽广的深能级响应。通过对探测器进行电流-电压和电容-电压的测试,分析了350~40... 详细信息

制备了i-AlGaN/n-AlGaN肖特基结构的背照射AlGaN紫外光电探测器,并进行了光电性能的研究。室温下发现光电探测器的截止波长为320 nm,但在350~400 nm之间存在宽广的深能级响应。通过对探测器进行电流-电压和电容-电压的测试,分析了350~400 nm之间深能级响应谱出现的原因。电流-电压测试结果表明理想因子在2以上,说明正向输运机制中存在由缺陷能级引起的复合电流,电容平方倒数对电压斜率的变化表明在该探测器本征层中存在由缺陷引起的深能级响应。两种测试分析结果均表明该响应由本征层中的缺陷引起。

关键词：紫外探测器光电性能缺陷

18kV/125A碳化硅IGBT器件研制及串联应用关键技术研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国电机工程学报 2023年第17期43卷 6765-6775页

作者：邱宇峰唐新灵魏晓光杨霏潘艳吴军民李学宝赵志斌顾然梁琳杨晓磊周平先进输电技术国家重点实验室(智能电网研究院有限公司) 北京市昌平区102209 新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学) 北京市昌平区102206 中电普瑞电力工程有限公司北京市昌平区102209 强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学) 湖北省武汉市430074 宽禁带半导体电力电子国家重点实验室(南京电子器件研究所) 江苏省南京市210016

高压碳化硅(silicon carbide,SiC)器件因具有耐高压、耐高温、低损耗等优异特性,已成为支撑未来新型电力系统建设的新型电力电子器件。文中基于自主研制的18kV/12.5A高压SiC绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT... 详细信息

高压碳化硅(silicon carbide,SiC)器件因具有耐高压、耐高温、低损耗等优异特性,已成为支撑未来新型电力系统建设的新型电力电子器件。文中基于自主研制的18kV/12.5A高压SiC绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)芯片,提出18kV SiC IGBT单芯片子模组及10芯片并联封装设计方案,研制18kV/125A SiC IGBT器件,功率等级达到国际最高水平。搭建高压碳化硅功率器件绝缘、静态特性和动态特性测试平台,测试单芯片子模组及10芯片并联器件的绝缘及动态特性,18kV/125A SiC IGBT器件具备18kV静态耐压且可以在13kV直流母线电压条件下关断130A电流,验证了所研制器件的高压绝缘及高压开关能力。此外,采用18kV/125A SiC IGBT器件串联搭建24kV换流阀半桥功率模块,提出器件串联均压方法,完成半桥功率模块的1min静态耐压试验和开关试验验证,结果表明,所研制的18kV/125A SiC IGBT器件运行良好,满足串联应用要求,同时,所提的均压方案可以保证半桥功率模块静态电压不均衡和动态电压不均衡程度分别低于0.4%和15%。该研究可以为基于SiC IGBT器件在柔性直流输电工程中的应用奠定基础。

关键词：碳化硅绝缘栅双极型晶体管器件封装绝缘动态特性串联均压

充油密封容器内电弧对燃弧压力产生特性的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

高电压技术 2023年第9期49卷 3876-3886页

作者：种芝艺卢理成周远翔武炬臻刘永李宇航国家电网有限公司北京100031 国网智能电网研究院有限公司北京102209 清华大学电机工程与应用电子技术系电力系统及发电设备控制和仿真国家重点实验室北京100084 国网经济技术研究院有限公司北京102209 山东电力设备有限公司济南250022

变压器在超、特高压输电系统中占有重要地位,变压器油箱内部电弧放电产生的过压使得变压器爆燃发生成为可能,严重威胁电网的安全稳定运行。为了探究大电流条件下电弧特征参量对燃弧故障压力产生过程的影响规律,基于自主建立的首个变压... 详细信息

变压器在超、特高压输电系统中占有重要地位,变压器油箱内部电弧放电产生的过压使得变压器爆燃发生成为可能,严重威胁电网的安全稳定运行。为了探究大电流条件下电弧特征参量对燃弧故障压力产生过程的影响规律,基于自主建立的首个变压器网侧升高座电弧故障真型模拟试验平台,开展了不同油箱模型、电弧电流与电极间隙等条件下电弧故障真型模拟试验。实现了对升高座筒体上压力数据的采集,获得了不同电流与电极间隙距离的升高座内部压强时域变化曲线。基于试验研究,揭示了大电流下电弧特征对故障燃弧放电压力产生影响的物理机制,提出了升高座内部压力峰值与电弧放电功率之间的关联数理模型,给出了升高座防爆设计的试验和理论依据,推动了变压器防爆设计技术的发展。

关键词：变压器升高座工频交流电弧真型模拟试验电弧功率电弧能量压力产生特性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

