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ZnO薄膜的制备和发光特性的研究

发光学报 2002年第4期23卷 389-392页

作者：梅增霞张希清衣立新韩建民赵谡玲王晶李庆福北方交通大学光电子技术研究所北京100044 信息存储显示与材料开放实验室北京100044

用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,... 详细信息

用射频磁控溅射的方法在石英衬底上沉积了氧化锌薄膜。在室温下测量了样品的XRD曲线、吸收光谱以及光致发光光谱,探讨了气氛中氧气与氩气比对制备薄膜的影响。从XRD谱中可以看出,样品具有较好的结晶状态。另外,样品在紫外有较强的吸收,而其光致发光也是较强的紫外发射,这表明带间跃迁占了主导地位。以上结果说明:用溅射方法制备的ZnO薄膜结晶质量较好,富锌状态有所改善。

关键词：制备 ZnO薄膜光致发光溅射氧化锌薄膜半导体材料

共轭聚合物MEH-PPV的固态阴极射线发光

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发光学报 2003年第1期24卷 103-106页

作者：刘明滕枫孙世菊刘姗姗徐征北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放研究实验室

在有机 /无机异质结ZnS/MEH PPV/ZnS器件中 ,交流驱动条件下 ,实现了共轭聚合物MEH PPV的固态阴极射线发光 ,器件的发光光谱与MEH PPV的光致发光谱相同。电子经过ZnS层加速后 ,成为过热电子 ,这些过热电子直接碰撞激发MEH PPV而发光。... 详细信息

在有机 /无机异质结ZnS/MEH PPV/ZnS器件中 ,交流驱动条件下 ,实现了共轭聚合物MEH PPV的固态阴极射线发光 ,器件的发光光谱与MEH PPV的光致发光谱相同。电子经过ZnS层加速后 ,成为过热电子 ,这些过热电子直接碰撞激发MEH PPV而发光。在日光灯照明下 ,可以看到器件的均匀发光。

关键词：共轭聚合物 MEH-PPV 固态阴极射线发光有机/无机异质结电致发光器件发光光谱平板显示

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富锌型氧化锌薄膜的蓝区及近紫外区发光特性

科学通报 2001年第6期46卷 517-520页

作者：衣立新张希清侯延冰徐征何大伟王永生徐叙瑢北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放研究实验室北京100044

用电子束蒸发的方法制备了富锌的氧化锌薄膜, 在室温下测量了它的光致发光和电致发光光谱, 发现光致发光主要集中在近紫外(UV)区. 而电致发光光谱中, 出现了近紫外发射峰和蓝色发射带, 并且在电场调制下发光出现了场致猝灭现象. 电致发... 详细信息

用电子束蒸发的方法制备了富锌的氧化锌薄膜, 在室温下测量了它的光致发光和电致发光光谱, 发现光致发光主要集中在近紫外(UV)区. 而电致发光光谱中, 出现了近紫外发射峰和蓝色发射带, 并且在电场调制下发光出现了场致猝灭现象. 电致发光中蓝色发射带的位置与用低压MOCVD方法制备的富锌的氧化锌薄膜的电致发光相比有较大的蓝移. 这些结果表明在用所设计方案制备的器件中, 富锌型氧化锌薄膜可以产生大于禁带宽度的过热电子能量, 是获得UV及蓝光发射的一种具有新机理的、有希望的新途径.

关键词：富锌型氧化锌薄膜电致发光光致发光蓝区半导体材料光谱近紫外区

稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究

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光谱学与光谱分析 2003年第2期23卷 226-228页

作者：沈鸿徐征陶栋梁杨军陈晓红章婷徐怡庄吴谨光北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室北京100871

将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu^(3+)的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu^(3+)位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。

关键词：稀土配合物 Eu〔asprin)3phen 发光特性铕电致发光

柠檬酸钾电子注入层对有机电致发光器件的影响(英文)

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发光学报 2012年第4期33卷 408-411页

作者：赵建伟高靖欣李佳北京交通大学发光与光信息教育部重点实验室光电子技术研究所北京100044

使用柠檬酸钾(C6H5K3O7)作为电子注入材料,制备了多层有机电致发光器件。当柠檬酸钾阴极修饰层厚度为0.5 nm时,得到3.6 cd/A的发光效率,高于0.5 nm LiF作阴极修饰层时的发光效率(2.5 cd/A)。器件的开启电压相比0.5 nm LiF作阴极修饰的... 详细信息

使用柠檬酸钾(C6H5K3O7)作为电子注入材料,制备了多层有机电致发光器件。当柠檬酸钾阴极修饰层厚度为0.5 nm时,得到3.6 cd/A的发光效率,高于0.5 nm LiF作阴极修饰层时的发光效率(2.5 cd/A)。器件的开启电压相比0.5 nm LiF作阴极修饰的器件降低了0.5 V。实验结果表明,柠檬酸钾(C6H5K3O7)是一种良好的电子注入材料。

关键词：有机发光二极管柠檬酸钾电子注入层

用巯基乙酸作稳定剂制备CdSe纳米晶的光学性质(英文)

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发光学报 2002年第2期23卷 145-151页

作者： Wageh S 刘舒曼徐叙瑢北方交通大学光电子技术研究所信息存贮显示与材料部级开放实验室北京100044 Faculty of Electronic Engineering Egypt Minufiya UniversityEgypt

