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蓝宝石晶体控制柜的设计

蓝宝石晶体控制柜的设计

第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

作者：贺明智田远北京京仪椿树整流器有限责任公司

由于蓝宝石晶体生产技术的成熟以及生产成本的降低,在目前智能手机火热的阶段,蓝宝石材料成为下一代智能手机屏幕材质最有力的竞争者。结合市场对蓝宝石晶体的需求,本文首先对蓝宝石晶体在军用方面、民用方面进行了探讨,并对蓝宝石晶体... 详细信息

由于蓝宝石晶体生产技术的成熟以及生产成本的降低,在目前智能手机火热的阶段,蓝宝石材料成为下一代智能手机屏幕材质最有力的竞争者。结合市场对蓝宝石晶体的需求,本文首先对蓝宝石晶体在军用方面、民用方面进行了探讨,并对蓝宝石晶体生长方法做了简单介绍;其次本文在探讨蓝宝石晶体生长工艺的同时,结合晶体生长环境要求苛刻:生长阶段炉内温度的稳定性、提拉系统的精确性以及可靠性、实时监控生长环境并及时进行故障报警等一系列特点,对蓝宝石晶体生长控制柜的硬件系统和软件系统的设计进行了探讨;本文结合蓝宝石晶体对生长环境的需求,借鉴蓝宝石控制柜现场调试经验,详细探讨了晶体控制柜硬件系统设计:称重系统、提拉系统、旋转系统、真空系统、报警系统;在硬件设计的基础上,北京京仪椿树整流器有限责任公司独立开发了一套相应的软件系统来操控硬件系统,使得控制柜能够为蓝宝石晶体生长提供更好的生长环境保障

关键词：蓝宝石晶体控制柜硬件系统设计软件系统设计

来源： cnki会议评论

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IGBS型蓝宝石晶体生长电源的研究

IGBS型蓝宝石晶体生长电源的研究

基于DSP-FPGA的模块化多电平换流器PWM脉冲方案对比

第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)

作者：贺明智段宣祥北京京仪椿树整流器有限责任公司

随着LED产业的发展,市场对蓝宝石晶体、晶片的需求量越来越大。但是受工艺水平、长晶设备的限制,蓝宝石晶体产量、品质无法得到显著提升。本文所介绍的IGBS型蓝宝石晶体生长电源稳定度高,可靠性好,在工业现场批量使用中表现出色。

关键词：电源蓝宝石泡生法

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北京交通大学学报 2015年第5期39卷 61-68页

作者：杨晓峰李要乾郑琼林贺明智北京交通大学电气工程学院北京100044 北京京仪椿树整流器有限责任公司北京100040

由于MMC主控系统通信任务繁重、算法复杂,并且考虑到扩展性,通常采用一种基于数字信号处理器(DSP)和现场可编程门阵列(FPGA)的主控系统架构.为了研究DSP与FPGA产生的PWM脉冲对控制效果的影响,分析了MMC的基本结构和数学模型,在分析CPS-S... 详细信息

由于MMC主控系统通信任务繁重、算法复杂,并且考虑到扩展性,通常采用一种基于数字信号处理器(DSP)和现场可编程门阵列(FPGA)的主控系统架构.为了研究DSP与FPGA产生的PWM脉冲对控制效果的影响,分析了MMC的基本结构和数学模型,在分析CPS-SPWM在MMC中应用特点的基础上,设计了两种PWM控制脉冲产生方案,并进行了仿真验证和实验对比.仿真结果表明:两种方案产生PWM控制脉冲的一致性;实验结果表明:两种方案在硬件中产生的实际PWM脉冲分配规律相同,但脉宽存在差异,从而导致控制效果不同.实验结论为工程设计提供了参考依据.

关键词：模块化多电平换流器数字信号处理器现场可编程门阵列载波移相正弦脉宽调制

6.5kV非对称晶闸管的优化设计与工艺研究

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电力电子 2010年第1期8卷 42-45页

作者：尹启堂王彩琳北京京仪椿树整流器有限责任公司

本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理,分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响,以及结构参数之间的相互制约关系。对6.5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化,给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制... 详细信息

本文简述了非对称晶闸管的结构特点及其工作原理,分析了非对称晶闸管的关键结构参数对其特性的影响,以及结构参数之间的相互制约关系。对6.5kV非对称晶闸管进行了特性模拟与优化,给出优化设计的纵向结构参数。并研究了非对称晶闸管的制作工艺,样品测试结果表明,6.5kV非对称型晶闸管的设计参数和制作工艺方案是合理可行的。

