检索结果-南通市图书馆

在线全文

同方期刊数据库

学校读者我要写书评

暂无评论

纳米Cu_3N薄膜的制备与性能

物理学报 2005年第4期54卷 1687-1692页

作者：吴志国张伟伟白利峰王君阎鹏勋兰州大学等离子体与金属材料研究所兰州730000

采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响 .结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成 ,其中Cu3N纳米微晶具有立... 详细信息

采用柱状靶多弧直流磁控溅射法 ,10 0℃基底温度下在玻璃衬底上制备了纳米氮化铜 (Cu3N)薄膜 .用x射线衍射研究了不同氮气分压对Cu3N薄膜晶体结构及晶粒尺寸的影响 .结果显示薄膜由Cu3N和Cu的纳米微晶复合而成 ,其中Cu3N纳米微晶具有立方反ReO3结构 .通过原子力显微镜对薄膜表征显示 ,膜表面比较光滑 ,具有较低的粗糙度 .x射线光电子能谱对薄膜表面的成分分析表明 ,Cu3N薄膜表面铜元素同时以 +1价和 +2价存在 .Cu3N的Cu2p3 2 ,Cu2p1 2 及N1s峰分别位于 932 7,95 2 7和 399 9eV ,Cu2p原子自旋轨道耦合裂分能量间距为 2 0eV .用台阶仪和四探针方法测量了薄膜的厚度及电阻率 ,薄膜的沉积速率和电阻率在很大程度上受到氮气分压的调制 .

关键词：纳米Cu3N薄膜柱状靶多弧直流磁控溅射法 x射线衍射晶体结构氮气分压

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Cu_3N薄膜的制备及其霍尔效应研究

人工晶体学报 2006年第5期35卷 1108-1112页

作者：王明旭岳光辉范晓彦闫德闫鹏勋杨强兰州大学等离子体与金属材料研究所

采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12 sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜。XRD显示薄膜择优[100]晶向生长。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,... 详细信息

采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12 sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜。XRD显示薄膜择优[100]晶向生长。用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密。用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加。霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加。随温度的降低薄膜的载流子浓度降低。我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35 eV。

关键词：氮化铜薄膜 XRD SEM AFM 霍尔效应

偏压类型对磁过滤等离子体制备优质类金刚石膜的影响

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

中国有色金属学报 2005年第7期15卷 987-992页

作者：闫鹏勋李晓春李春李鑫徐建伟兰州大学等离子体与金属材料研究所兰州730000

采用自行研制的磁过滤等离子体装置在单晶Si基底上制备了优质类金刚石(DLC)薄膜。运用红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和纳米压痕仪对样品进行了表征和分析,着重研究了衬底偏压类型对制备薄膜的影响。结果表明:在无偏压... 详细信息

采用自行研制的磁过滤等离子体装置在单晶Si基底上制备了优质类金刚石(DLC)薄膜。运用红外光谱(IR)、扫描电镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和纳米压痕仪对样品进行了表征和分析,着重研究了衬底偏压类型对制备薄膜的影响。结果表明:在无偏压或周期性负偏压下制备的DLC薄膜的sp3含量比连续负偏压下制备的薄膜的sp3含量要高;同时在周期性偏压下制备的薄膜表面较光滑,其表面粗糙度仅为0.1nm,sp3含量达到66.8%,相应的纳米硬度也较高(达到80GPa)。同时对相应的成膜机理进行了讨论。

关键词：周期性偏压优质DLC膜磁过滤等离子体硬度

射频磁控溅射法制备Cu_3N薄膜及其性能研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

人工晶体学报 2006年第3期35卷 635-640页

作者：袁晓梅王君吴志国岳光辉闫鹏勋兰州大学等离子体与金属材料研究所兰州730000

采用反应射频磁控溅射法，在氮气和氩气的混合气体氛围中，玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜（Cu，N）薄膜，并研究了混合气体中氮气分量对Cu，N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响。原子力显微镜，X... 详细信息

采用反应射频磁控溅射法，在氮气和氩气的混合气体氛围中，玻璃基底上制备出了具有半导体特性的氮化铜（Cu，N）薄膜，并研究了混合气体中氮气分量对Cu，N薄膜的择优生长取向、平均晶粒尺寸、电阻率和光学带隙的影响。原子力显微镜，X射线衍射仪，四探针电阻仪，紫外可见光谱分析及纳米压痕仪等测试结果表明：薄膜由紧密排列的柱状晶粒构成，表面光滑致密；随着氮气分量的增加，Cu3N薄膜由沿（111）晶面择优生长转变为沿（100）晶面择优生长，晶粒尺寸变小，电阻率ρ从1．51×10^2Ω·cm逐渐增加到1．129×10^3Ω·cm；薄膜的光学带隙在1．34～1．75eV间变化；薄膜的硬度约为6．0GPa，残余模量约为108．3GPa。

关键词：氮化铜薄膜射频磁控溅射表面形貌电阻率光学带隙显微硬度