检索结果-南通市图书馆

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

低阈值单横模852nm半导体激光器

物理学报 2017年第8期66卷 113-118页

作者：刘储关宝璐米国鑫廖翌如刘振扬李建军徐晨北京工业大学信息学部电子科学与技术学院光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124

基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发... 详细信息

基于波导理论、等效折射率方法,设计并制备了非对称波导隔离双沟结构脊型边发射激光器,最终获得了低闽值单基侧模852 nm激光器.详细研究了不同脊型台深宽比参数设计对激光器侧向模式特性的影响规律,实现了腔面未镀膜情况下脊型波导边发射激光器的单基侧模稳定输出,同时激射波长可以精确调谐到852 nm;工作电流达到150 mA,工作温度30℃;斜率效率最高可达0.89 nW/mA,光谱半宽小于1 nm.研究结果为进一步实现超窄线宽激光器提供了参考和借鉴,并且为实现激光器稳定输出提供了实验基础.

关键词：脊型波导边发射激光器侧向模式模式稳定性

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

表面液晶-垂直腔面发射激光器阵列的热特性

物理学报 2020年第6期69卷 93-98页

作者：王志鹏张峰杨嘉炜李鹏涛关宝璐北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室

液晶与垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)阵列结合可实现波长可调谐、偏振精确控制等,同时液晶的引入也会改变垂直腔面发射半导体激光器阵列的热特性,本文设计了表面液晶-垂直腔面发射激光器阵列结构,并开展了阵列的热特性实验研究.对... 详细信息

液晶与垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)阵列结合可实现波长可调谐、偏振精确控制等,同时液晶的引入也会改变垂直腔面发射半导体激光器阵列的热特性,本文设计了表面液晶-垂直腔面发射激光器阵列结构,并开展了阵列的热特性实验研究.对比分析了向列相液晶层对VCSEL阵列热特性的影响,实验结果表明,1×1,2×2,3×3三种表面液晶-VCSEL阵列的阈值电流温度变化率最高可降低23.6%,热阻降低26.75%;同时,激光器阵列各发光单元之间的温度均匀性显著提高,出光孔与周围温差小于0.5℃.综上所述,VCSEL阵列中液晶层的引入不仅大大加速激光器阵列单元热量扩散,而且降低了有源区结温,提高了VCSELs激光器阵列热特性,为实现高光束质量的单偏振波长可控VCSEL激光器阵列打下了良好的理论和实验基础.

关键词：垂直腔面发射激光器阵列液晶热特性

内腔亚波长光栅液晶可调谐垂直腔面发射激光器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

物理学报 2021年第22期70卷 114-120页

作者：王志鹏关宝璐张峰杨嘉炜北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室北京100124

随着信息技术的快速发展,可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)逐渐成为密集波分复用通信技术(DWDM)中的重要光源.通过利用液晶(LC)的双折射特性所实现的液晶可调谐VCSEL具有偏振稳定、可靠性高、连续波长调谐等优点.本文设计了一种基于内... 详细信息

随着信息技术的快速发展,可调谐垂直腔面发射激光器(VCSEL)逐渐成为密集波分复用通信技术(DWDM)中的重要光源.通过利用液晶(LC)的双折射特性所实现的液晶可调谐VCSEL具有偏振稳定、可靠性高、连续波长调谐等优点.本文设计了一种基于内腔亚波长光栅的液晶可调谐VCSEL结构,并对液晶层和亚波长光栅对VCSEL波长调谐特性的影响进行了详细分析与研究.结果表明,可调谐VCSEL结构中液晶层厚度不仅影响波长调谐范围,同时决定了VCSEL激光器调谐过程中模式跳变.此外,通过对亚波长光栅结构设计,形成了有效的折射率减反层,优化液晶层与半导体层界面折射率差,进一步的提高波长调谐范围和调谐效率.当中心波长为980 nm时,调谐范围提升了42%,达到41 nm,波长调谐效率提升41%.为实现高光束质量、连续稳定波长调谐的VCSEL激光器提供了一种新的设计方法.

