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高铁低铜萃余液铜回收研究

有色金属（冶炼部分） 2025年第1期 1-6,33页

作者：刘琦孙贯永郭持皓梁东东李拓夫袁朝新矿冶科技集团有限公司北京100160

浸出—萃取—反萃—电积工艺中,残留在萃余液中的铜具有很高的回收价值。针对现有研究在机理和产物形貌方面分析的不足,开展了置换法从高铁低铜萃余液中回收铜的研究。系统考察时间、温度、加料方式、铁粉用量等条件对置换效果的影响,... 详细信息

浸出—萃取—反萃—电积工艺中,残留在萃余液中的铜具有很高的回收价值。针对现有研究在机理和产物形貌方面分析的不足,开展了置换法从高铁低铜萃余液中回收铜的研究。系统考察时间、温度、加料方式、铁粉用量等条件对置换效果的影响,实现了铜的高效置换回收。研究表明:在20℃机械搅拌30 min条件下,一次加入用量为Cu^(2+)完全反应所需理论用量7倍的铁粉,Cu^(2+)和Fe^(3+)的转化率分别为99.96%和95.86%,而H+转化率仅为2.37%。对试验结果进行热力学分析,发现反应的优先顺序和限度与热力学计算结果具有一致性。产物铜形貌表征分析表明,产物海绵铜主要由海绵状和类球状两种结构组成。

关键词：铜回收萃余液置换海绵铜

微腔效应对顶发射串联蓝光有机电致发光器件性能的影响

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物理学报 2020年第9期69卷 223-237页

作者：张娟焦志强闫华杰陈福栋黄清雨康亮亮刘晓云王路袁广才京东方科技集团股份有限公司北京102600

相比于传统有机电致发光器件,串联有机电致发光器件的发光效率与寿命均得到明显提升.因此,深入研究微腔效应对顶发射串联有机电致发光器件性能的影响具有重要意义.本文以蓝光器件为例,通过光学仿真模拟与实际实验相结合的方法,研究了顶... 详细信息

相比于传统有机电致发光器件,串联有机电致发光器件的发光效率与寿命均得到明显提升.因此,深入研究微腔效应对顶发射串联有机电致发光器件性能的影响具有重要意义.本文以蓝光器件为例,通过光学仿真模拟与实际实验相结合的方法,研究了顶发射串联蓝光器件的光学性能与电学性能变化规律.具体实验为:分别制备了顶发射串联蓝光器件,使其两个发光层位置分别位于器件光学结构中的第一与第二反节点、第二与第三反节点、第三与第四反节点.分析并确定了顶发射串联蓝光器件的两个发光层位置分别位于第二反节点与第三反节点处时,器件性能较佳.即:当器件电流密度为15 mA/cm^2时,器件电流效率为10.68 cd/A(色坐标CIEx,y=0.14,0.05),其亮度衰减到95%所需时间为1091.55 h.可能原因是:器件腔长较长时,既可以改善第一发光单元的空穴与电子平衡度、削弱表面等离激元效应,降低膜厚波动性对器件腔长的影响性;又可以在一定程度内起到包裹Partical的作用,提高效率,延长寿命.这一研究成果为设计高效率、长寿命的顶发射串联器件提供了重要依据.

关键词：光学设计串联有机电致发光器件电流效率寿命

面向水下目标搜救的潜器探测模型构建与性能分析

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控制与决策 2025年第1期 170-179页

作者：于传合高卫华李树奎葛骑岐唐山港集团股份有限公司京东方科技集团股份有限公司上海交通大学电子信息与电气工程学院

水下潜器凭借其强机动性和自主性,已成为海事搜索救援中的必要设备.现有研究普遍通过随机部署潜器的方式来实现给定水域目标探测,并没有从理论上对探测航迹和队形进行建模分析.鉴于此,首先,证明随机选择起点和移动方向的潜器,直线航迹... 详细信息

水下潜器凭借其强机动性和自主性,已成为海事搜索救援中的必要设备.现有研究普遍通过随机部署潜器的方式来实现给定水域目标探测,并没有从理论上对探测航迹和队形进行建模分析.鉴于此,首先,证明随机选择起点和移动方向的潜器,直线航迹是实现最大覆盖和最大目标探测概率的最优航迹;然后,基于上述探测航迹,采用测度理论建立面向水下搜索救援的潜器探测模型;接着,考虑潜器通信损耗,证明潜器感知区域在相切时是最优的探测队形,并严格分析潜器编队夹角、间距、移动速度和采样周期对目标探测概率的影响;最后,通过仿真结果验证所构建模型和所提出方法可有效地提高目标的探测概率.

