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紫外线激发后KCl:Cu^+的光激励发光

光谱学与光谱分析 2005年第10期25卷 1733-1735页

作者：孙力王永生赵谡玲徐征薛炜炜北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

用固相反应法制备了KCl:Cu+多晶样品。经紫外光辐照后,用560 nm的光照射能产生近紫外蓝光的光激励发光。研究表明,Cu+作为发光中心,经紫外光辐照后并没有产生Cu+到Cu2+的变价,即Cu+不是空穴俘获中心,而阴离子空位充当电子陷阱。当激发... 详细信息

用固相反应法制备了KCl:Cu+多晶样品。经紫外光辐照后,用560 nm的光照射能产生近紫外蓝光的光激励发光。研究表明,Cu+作为发光中心,经紫外光辐照后并没有产生Cu+到Cu2+的变价,即Cu+不是空穴俘获中心,而阴离子空位充当电子陷阱。当激发后的样品受到光激励时,电子与空穴中心或VK心复合后将能量传递给Cu+离子,产生d-s跃迁的特征发射。

关键词：光激励发光 KCl Cu^+ 电子俘获

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PVK/BCP体系电致激基复合物的研究

光谱学与光谱分析 2005年第5期25卷 669-671页

作者：滕枫王元敏徐征王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

在PVK/BCP双层电致发光器件中发现了电致激基复合物的发光,器件的光谱中,除了有与光致发光相同的发光峰,在长波方向还有一个新的发光峰,该发光峰就是电致激基复合物的发光,发光来源于BCP的激发态向PVK基态的跃迁。PVK∶BCP混合型器件由... 详细信息

在PVK/BCP双层电致发光器件中发现了电致激基复合物的发光,器件的光谱中,除了有与光致发光相同的发光峰,在长波方向还有一个新的发光峰,该发光峰就是电致激基复合物的发光,发光来源于BCP的激发态向PVK基态的跃迁。PVK∶BCP混合型器件由于复合区域扩展,BCP分子可以与PVK充分接触,因此电致激基复合物的发光更强。不论是在双层器件还是在混合型器件中,随驱动电压的增加,电致激基复合物的发光都会增强,而混合型器件更加明显,当电压比较高时,器件只有电致激基复合物的发光了,而没有本征发光。

关键词：电致激基复合物有机电致发光混合型器件

水溶胶CdSe/CdS核/壳结构纳米晶制备及光学性质的研究

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光谱学与光谱分析 2005年第5期25卷 651-654页

作者：滕枫唐爱伟高银浩梁春军徐征王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它... 详细信息

以巯基乙酸为稳定剂在水溶液中合成了水溶胶CdSe/CdS核/壳结构的量子点,利用X射线粉末衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)对量子点结构进行了表征;并对化学组成和尺寸分布进行了研究。通过紫外可见吸收光谱、激发光谱与发射光谱研究了它们的发光特性。

关键词： Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点水溶胶

水溶胶CdSe纳米复合器件电致发光特性的研究

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功能材料 2006年第7期37卷 1105-1107页

作者：唐爱伟滕枫高银浩梁春军王永生北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了水溶胶CdSe纳米晶,透射电子显微镜表明了纳米晶的形态和尺寸大小。用表面活性剂将CdSe纳米晶从水相中转移到有机相中,将其与具有空穴传输性能的聚合物PVK互溶在一起作为电致发光器件的发光层,以Alq3作... 详细信息

以巯基乙酸为稳定剂在水相中制备了水溶胶CdSe纳米晶,透射电子显微镜表明了纳米晶的形态和尺寸大小。用表面活性剂将CdSe纳米晶从水相中转移到有机相中,将其与具有空穴传输性能的聚合物PVK互溶在一起作为电致发光器件的发光层,以Alq3作为电子传输层,在发光层与Alq3之间加入了空穴阻挡层BCP制备了多层电致发光器件,研究了不同CdSe/PVK配比下水溶胶CdSe纳米复合器件的电致发光特性,结果发现随着水溶胶CdSe纳米晶在纳米复合物中所占比例的降低,电致发光器件的发光强度有所提高,起亮电压有所降低。

关键词：纳米复合器件水溶胶 CdSe/PVK 电致发光

掺杂有机电致发光中电压调制变色两种机制的探讨

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光谱学与光谱分析 2002年第6期22卷 891-894页

作者：章婷徐征陈晓红沈鸿刘舒曼北方交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料部级开放实验室北京100044

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑 (PVK) :Rubrene和Alq3:MN PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究 ,发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子... 详细信息