关键词：垂直腔面发射激光器液晶可调谐

金属/p-GaAs界面态对接触电阻作用机理的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光电子．激光 2023年第4期34卷 358-363页

作者：张琛辉李冲王智勇李巍泽李占杰杨帅北京工业大学材料与制造学部先进半导体光电技术研究所北京100124 北京工业大学信息学部光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124

本文针对大功率垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)阵列热阻大、出光不均匀的问题,研究p-GaAs层欧姆接触电阻值的作用机理,降低欧姆接触串联电阻的方法,以提高VCSEL阵列出射光功率的均匀性。基于3种常... 详细信息

本文针对大功率垂直腔面发射激光器(vertical cavity surface emitting laser, VCSEL)阵列热阻大、出光不均匀的问题,研究p-GaAs层欧姆接触电阻值的作用机理,降低欧姆接触串联电阻的方法,以提高VCSEL阵列出射光功率的均匀性。基于3种常用欧姆接触金属Ti/Au、Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au,研究各层金属厚度和金属组合对与p型欧姆接触电阻的作用规律;结合等离子体表面处理工艺,改变金属/p-GaAs界面态,研究界面态对欧姆接触电阻的影响规律。实验对比分析得到金属Ti/Au结构电极欧姆接触的比接触电阻率最低,为3.25×10^(-4)Ω·cm^(2);基于金半接触势垒模型,通过表面等离子体处理,界面势垒可降低12.6%(0.269 2 eV降至0.235 3 eV),等离子体轰击功率可调控金半界面的势垒和态密度。

关键词：垂直腔面发射激光器(VCSEL) 欧姆接触比接触电阻率等离子体表面处理势垒

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

PbS量子点同质P-N结光电探测器

红外与激光工程 2022年第10期51卷 259-265页

作者：许云飞刘子宁王鹏北京空间机电研究所先进光学遥感技术北京市重点实验室北京100094 北京工业大学材料与制造学部新型功能材料教育部重点实验室北京100124 北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室北京100124

PbS胶体量子点因其带隙可调、可溶液加工、吸收系数高等优异特性而广泛应用于光电探测器领域。然而基于光电二极管结构的PbS量子点光电探测器通常会使用不同的材料来制备N型层,从而增加了器件设计和工艺的复杂性,不利于这类光电探测器... 详细信息

PbS胶体量子点因其带隙可调、可溶液加工、吸收系数高等优异特性而广泛应用于光电探测器领域。然而基于光电二极管结构的PbS量子点光电探测器通常会使用不同的材料来制备N型层,从而增加了器件设计和工艺的复杂性,不利于这类光电探测器未来在面阵成像芯片中的应用。为简化制备工艺,提出了一种PbS量子点同质P-N结光电探测器,仅通过一种工艺过程实现了器件P型层和N型层的制备。经测试,探测器对不同入射光强度的探测表现出了良好的线性响应;在0.5 V反向偏压作用下,器件在700 nm处的响应度为0.11 A/W,比探测率为3.41×10^(11) Jones,展现出了其对弱光探测的优异能力。结果表明文中提出的PbS量子点同质PN结光电探测器有助于推动其在面阵成像领域中的发展。

关键词： PbS胶体量子点同质P-N结光电探测器表面钝化

基于导模共振滤波器的波长可调谐垂直腔面发射激光器的研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

光子学报 2019年第1期48卷 128-134页

作者：江孝伟关宝璐衢州职业技术学院信息工程学院浙江衢州324000 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室北京100124

基于光栅层控制光波传播耦合波方程,设计了能够实现共振波长可调谐的亚波长光栅导模共振滤波器.通过调谐空气层的厚度,滤波器可以实现波长75nm的调谐,线宽均小于或等于1nm.将共振波长可调谐滤波器与中心波长为1.55μm的垂直腔面发射激光... 详细信息

基于光栅层控制光波传播耦合波方程,设计了能够实现共振波长可调谐的亚波长光栅导模共振滤波器.通过调谐空气层的厚度,滤波器可以实现波长75nm的调谐,线宽均小于或等于1nm.将共振波长可调谐滤波器与中心波长为1.55μm的垂直腔面发射激光器(VCSEL)集成,形成了激射波长可调谐VCSEL.研究发现激射波长调谐范围与共振波长可调谐滤波器相同,而且在相同空气层厚度下,激射波长可调谐VCSEL的激射波长和共振波长可调谐滤波器的共振波长相同.该VCSEL不仅可以选择激射波长还可对输出横向模式进行选择.