以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe纳米晶 ,通过尺寸选择沉淀得到 2nm到 3nm之间不同尺寸的纳米晶 ,利用室温光吸收 ,光致发光 (PL)和光致发光激发 (PLE)谱来研究了CdSe纳米团簇的光学性质。紫外可见吸收谱给出了具有清晰激光特征的尖锐吸... 详细信息

以巯基乙酸为稳定剂制备了CdSe纳米晶 ,通过尺寸选择沉淀得到 2nm到 3nm之间不同尺寸的纳米晶 ,利用室温光吸收 ,光致发光 (PL)和光致发光激发 (PLE)谱来研究了CdSe纳米团簇的光学性质。紫外可见吸收谱给出了具有清晰激光特征的尖锐吸收边 ,这表明样品的尺寸分布很窄。光致发光研究表明 ,样品有两个发射带 ,一个具有较高能量位于吸收边 ,来自电子空穴对从最低激发态能级弛豫后的辐射复合 ,另一个低能发射带归属于基质与纳米晶界面存在的俘获中心。PLE谱中有 2个吸收带 ,分别是S S和P P跃迁。

关键词：巯基乙酸稳定剂制备 CdSe纳米晶光学性质光致发光光致发光激发硒化镉半导体

氟离子浓度对稀土掺杂上转换发光纳米材料形貌及荧光寿命的影响

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物理化学学报 2016年第8期32卷 2108-2112页

作者：刘珊珊徐征赵谡玲梁志琴朱薇北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室北京100044 北京交通大学光电子技术研究所北京100044

利用溶剂热法制备了Yb^(3+)、Er^(3+)共掺的Na YF4上转换发光纳米材料。实验结果表明,不同F-离子对纳米晶的晶型和粒径尺寸起着重要的作用。低F-离子浓度下,NaYF_4纳米材料的粒径尺寸随F-离子浓度的增加逐渐变小且趋于均一;高F-离子浓度... 详细信息

利用溶剂热法制备了Yb^(3+)、Er^(3+)共掺的Na YF4上转换发光纳米材料。实验结果表明,不同F-离子对纳米晶的晶型和粒径尺寸起着重要的作用。低F-离子浓度下,NaYF_4纳米材料的粒径尺寸随F-离子浓度的增加逐渐变小且趋于均一;高F-离子浓度下,六方晶相的形成受到抑制,上转换纳米晶出现团聚现象。在一定浓度范围内,F-离子的浓度有利于促进荧光发射。同时F-离子浓度对荧光寿命也有显著的影响。

关键词：上转换发光纳米材料 NaYF4 形貌控制荧光寿命

稀土铽配合物TbY(m-MBA)_6(phen)_2·2H_2O的有机电致发光

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中国稀土学报 2004年第1期22卷 71-74页

作者：张梦欣邓振波徐登辉张志峰白峰梁春军王瑞芬北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 河北师范大学化学系河北石家庄050091

合成了两种新型稀土配合物[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O和TbY(m MBA)6(phen)2·2H2O,将其掺杂到导电聚合物PVK中用于有机电致发光器件的发光层,这样改善了配合物的成膜特性和导电性质。用这种搀杂体系分别制作了单层发光器件和以AlQ为电子... 详细信息

合成了两种新型稀土配合物[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O和TbY(m MBA)6(phen)2·2H2O,将其掺杂到导电聚合物PVK中用于有机电致发光器件的发光层,这样改善了配合物的成膜特性和导电性质。用这种搀杂体系分别制作了单层发光器件和以AlQ为电子传输层的双层器件。研究了这些单、双层器件的电致发光性能,对比了以[Tb(m MBA)3phen]2·2H2O为发光层的双层器件和以TbY(m MBA)6(phen)2·2H2O为发光层的器件,发现后者效率更高,为0 88cd·A-1,其最大亮度为123cd·m-2。

关键词：发光学有机电致发光稀土配合物激子铽

铽配合物TbY(o-MBA)_6(phen)_2与PVK掺杂体系的发光性质研究

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中国稀土学报 2006年第2期24卷 163-167页

作者：张元元邓振波梁春军程宝妹肖静徐登辉王瑞芬北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044 河北师范大学化学系河北石家庄050091

合成了一种新型的稀土铽配合物材料TbY(o-MBA)6(phen)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了多种结构的电致发光器件:器件A,ITO/PVK∶TbY(o-MBA... 详细信息

合成了一种新型的稀土铽配合物材料TbY(o-MBA)6(phen)2,把它作为发光材料应用于有机电致发光中。把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了多种结构的电致发光器件:器件A,ITO/PVK∶TbY(o-MBA)6(phen)2/LiF/Al;器件B,ITO/PVK∶TbY(o-MBA)6(phen)2/AlQ/LiF/Al;器件C,ITO/PVK∶TbY(o-MBA)6(phen)2/BCP/AlQ/LiF/Al。对器件A和B得到了纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制。研究了掺杂体系的光致发光性能和电致发光性能,认为在光致发光中,铽的发光主要来源于PVK到稀土配合物的Frster能量传递。而在电致发光中,铽的发光主要来源于稀土配合物直接捕获载流子形成激子复合发光。并通过优化选择得到了发光性能较好的器件B,其最大亮度在14V时达到213cd·m-2。

关键词：铽配合物电致发光激子稀土