适用于高密度封装的失效分析技术及其应用

半导体技术 2018年第4期43卷 310-315页

作者：刘晓昱陈燕宁李建强乔彦彬马强单书珊张海峰唐晓柯北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司电力芯片设计分析重点实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像（CT）技... 详细信息

高密度封装技术在近些年迅猛发展,同时也给失效分析过程带来新的挑战。常规的失效分析手段难以满足结构复杂、线宽微小的高密度封装分析需求,需要针对具体分析对象对分析手法进行调整和改进。介绍了X射线、计算机辅助层析成像（CT）技术、微探针和多方法联用等失效分析技术,分析了其原理和适用于高密度封装的优势。并结合两个高密度封装失效分析案例,具体介绍了其在案例中的使用阶段和应用方法,成功找到失效原因。最后总结了各方法在高密度封装失效分析中应用的优势、不足和适用范围。

关键词：失效分析高密度封装可靠性计算机辅助层析成像(CT)技术键合失效

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

LoRa调制及其在衰落信道下的性能分析

中国电子科学研究院学报 2019年第6期14卷 580-585页

作者：赵旭李洪强张玉冰袁旭唐晓柯北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

物联网的快速发展对于无线通信技术提出了更高的要求,专为低带宽、低功耗、远距离、大量连接的物联网应用而设计的低功耗广域网技术( LPWAN: Low Power Wide Area Network)快速兴起。LoRa( Low Power Long Range Transceiver)作为LPWAN... 详细信息

物联网的快速发展对于无线通信技术提出了更高的要求,专为低带宽、低功耗、远距离、大量连接的物联网应用而设计的低功耗广域网技术( LPWAN: Low Power Wide Area Network)快速兴起。LoRa( Low Power Long Range Transceiver)作为LPWAN 技术的典型代表,受到了广泛的关注与研究。本文对于LoRa 的物理层技术体制进行了分析,给出了其基本的数学信号处理模型,提出了基于FFT( Fast Fourier Transform)的信号解调算法,并将该调制解调技术的仿真性能与正交调制非相干检测的理论性能进行了比较,由仿真结果可以看出,两者的性能是一致的。除此之外,分析了LoRa 系统在Guassian 信道及典型衰落信道下的性能表现。

关键词： LoRa LPWAN FSCM chirp 物联网衰落信道

基于IR46标准的双芯电能表主控关键技术研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子技术应用 2017年第10期43卷 7-11,19页

作者：周芝梅赵东艳张海峰杜君王维彬北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室北京100192 北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心北京100192

我国标准体系对智能电表的软件和硬件要求比较固化,电能表均为一体化设计,一旦出现硬件或软件故障,只能采取更换整表的方式。基于IR46标准提出计量芯与管理芯分离的双芯电能表技术方案,实现计量芯的法制独立和管理芯应用程序的远程在线... 详细信息

我国标准体系对智能电表的软件和硬件要求比较固化,电能表均为一体化设计,一旦出现硬件或软件故障,只能采取更换整表的方式。基于IR46标准提出计量芯与管理芯分离的双芯电能表技术方案,实现计量芯的法制独立和管理芯应用程序的远程在线升级。详述分析了双芯电能表计量芯和管理芯各自需要完成的功能,并重点研究了计量芯和管理芯各自的主控芯片要完成的功能、核心技术指标及相应的关键技术。此研究成果对未来IR46标准的智能电表和电表主控的开发具有很好的参考意义。

关键词：智能电表微控制单元 IR46

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

深度强化学习在电网实时计划编排中的应用

电力系统自动化 2023年第14期47卷 157-166页

作者：刘金波宋旭日杨楠万雄蔡宇黄宇鹏国家电网有限公司国家电力调度控制中心北京市100031 清华大学电机工程与应用电子技术系北京市100084 电力调度自动化技术研究与系统评价北京市重点实验室(中国电力科学研究院有限公司) 北京市100192

面对新型电力系统的强不确定性、快速增长的控制规模、低碳化运行目标等变化,实时计划编排将会呈现高维、非线性、非凸的复杂特征,以强化学习为代表的数据驱动算法为探索实时计划快速优化编排带来了新思路。文中将深度强化学习引入实时... 详细信息

面对新型电力系统的强不确定性、快速增长的控制规模、低碳化运行目标等变化,实时计划编排将会呈现高维、非线性、非凸的复杂特征,以强化学习为代表的数据驱动算法为探索实时计划快速优化编排带来了新思路。文中将深度强化学习引入实时计划编排模型中,构建面向强化学习的实时计划编排仿真环境;提出了双层多目标多智能体深度强化学习实时计划编排方法,该方法基于模型-数据混合驱动强化学习思想,采用双层架构以及多智能体设计,实现实时计划并行快速编排。最后,通过算例验证了所提方法的有效性和可行性。

关键词：电网调度实时计划人工智能深度强化学习模型-数据混合驱动