研究两种掺杂电致发光器件聚乙烯基咔唑 (PVK) :Rubrene和Alq3:MN PPV。通过其光致发光及电致发光特性的研究 ,发现两种器件的光致发光与电致发光有较大差别。分析认为这是能量传递及电致发光中陷阱对载流子吸引的共同作用使得PVK激子在光致发光和电致发光中的复合速率不同造成的 ;同时发现对于不同浓度的PVK :Rubrene及Alq3:MN PPV电致发光随电压增加都发生变色现象 ,但是它们分别是由两种不同的机制造成的 :前者作为染料分子Rubrene ,不能形成类似Alq3那样的分相体系 ,Rubrene发光主要来自PVK的能量传递及陷阱电子对PVK空穴的吸引 ;后者是由于分相造成载流子在两相中的迁移不平衡。

关键词：掺杂有机电致发光电压调制变色有机电致发光器件能量传递聚乙烯基咔唑聚合物发光机理 Alq3:MN-PPV

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苯甲酰水杨酸铽的合成与发光特性研究

光谱学与光谱分析 2005年第6期25卷 828-831页

作者：林鹏梁春军邓振波白峰张志峰熊德平张希清北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

合成了一类以苯甲酰水杨酸(BenzoylSalicylicAcid,BSA)为配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO PVK :Tb(BSA) 4 LiF Al的电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,... 详细信息

合成了一类以苯甲酰水杨酸(BenzoylSalicylicAcid,BSA)为配体的稀土铽配合物,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO PVK :Tb(BSA) 4 LiF Al的电致发光器件。并对该配合物的吸收特性及电致发光和光致发光性能进行了研究,实验数据表明,在PVK与Tb(BSA) 4之间存在着能量传递,在电致发光中,PVK的发光完全被抑制,这与光致发光的表现不同,这是由于两种发光(光致和电致)机理不同造成的。文章同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响。

关键词：稀土苯甲酰水杨酸铽能量传递电致发光

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PVK:TPB掺杂体系稳态光谱的研究

光谱学与光谱分析 2005年第6期25卷 811-814页

作者：孙世菊滕枫徐征张延芬侯延冰北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

研究了掺杂有机蓝光染料TPB的PVK薄膜的发光特性,通过对掺杂薄膜的吸收光谱、激发光谱及发射光谱的分析,研究了PVK与Alq3之间的能量传递规律。当掺杂浓度为5 %时,能量传递效率最高。用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量对实验进... 详细信息

研究了掺杂有机蓝光染料TPB的PVK薄膜的发光特性,通过对掺杂薄膜的吸收光谱、激发光谱及发射光谱的分析,研究了PVK与Alq3之间的能量传递规律。当掺杂浓度为5 %时,能量传递效率最高。用一个由单链模型扩展到包括杂质的哈密顿量对实验进行模拟,发现该模型能够较好地解释有关的实验结果。

关键词：吸收光谱激发光谱发射光谱能量传递

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用吸收差谱研究电子俘获材料的光激励发光

光谱学与光谱分析 2005年第11期25卷 1749-1752页

作者：孙力王永生何志毅孟宪国北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能... 详细信息

以SrS:Eu,Sm为例说明可以利用电子俘获材料在光激发前后的吸收谱的差别来获取电子俘获材料光激励发光的信息。电子俘获材料在激发后的吸收光谱同时包含了不同陷阱(杂质)对光激励的吸收情况。因此激发前后的吸收光谱差(吸收差谱)除了能给出与光激励谱相同的信息外,还包含空穴陷阱的激励,光存储总量等信息,因此有助于更全面地了解材料的光激励发光过程。

关键词：电子俘获材料吸收光谱光激励发光

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CdS薄膜的化学沉积法制备及其特性的研究

光谱学与光谱分析 2007年第1期27卷 32-34页

作者：孙学柏张希清杜鹏常笑薇王俊玲黄世华北京交通大学光电子技术研究所信息存储显示与材料开放实验室北京100044

用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的... 详细信息

用化学沉积方法在沉积温度为90℃下制备了CdS薄膜。研究了直接退火处理和涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理对CdS薄膜的影响。利用X射线衍射、扫描电子显微镜对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了研究,发现没有任何处理的CdS薄膜没有明显的晶型;直接退火处理促进了CdS立方相的结晶,晶粒没有增大且生长出许多细小的晶粒;涂敷CdCl2甲醇饱和溶液后退火处理不仅极大地促进了CdS六角相的结晶,而且晶粒增粗增大,表面更加光滑。用吸收光谱研究了薄膜的光学特性,发现退火使薄膜的禁带宽度变窄,涂敷CdCl2甲醇溶液后退火处理使吸收边变陡和带尾变小。表明涂敷CdCl2甲醇溶液退火处理明显改善CdS薄膜的结晶质量和光学性质。

关键词：化学沉积 CdS薄膜 CdCl2处理退火