关键词：光栅导模共振滤波器可调谐垂直腔面发射激光器

基于GaAs E/D PHEMT工艺的单片集成光接收芯片

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

半导体技术 2018年第6期43卷 419-424页

作者：安亚宁徐晨解意洋潘冠中王秋华董毅博北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室

设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络（HFC）的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器（TIA）、衰减器（VVA）和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消... 详细信息

设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络（HFC）的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器（TIA）、衰减器（VVA）和输出放大器三部分。跨阻放大器采用差分结构,相较于单端TIA提高了噪声性能,衰减器采用相位相消方式实现信号衰减,输出放大器为芯片补足增益并实现阻抗匹配。使用ADS仿真软件进行电路设计、版图设计、仿真验证,采用GaAs 0.25μm E/D PHEMT工艺进行了流片。测试结果表明,芯片实现了42 d B的最大增益,在0-3 V控制电压下,0-28 dB的连续可调增益范围,工作频率为50 MHz-1 GHz,差分输入单端输出,输出负载为75Ω,芯片面积1 412μm×1 207μm,芯片性能符合设计目标。

关键词：光接收芯片 GaAs E/D PHEMT工艺单片集成电路(MIC) 跨阻放大器衰减器

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

大功率半导体激光器光束质量的研究与进展

激光与光电子学进展 2023年第21期60卷 18-27页

作者：陈芬崔碧峰冯靖宇郑翔瑞陈中标北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室北京100124

半导体激光器作为一种理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在激光雷达、光泵浦、光纤耦合等领域,对半导体激光器的要求除大功率以外,还需具有高光束质量。由于大功率半导体激光器自身的结构特点,侧向易出现多模态光束,严重影响侧向光... 详细信息

半导体激光器作为一种理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在激光雷达、光泵浦、光纤耦合等领域,对半导体激光器的要求除大功率以外,还需具有高光束质量。由于大功率半导体激光器自身的结构特点,侧向易出现多模态光束,严重影响侧向光束质量。因此对大功率半导体激光器侧向模式进行控制,改善侧向光束质量,已成为行业内的研究热点。从3个部分展开:锥形激光器、宽脊波导半导体激光器光束质量控制、半导体激光器散热封装结构,分类介绍了当前国内外在控制侧向光束质量方面具有代表性的研究成果与进展。

关键词：激光器半导体激光器侧向光束质量侧模控制

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

多量子阱红外探测器耦合光栅的新型制备工艺

微纳电子技术 2020年第1期57卷 66-72页

作者：孙伟业邓军何磊磊杜欣钊北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室北京100124

基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材... 详细信息

基于微米球刻蚀技术设计了一种制备多量子阱红外探测器(QWIP)表面二维光栅的新型工艺,通过改变微米球的直径可以为不同探测波长的QWIP制备表面二维光栅,有效降低了制备成本和技术难度。采用GaAs衬底作为实验片制作光栅、聚苯乙烯(PS)材质小球作为表面掩膜,对小球的单层排布、PS小球刻蚀和光栅的刻蚀等工艺进行了深入的实验研究,并得出了最优的工艺参数。制备出了具有良好均匀性和一致性的二维光栅结构。通过傅里叶光谱仪测得表面光栅的耦合波长为6~9μm。最后研究了不同工艺条件对耦合结果的影响,证实当光栅直径为PS球直径的0.74倍时获得的耦合效果最优。

关键词：二维光栅微米球刻蚀量子阱反应离子刻蚀(RIE) 多量子阱红外探测器(QWIP)