关键词：电力半导体器件非对称晶闸管模拟优化设计制作工艺

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大功率半导体器件用散热器风冷热阻计算

电力电子 2009年第6期7卷 47-51,17页

作者：朱英文陆晓东北京京仪椿树整流器有限责任公司

大功率半导体器件的各种应用中,热设计的重点是对散热器热阻的计算。尤其是单个元件自身功率损耗数百瓦到数千瓦的功率半导体器件。本文通过大功率半导体器件用散热器的散热过程分析,将热阻的计算分为散热器内固体传热过程和散热器与空... 详细信息

大功率半导体器件的各种应用中,热设计的重点是对散热器热阻的计算。尤其是单个元件自身功率损耗数百瓦到数千瓦的功率半导体器件。本文通过大功率半导体器件用散热器的散热过程分析,将热阻的计算分为散热器内固体传热过程和散热器与空气间的传热过程两部分,最后给出散热器风冷热阻计算公式和计算实例。同时为了满足实际应用,我们根据此公式开发成功了一种专用风冷散热器热阻计算和曲线绘制软件。与散热器厂家给出的散热器风冷热阻曲线对比,其结果基本吻合。

关键词：功率半导体器件热损耗散热器热阻计算软件

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触发脉冲对多晶硅铸锭炉电源温控系统的影响

电源技术 2015年第10期39卷 2301-2302,2327页

作者：张霞徐克峰马建立北京京仪椿树整流器有限责任公司北京100040 北京交通大学电气工程学院北京100000

多晶硅铸锭炉电源温控系统采用了过零触发的控制方式,通过在165 k W电源设备上的实验,研究了触发脉冲对电源温控系统影响,结果表明:拓宽触发脉冲的宽度,得到了完整的正弦波;调整触发脉冲的起始位置,大大降低了设备切入电网时的冲击电流... 详细信息

多晶硅铸锭炉电源温控系统采用了过零触发的控制方式,通过在165 k W电源设备上的实验,研究了触发脉冲对电源温控系统影响,结果表明:拓宽触发脉冲的宽度,得到了完整的正弦波;调整触发脉冲的起始位置,大大降低了设备切入电网时的冲击电流;将调压与调功有机的结合,对感性负载过零调功系统的稳定可靠运行有着非常重要作用。

关键词：多晶硅铸锭炉交流调功过零触发触发脉冲

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矿用660VAC防爆充电机的设哥

电源技术应用 2016年第3期19卷 42-44页

作者：张驰贺明智李金芝田远北京交通大学北京100044 北京京仪椿树整流器有限责任公司北京100040

介绍了一种适用于矿井的开关电源式充电机。分析防爆型开关电源充电机的原理、控制方式，讨论了它的散热方法，并给出了充电机的部分波形。

关键词：充电机开关电源散热

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双基区大功率快恢复二极管的研究

半导体技术 2010年第2期35卷 129-132,141页

作者：尹启堂李玉柱安涛邢毅北京京仪椿树整流器有限责任公司北京100040 西安理工大学西安710048

提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进... 详细信息

提出了在采用VB=94ρ0n.7数学模型设计双基区p+pinn+结构快速软恢复FRD大功率二极管结构参数中引入η=Wi/Xm=0.25数学模型的方法。采用Si片扩铂和电子辐照共同控制基区少子寿命及分布,并利用该设计方法对ZKR1 000 A/2 600 V结构参数进行了优化设计。对设计参数进行了实验验证,结果表明,器件参数满足设计指标,达到国外同类产品水平。说明该设计方法及各种参数的选取是正确的,寿命控制技术是有效的。为p+pinn+结构二极管设计与制造提供了一种具有重要的指导意义和参考价值的新方法。

关键词：快速恢复二极管 p+pinn+结构软恢复少子寿命

ZVZCS移相全桥变换器中二次脉冲问题的研究

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电力电子技术 2011年第9期45卷 88-89,107页

作者：李金芝贺明智北京交通大学电气工程学院北京100044 北京京仪椿树整流器有限责任公司北京100040

针对零电压零电流开关(ZVZCS)移相全桥变换器中滞后臂开关管在关断时刻及关断期间出现的二次脉冲,详细阐述了其产生机理,并给出了相关的理论推导及计算公式。在此基础上,搭建Matlab仿真模型和一台600 A/60 V的实验样机,通过相关仿真和... 详细信息

针对零电压零电流开关(ZVZCS)移相全桥变换器中滞后臂开关管在关断时刻及关断期间出现的二次脉冲,详细阐述了其产生机理,并给出了相关的理论推导及计算公式。在此基础上,搭建Matlab仿真模型和一台600 A/60 V的实验样机,通过相关仿真和实验验证了理论分析的正确性。在ZVZCS移相全桥变换器的参数设计过程中,作为变换器的核心环节,高频变压器漏感等参数由于制造工艺及磁性材料等因素的限制,很难做到一致,为避免由此引起二次脉冲问题,给出了两条合理化的设计原则。

关键词：变换器移相全桥二次脉冲