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一种由电子能量损失谱计算过渡金属d电子数的优化方法

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物理学报 2006年第7期55卷 3413-3419页

作者：杨卫国章晓中袁俊清华大学材料科学与工程系电子显微镜实验室北京100084

提出了一种由电子能量损失谱(EELS)计算过渡金属d电子数的“浮动窗口”方法,该方法是对现有方法的优化,它消除了现有方法中存在的严重的系统误差,能达到较高的精度.它的应用对于认识元素合金化后d电子数的变化以及电子结构与材料性能的... 详细信息

提出了一种由电子能量损失谱(EELS)计算过渡金属d电子数的“浮动窗口”方法,该方法是对现有方法的优化,它消除了现有方法中存在的严重的系统误差,能达到较高的精度.它的应用对于认识元素合金化后d电子数的变化以及电子结构与材料性能的关系具有重要意义.

关键词：电子能量损失谱浮动窗口方法 d电子数

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榴辉岩相变质岩中石榴石的塑性微裂隙

岩石学报 1996年第4期12卷 589-593页

作者：陈晶北京大学电子显微镜实验室

在变质岩中石榴石广泛发育微裂隙，这些微裂隙一直认为是在脆性变形过程中产生的。本文应用透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究证明，在榴辉岩相变质岩中，石榴石的微裂隙是塑性变形的产物。

关键词：榴辉岩相变质岩石榴石塑性微裂隙

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钴纳米粒子自组装有序阵列与磁性

物理学报 2003年第12期52卷 3114-3119页

作者：杨海涛申承民杜世萱苏轶坤王岩国汪裕萍高鸿钧中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室北京100080 中国科学院物理研究所电子显微镜实验室北京100080 北京大学电子显微镜实验室北京100871

采用高温液相分解法制备出平均粒径不同的单分散的钴纳米粒子 .用自组装的方法得到二维和三维的钴纳米粒子有序阵列 ,用透射电子显微镜研究了粒径、温度、有机溶剂以及浓度对钴纳米粒子的自组装的影响 .用超导量子干涉仪研究了钴纳米粒... 详细信息

采用高温液相分解法制备出平均粒径不同的单分散的钴纳米粒子 .用自组装的方法得到二维和三维的钴纳米粒子有序阵列 ,用透射电子显微镜研究了粒径、温度、有机溶剂以及浓度对钴纳米粒子的自组装的影响 .用超导量子干涉仪研究了钴纳米粒子的超顺磁性 .这些研究结果为深入研究磁性纳米粒子的物性和在纳米器件中的应用奠定了良好的基础 .

关键词：钴纳米粒子自组装高温液相分解法透射电子显微镜超导量子干涉仪超顺磁性纳米器件

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双晶衬底晶界的显微研究

低温物理学报 1997年第3期19卷 22-26页

作者：王永忠戴远东俞大鹏胡晓东王世光王胜强刘真泉中科院北京电子显微镜实验室北京大学物理系北京大学电子显微镜实验室

在空气中加压烧制了钇稳定氧化锆（ＹＳＺ）双晶衬底，利用光学显微镜和透射电镜对其晶界进行了观察，以了解其与衬底上ＹＢＣＯ晶界结超导弱连接性能的关系．我们发现晶界在光学显微镜下清楚笔直，在透射电镜高分辨像下原子排列很规则... 详细信息

在空气中加压烧制了钇稳定氧化锆（ＹＳＺ）双晶衬底，利用光学显微镜和透射电镜对其晶界进行了观察，以了解其与衬底上ＹＢＣＯ晶界结超导弱连接性能的关系．我们发现晶界在光学显微镜下清楚笔直，在透射电镜高分辨像下原子排列很规则，晶界宽度约一个纳米．同时，在晶界结性能差的双晶衬底上，发现了十分之一微米量级的被非晶态物质填充的孔洞．

关键词：衬底基片双晶结晶界晶粒间界晶体点阵

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一种非连续纳米氧化层自旋阀的显微结构研究

物理学报 2002年第8期51卷 1851-1855页

作者：沈峰徐庆宇卢正启蔡建旺赖武彦张泽中国科学院物理研究所北京电子显微镜实验室北京100080

利用高分辨电子显微学方法 (HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(3 5nm) Ni80 Fe2 0 (2nm) Ir1 7Mn83(6nm) Co90 Fe1 0 (1 5nm) NOL1 Co90 Fe1 0 (2nm) Cu(2 2nm) Co90 Fe1 0 (1 5nm) NOL2 Ta(3nm) .... 详细信息