关键词：潜器搜索救援水下探测编队覆盖

财务管理支撑企业创新发展——访京东方科技集团股份有限公司首席财务官孙芸

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中国总会计师 2019年第2期 15-17页

作者：孙芸京东方科技集团股份有限公司财务部

京东方科技集团股份有限公司在短短二十余年内,迅速崛起成为行业中的全球领先者,其独特且适合自身发展的财务管理体系发挥了不可替代的重要作用。在首席财务官孙芸及其团队的不懈努力下,京东方探索、实践出了一套具有自身特色且适合于... 详细信息

京东方科技集团股份有限公司在短短二十余年内,迅速崛起成为行业中的全球领先者,其独特且适合自身发展的财务管理体系发挥了不可替代的重要作用。在首席财务官孙芸及其团队的不懈努力下,京东方探索、实践出了一套具有自身特色且适合于自身发展的财务管理体系,在集团业务发展中发挥了至关重要的驱动和引领作用。

关键词：京东方科技集团股份有限公司企业创新发展首席财务官财务管理《中国总会计师》宏观经济形势结构性改革可持续发展

非晶硅薄膜厚度及特性对准分子激光晶化的影响

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表面技术 2018年第4期47卷 109-114页

作者：李小龙黄鹏张慧娟李栋田雪雁李良坚刘政京东方科技集团股份有限公司北京100176

目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同... 详细信息

目的增加准分子激光晶化最优能量密度的工艺窗口以及提高晶化后多晶硅晶粒尺寸的均匀性,并最终改善低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)的特性。方法采用PECVD技术在玻璃基板上沉积不同厚度及折射率的非晶硅薄膜(Amorphous Silicon Film)。利用高温退火炉脱氢后进行准分子激光退火(Excimer Laser Annealing,ELA),完成非晶硅到多晶硅的转变。通过扫描电镜、原子力显微镜对多晶硅晶粒尺寸以及表面粗糙度进行分析,后续完成薄膜晶体管后利用I-V测试机台对器件特性进行测试。结果随着非晶硅薄膜厚度的增加,准分子激光晶化的最优能量密度(Optimal Energy Density,OED)以及工艺窗口(OED Margin)均增加,当膜层厚度大于等于47 nm时,OED Margin均为25 mJ/cm^2。当膜厚为47 nm时,多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.64,也处于较优的水平。非晶硅薄膜折射率为4.5时,形成的多晶硅晶粒尺寸均匀性为0.45,远优于折射率为4.38时的多晶硅晶粒尺寸均匀性。折射率为4.5的非晶硅薄膜形成未掺杂的LTPS TFT(PMOS)迁移率为120.6 cm^2/(V?s),阈值电压为-1.4 V,关态电流为53 pA;折射率为4.38时的迁移率为112.4 cm^2/(V?s),阈值电压为-2.0 V,关态电流为71 pA。结论当非晶硅膜厚为47 nm时,准分子激光晶化的OED Margin以及晶化后的多晶硅晶粒尺寸均处于较优的水平。另外,提高非晶硅薄膜折射率同样有利于改善多晶硅晶粒尺寸均匀性以及薄膜晶体管转移特性。

关键词：非晶硅薄膜准分子激光晶化折射率薄膜晶体管器件特性

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低品位铜钴矿浸出液中和沉钴研究

有色金属（冶炼部分） 2025年第1期 28-33页

作者：杨要峰张永禄揭晓武徐登魁于勇健迪兹瓦矿业股份有限公司科卢韦齐999059刚果(金) 矿冶科技集团有限公司北京100160

针对某低品位铜钴矿浸出—脱铜—净化后的低钴溶液,以活性氧化镁为中和剂,考察了一段沉淀工艺中和剂用量、时间、钴锰质量比(Co/Mn)等对钴及杂质沉淀效果的影响。结果表明,MgO加入量为理论量的1.20倍,沉淀时间8 h,Co/Mn=5.95时,Co、Mn... 详细信息

针对某低品位铜钴矿浸出—脱铜—净化后的低钴溶液,以活性氧化镁为中和剂,考察了一段沉淀工艺中和剂用量、时间、钴锰质量比(Co/Mn)等对钴及杂质沉淀效果的影响。结果表明,MgO加入量为理论量的1.20倍,沉淀时间8 h,Co/Mn=5.95时,Co、Mn沉淀率分别为88.30%和44.80%,氢氧化钴产品中Co含量36.85%,杂质Mg、Mn分别为2.15%和2.73%。基于一段沉钴优化条件,考察了两段中和沉钴循环试验。结果表明,MgO加入量为理论量的1.20倍,Co/Mn=5.95时,一段中和时间8 h,二段中和时间3 h,Co、Mn整体沉淀率分别为96.63%和34.67%,氢氧化钴产品中Co含量37.70%,杂质Mg、Mn分别为2.48%和2.85%。相比而言,两段沉钴方案Co沉淀率高,杂质Mn沉淀率低,两段沉钴方案适宜处理该低钴溶液。

