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检索条件"机构=内蒙古工业大学理学院物理学系"
1539683 条 记 录,以下是121-130 订阅
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一类内部点条件含有谱参数的Sturm-Liouville问题
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应用数学学报 2024年
作者: 许美珍 刘薇 内蒙古工业大学理学院
本文主要研究了一类内部点条件含有谱参数的Sturm-Liouville算子的自伴性、格林函数以及特征值的依赖性.首先在适当的Hilbert空间中定义一个与问题相关的线性算子T,将所要研究的问题转化为对此空间算子T的研究,然后证明了算子T是自伴的... 详细信息
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光纤光栅非线性对色散特性的影响
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光子学报 2007年 第5期36卷 789-792页
作者: 李文材 杨性愉 内蒙古工业大学理学院物理 内蒙古呼和浩特010051 内蒙古大学理工学院物理 内蒙呼和浩特010021
通过在能量较高、考虑非线性时,求解光纤光栅非线性耦合模方程连续波条件下的解,得到光纤光栅失谐量δ与光脉冲传播常量q的非线性色散关系和光栅致群速度色散系数β2g与δ的关系.用MATLAB绘图,得到非线性参量γ和光脉冲能量P0的乘积γP... 详细信息
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外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态
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发光学报 2010年 第6期31卷 870-876页
作者: 郭海峰 哈斯花 朱俊 内蒙古工业大学理学院物理 内蒙古呼和浩特010051 内蒙古大学物理科学与技术学院 内蒙古呼和浩特010021
考虑自发与压电极化引起的内建电场,自由电子-空穴气屏蔽效应和外加电场,基于常微分数值计算,自洽求解电子与空穴的薛定谔方程和泊松方程以获得基态能级。以典型的GaN/A lxGa1-xN纤锌矿氮化物应变量子阱为例,通过数值求解,得到电子与空... 详细信息
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基于Ti-5Al-1V-1Sn-1Zr-0.8Mo合金的分段电压微弧氧化膜层的研究(英文)
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稀有金属材料与工程 2019年 第8期48卷 2474-2479页
作者: 吕凯 郭宝全 张雅萍 陈伟东 内蒙古工业大学
主要研究分段电压对于钛合金表面所制备的微弧氧化膜层特性的影响。利用扫描电子显微镜(SEM)和激光扫描共聚焦显微镜对MAO膜层的结构进行了表征,利用能谱分析(EDS)和X射线衍射(XRD)对膜层成分进行分析。对比评价了不同分段电压模式下膜... 详细信息
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Zn固溶量对Mg-Zn-Y合金组织的影响
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稀有金属材料与工程 2019年 第7期48卷 2179-2184页
作者: 苏娟 郭锋 蔡会生 刘亮 陈宝东 内蒙古工业大学
利用电化学相分离法,成功提取Mg-Zn-Y合金中的第二相,并获得合金元素在Mg-Zn-Y合金中的固溶量,建立了镁合金中直接测定元素固溶量的方法。利用Miedema混合焓模型及Toop模型(对称)和Kohler模型(非对称)计算Mg-Zn-Y三元合金中Zn的活度及... 详细信息
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碱土金属掺杂ZnO电子结构的理论研究
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功能材料 2013年 第6期44卷 788-790,794页
作者: 林琳 杨友昌 杨桔材 内蒙古工业大学理学院 内蒙古呼和浩特010051 遵义师范学院物理 贵州遵义563002 内蒙古工业大学能动学院 内蒙古呼和浩特010051
采用第一性原理的超软赝势方法,对碱土金属掺杂纤锌矿ZnO以及未掺杂ZnO的电子结构进行了详细的计算。计算结果表明,随着原子序数的增加,能带带隙逐渐变小,但仍大于未掺杂的带隙(除镭外),这一现象显示了碱土金属比Zn的金属性强而导致O离... 详细信息
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一维六方压电准晶三角形孔边裂纹反平面问题
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应用力学学报 2016年 第3期33卷 421-426,545-546页
作者: 樊世旺 郭俊宏 内蒙古工业大学理学院 呼和浩特010051
通过引入合适的数值保角映射,利用Stroh型公式研究一维六方压电准晶中正三角形孔边裂纹的反平面问题,给出在电非渗透边界条件下三角形孔边裂纹尖端的场强度因子和能量释放率。通过数值算例,讨论场强度因子和能量释放率随缺陷几何尺寸和... 详细信息
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粮食气味物质的提取、关键组分判别及其在储藏中的应用研究进展
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食品科学 2025年 第1期46卷 266-273页
作者: 李慧 洪习文 王争艳 王艳艳 河南工业大学粮食和物资储备学院 河南郑州450001
粮食气味物质受粮食种类、储藏条件、储藏时间及是否受有害生物污染等多种因素影响,气味物质种类及含量能够及时反映粮食是否变质或受有害生物危害。首先,本文概述目前常用的粮食气味物质的提取和鉴定技术,总结不同状态粮食气味物质组成... 详细信息
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基于Ansys-Workbench EPKM点火过程流固耦合仿真分析
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固体火箭技术 2022年 第2期45卷 200-206页
作者: 刘迎宾 李卓 江晓瑞 内蒙古工业大学理学院 呼和浩特010051
利用Ansys-Workbench,通过对其Fluent流体计算模块进行编程嵌入,加入温度和压强点火判据来控制药柱内表面燃气的生成和燃面的扩展,并通过其Mechanical APDL(ANSYS Parametric Design Language)固体计算模块,以EPKM(LM-2E Perigee Kick M... 详细信息
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稀磁半导体材料居里温度的极值点
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发光学报 2009年 第5期30卷 702-705页
作者: 陈余 关玉琴 赵春旺 内蒙古工业大学理学院物理 内蒙古呼和浩特010051
以Zener模型为基础,考虑反铁磁性交换作用对DMS材料居里温度的影响,理论计算得到了居里温度关于掺杂浓度和反铁磁性交换作用的二元函数,对GaAs∶TM(Ga,TM)As(TM=Sc,Ti,V,Cr,Mn,Fe,Co,Ni)的居里温度做了详细分析得到:n型半导体居里温度... 详细信息
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