利用高分辨电子显微学方法 (HREM)研究了纳米氧化层镜面反射自旋阀多层结构Ta(3 5nm) Ni80 Fe2 0 (2nm) Ir1 7Mn83(6nm) Co90 Fe1 0 (1 5nm) NOL1 Co90 Fe1 0 (2nm) Cu(2 2nm) Co90 Fe1 0 (1 5nm) NOL2 Ta(3nm) .该自旋阀的巨磁电阻 (GMR)效应高达 15 % ,较无此镜面反射纳米氧化层 (NOL)的自旋阀提高近 1倍 ,同时交换偏置场亦有所增强 .高分辨显微结构分析表明 ,介于钉扎层与被钉扎层之间的氧化层 (NOL1)并未完全氧化 ,即除氧化过程生成的CoFe氧化物外 ,仍有部分铁磁性CoFe金属保留在该氧化层中 ,且贯穿该氧化层厚度区间 .覆盖于自由层之上的氧化层通过后期固相反应CoFeOx+Ta→CoFe+TaOx 形成TaOx 氧化层 (NOL2 ) .

关键词：非连续纳米氧化层显微结构自旋阀高分辨电子显微学巨磁电阻效应多层膜计算机硬盘读出磁头

Ag_(42)In_(42)Ca_(16)二十面体准晶与2/1立方近似相Ag_(42)In_(45)Ca_(13)的稳定性研究

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金属学报 2004年第2期40卷 120-124页

作者：邓彬彬郭可信中国科学院物理研究所电子显微镜重点实验室北京100080

Ag_3In_3Ca中的主要合金相是简单立方Ag_(42)In_(45)Ca_(13)(空间群为Pa3,a=2.496nm),它是Ag_(42)In_(42)Ca_(16)二十面体稳定准晶的2/1立方近似相,选区电子衍射(SAED)实验表明,2/1立方近似相与二十面体准晶有相似的局部结构,X射线能谱(EDS)、电子能量损失谱(EBLS)和X射线粉晶衍射分析表明,Ag_3In_3Ca合金中的立方相Ag_(42)In_(45)Ca_(13)不稳定,薄膜电镜样品在空气中易发生化学反应,产物中主要是Ca和O,还有少量C块状合金在空气中放置14d后,其中的立方相Ag_(42)In_(45)Ca_(13)分解,二元合金相AgIn_2和In_4Ag_9的含量明显增加,在550℃保温55h后,立方近似相Ag_(42)In_(45)Ca_(13)的含量显著减少。在相同条件下,二十面体准晶Ag_(42)In_(42)Ca_(16)保持不变,具有高的结构和化学稳定性。

关键词： Ag-In-Ca合金二十面体准晶立方近似相稳定性 Ag42In42Ca16 Ag42In45Ca13

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俯冲带蛇纹岩的变质过程

岩石学报 2016年第4期32卷 1206-1218页

作者：申婷婷张立飞陈晶北京大学造山带与地壳演化教育部重点实验室北京100871 北京大学电子显微镜实验室北京100871

俯冲带蛇纹岩是俯冲带流体的重要来源,特别是其深部脱水作用对地幔动力学影响深远,是研究俯冲带约80-200km深度范围的地球动力学的关键,因此研究蛇纹岩的变质作用过程及其相关特征矿物（组合）的温压稳定范围具有重要意义。蛇纹岩具有... 详细信息