关键词：钴铜钴矿氧化镁沉淀

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光刻法图案化石墨烯研究

液晶与显示 2019年第1期34卷 33-38页

作者：吕志军张锋刘文渠董立文宋晓欣崔钊王利波孟德天京东方科技集团股份有限公司北京100176

介绍了光刻法石墨烯的制备方法,分析了光刻工艺过后石墨烯方阻升高的不良机理,并给出了相应的优化方案。首先,根据半导体工艺研发制程完成石墨烯图案化工艺方案,并对工艺方案进行有效优化。接着,分析了石墨烯光刻法图案化后方阻升高的... 详细信息

介绍了光刻法石墨烯的制备方法,分析了光刻工艺过后石墨烯方阻升高的不良机理,并给出了相应的优化方案。首先,根据半导体工艺研发制程完成石墨烯图案化工艺方案,并对工艺方案进行有效优化。接着,分析了石墨烯光刻法图案化后方阻升高的机理。最后,通过改善工艺方案,增加金属湿法刻蚀的步骤,解决石墨烯方阻升高的问题。实验结果表明:通过光刻法制得的石墨烯具有更高的图案精细度,关键尺寸可达到5μm。双层石墨烯膜的方阻在光刻法图案化后,通过工艺改善可以保持原始膜最初阻值约330Ω/,甚至可以降低到270Ω/左右。光刻法图案化石墨烯技术,既能保证石墨烯图案尺寸精度,又可以保持甚至降低石墨烯方阻值,适合于量产开发。

关键词：光刻石墨烯方块电阻关键尺寸

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基于岛–桥结构的拉伸AMOLED显示技术

中国科学：化学 2022年第11期52卷 2092-2103页

作者：薛金祥孙中元焦志强王路刘文祺安澈王伟杰谷新袁广才京东方科技集团股份有限公司北京100176

LTPS–AMOLED技术已经广泛应用在柔性显示领域,但是由于脆性膜层材料限制无法直接应用于拉伸显示领域.本文以LTPS–AMOLED技术为基础结合镂空技术制备了具有岛桥结构的拉伸显示器件.为确保拉伸显示具有良好的拉伸性能,本文研究了影响拉... 详细信息

LTPS–AMOLED技术已经广泛应用在柔性显示领域,但是由于脆性膜层材料限制无法直接应用于拉伸显示领域.本文以LTPS–AMOLED技术为基础结合镂空技术制备了具有岛桥结构的拉伸显示器件.为确保拉伸显示具有良好的拉伸性能,本文研究了影响拉伸性能的影响因素.首先通过研究拉伸变形机理发现拉伸结构设计时减小桥宽度、增加桥的长度、减小夹角角度和适当增大夹角半径可以更好的释放应力应变.其次研究表明拉伸过程中连接桥会产生拉应变、压应变和中性位置,金属引线位于中性位置或者压应变位置会有效减小断裂风险.连接桥的无机层裂纹产生的诱导断裂会随着其膜厚的增加而增强,而有机层可以阻隔诱导断裂并且阻隔性随着有机层厚度增加而增强,因此通过减小连接桥的无机层厚度、增加有机层厚度可有效减小无机层断裂产生的影响.最后制备了2.3 inch的OLED可伸缩显示屏,水平方向的拉伸量可达到5%以上.

关键词： LTPS–AMOLED 拉伸显示诱导断裂镂空结构

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激光在显示器件绑定的应用研究

液晶与显示 2020年第12期35卷 1258-1263页

作者：王莉莉刘超宋月胜汪楚航孙海威京东方科技集团股份有限公司北京100176

随着显示技术的不断发展,全面屏显示愈发受到市场的欢迎和追捧。为了最大限度降低产品边框、提高显示产品的屏占比,本文研究了激光固化各向异性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)来实现显示器件绑定的新技术。通过对TFT的电极... 详细信息

随着显示技术的不断发展,全面屏显示愈发受到市场的欢迎和追捧。为了最大限度降低产品边框、提高显示产品的屏占比,本文研究了激光固化各向异性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film,ACF)来实现显示器件绑定的新技术。通过对TFT的电极压痕、粒子形变量、ACF反应率、拉拔力和产品信赖性等测试,发现激光绑定是一项实际可行的显示器件绑定技术。本文进行了激光绑定技术优势验证,得到(1)最小热损伤距离,相比较传统热压绑定技术,热损伤安全距离由0.75 mm降低至0.15 mm,极大地缩短了IC/COF到偏光片的距离,避免了偏光片烫伤内缩影响显示。(2)降低量产生产节拍时间,由于激光能量均匀集中,且直接加热ACF,使得ACF固化速度更快,在现有ACF条件下,本压时间可由5 s降低至3 s,大幅度加快生产节拍,提高产品的生产效率。可见,激光绑定既可以解决热压工艺瓶颈,实现极致窄边框显示器的绑定,又能降低生产节拍时间,提高生产效率,是一种非常有前途的新技术。

关键词：全面屏显示激光绑定热损伤