俯冲带蛇纹岩是俯冲带流体的重要来源,特别是其深部脱水作用对地幔动力学影响深远,是研究俯冲带约80-200km深度范围的地球动力学的关键,因此研究蛇纹岩的变质作用过程及其相关特征矿物（组合）的温压稳定范围具有重要意义。蛇纹岩具有简单的矿物（组合）：蛇纹石类、硅镁石类、磁铁矿、氢氧镁石、绿泥石、橄榄石、透辉石、角闪石、滑石等,并且这些矿物（组合）对温压变化不敏感从而很难用来判定蛇纹岩所经历的变质演化轨迹。近几十年来,研究者通过实验岩石学和野外地质观察,主要研究了蛇纹石类矿物和硅镁石类矿物的温压稳定范围,并且试图使用这些特征矿物（组合）来判定俯冲带蛇纹岩的峰期变质条件。本文总结了蛇纹岩中这些主要矿物的温压稳定范围和相关变质反应,并且以中国西南天山蛇纹岩为例,展示使用特征矿物（组合）和叶蛇纹石Al等值线判定蛇纹岩峰期温压条件在实际岩石中的应用。另外,早期对叶蛇纹石的研究表明：随着温压条件的变化,叶蛇纹石的晶体结构会发生相应的调整。表现为单位晶胞内硅氧四面体的个数（m值）发生变化：温度升高,m值变小;压力升高,m值变大,这个发现在高压实验和天然样品中得到了一定程度的验证。本文利用已知峰期温压范围的叶蛇纹石样品分别采用粉末制样法和离子减薄制样法,进行透射电镜测试（TEM）样品的m值,并通过统计的方法获得叶蛇纹石的m值的峰值。结果显示叶蛇纹石的m值的峰值在一定程度上可以用以指示温压条件。本文提出可以用矿物组合、叶蛇纹石Al等值线和叶蛇纹石m值峰值相结合的方法确定蛇纹岩的变质温压条件和P-T轨迹。

关键词：蛇纹岩俯冲带 TEM 叶蛇纹石变质作用

Ni80F20／Cu基磁性多层自旋阀的微结构

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电子显微学报 2000年第1期19卷 14-22页

作者：王文东孙海平中科院物理所北京电子显微镜开放实验室北京 100080

用高分辨电子显微学及平行电子能量损失谱方法研究了Ｎｉ８０ｅ２０／Ｃｕ基磁性多层膜和自旋阀的显微结构。高分辨像显示，磁性我层膜及自旋阀均具有沿薄膜生长方向的柱晶结构。Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ和Ｍｎ元素的成分分布图显示，柱晶内仍... 详细信息

用高分辨电子显微学及平行电子能量损失谱方法研究了Ｎｉ８０ｅ２０／Ｃｕ基磁性多层膜和自旋阀的显微结构。高分辨像显示，磁性我层膜及自旋阀均具有沿薄膜生长方向的柱晶结构。Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｕ和Ｍｎ元素的成分分布图显示，柱晶内仍保持完整的层状结构。沿薄膜生长方向的自旋阀元素分布曲线分析表明，ＮｉＦｅ层中的Ｎｉ元素沿柱晶晶界向相邻Ｃｕ层扩散。讨论了这些低维磁电子学材料的显微结构对磁输运性能的影响。

关键词：磁性多层膜自旋阀微结构

高强度CrMo钢的EELS和EDS面扫描研究

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电子显微学报 2002年第5期21卷 729-730页

作者：马钺章晓中袁俊清华大学电子显微镜实验室北京100084

在很多金属材料中，界面处元素的偏聚对材料的力学性能往往起到至关重要的作用。随着电子显微学的进步，电子能量损失谱（EELS）已被用来研究界面处的性能。例如，对Ni_3Al晶界处电子能量损失谱的研究表明，B在晶界处的偏聚改变了晶界... 详细信息

在很多金属材料中，界面处元素的偏聚对材料的力学性能往往起到至关重要的作用。随着电子显微学的进步，电子能量损失谱（EELS）已被用来研究界面处的性能。例如，对Ni_3Al晶界处电子能量损失谱的研究表明，B在晶界处的偏聚改变了晶界处的电子态，从而对于改善Ni_3Al的脆性具有明显的作用。在过渡金属的合金中，如下的定性结论可以判别界面处键合的趋势：当界面处EELS谱的白线较块体高且尖锐的情况下，界面处强度比块体低，界面为易断裂处；如果界面处的白线强度比块体较低，且有展宽效应，则界面处的强度高于块体强度，断裂方式将主要为穿晶断裂。这一结论在Ni_3Al:B和Cu:Bi系统中都得到了很好的证实。然而，该结论是否适用于钢铁材料，尚未有明确的结论。

关键词：高强度CrMo钢 EELS EDS 面扫描电子能量损失谱合金钢晶界分析场发射电子显微镜