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硅基光电探测器空间辐射效应研究进展

集成电路与嵌入式系统 2024年第3期24卷 6-12页

作者：傅婧付晓君魏佳男张培健郭安然集成电路与微系统全国重点实验室中电科芯片技术有限公司固体图像部

硅基光电子技术结合了高集成度的大规模集成电路制造技术与光电子芯片的大带宽、高速率等优势，推动硅基光电器件在高能物理实验、医学影像和高能粒子碰撞器等领域的广泛应用。然而，应用于空间环境和医疗探测器的光电探测器在运行周期... 详细信息

硅基光电子技术结合了高集成度的大规模集成电路制造技术与光电子芯片的大带宽、高速率等优势，推动硅基光电器件在高能物理实验、医学影像和高能粒子碰撞器等领域的广泛应用。然而，应用于空间环境和医疗探测器的光电探测器在运行周期中预计会受到～1012particles/cm2的累积注量，而应用于大型粒子对撞机的新型探测器则要经受～1014particles/cm2的辐射注量。本文详细阐述了硅基光电探测器的空间辐射效应研究现状，主要包括不同粒子辐照后硅基光电二极管、雪崩光电二极管、单光子探测器以及光电倍增管等主流光电探测器的辐射效应研究进展。研究结果表明，探测器抗电离总剂量性能较好，位移损伤是导致其关键性能参数退化的主要原因，由于工作原理差异，各类器件在辐射环境中表现出不同退化行为和作用机理。

关键词：硅基光电探测器空间辐射电离总剂量效应位移效应单粒子效应

来源：博看期刊

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声共振风传感器用全相位风速风向解算方法

压电与声光 2024年第4期46卷 582-585,595页

作者：王飞王登攀王露曾祥豹向星旭廖崧琳周悦中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332

提出了一种超声波共振式全相位风速风向解算方法,搭建以间距L呈等边三角形分布的3个超声波换能器A、B、C,测量了超声波换能器A、B、C回波初相,根据得到的回波初相解算出从顶点无角度直接吹风和从顶点有角度吹风情况下的风速与风向数据... 详细信息

提出了一种超声波共振式全相位风速风向解算方法,搭建以间距L呈等边三角形分布的3个超声波换能器A、B、C,测量了超声波换能器A、B、C回波初相,根据得到的回波初相解算出从顶点无角度直接吹风和从顶点有角度吹风情况下的风速与风向数据。结果表明,该文建立的全相位风速风向解算方法连续无奇点,与其他方法相比,在输入量相同的情况下风速波动较小,风向解算较准确。

关键词：超声波共振式回波初相全相位风速风向解算方法

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高可靠性蓝光半导体激光器封装外壳设计研究

光源与照明 2024年第09期 38-40页

作者：周晓波袁中朝袁礼华盛海见吴虹屿张浩中电科芯片技术(集团)有限公司

随着科技的快速发展，蓝光激光器在激光照明、激光投影和激光雷达等消费电子领域展现出了广泛的应用前景。基于此，文章选取并确定了高散热封装材料和外壳结构的设计方案，通过有限元对比分析和优化，选择出最优的外壳设计方案，研制了... 详细信息

随着科技的快速发展，蓝光激光器在激光照明、激光投影和激光雷达等消费电子领域展现出了广泛的应用前景。基于此，文章选取并确定了高散热封装材料和外壳结构的设计方案，通过有限元对比分析和优化，选择出最优的外壳设计方案，研制了一款用于激光照明领域的高可靠性封装用激光器外壳，以期推动激光照明领域的发展。

关键词：半导体蓝光激光器封装外壳设计

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内网计算机终端安全策略的应用研究

信息安全与通信保密 2024年第3期 103-109页

作者：尹开贤中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332

计算机网络的不断发展,在为公司提升工作效率的同时,又因互联和共享等特征,常受到黑客、病毒等的恶意攻击,给网络带来严重的安全隐患。除采取安全产品等技术防范措施外,设置好计算机终端的安全策略也可在一定程度上保护终端信息的完整... 详细信息

计算机网络的不断发展,在为公司提升工作效率的同时,又因互联和共享等特征,常受到黑客、病毒等的恶意攻击,给网络带来严重的安全隐患。除采取安全产品等技术防范措施外,设置好计算机终端的安全策略也可在一定程度上保护终端信息的完整性和安全性。从计算机内网的安全模型入手,介绍计算机网络终端安全策略的特点,进一步分析了计算机终端本地安全策略的作用,提出了计算机终端安全策略的配置方法。

关键词：网络终端防护安全策略

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GAGG:Ce探测器封装技术研究

原子能科学技术 2024年

作者：万前银王强谢玉清肖雄张泽涛丁雨憧任科静徐扬中电科芯片技术(集团)有限公司中国电子科技集团公司第二十六研究所

为提升新型闪烁晶体GAGG:Ce在辐射探测器封装中的闪烁光子收集效率，通过蒙特卡罗程序Geant4和对比实验对?25.4 mm×25.4 mm的GAGG:Ce闪烁晶体的封装技术进行了研究。基于Geant4的LUT光子运输模型分析了晶体表面为镜面和打毛两种条件下... 详细信息

为提升新型闪烁晶体GAGG:Ce在辐射探测器封装中的闪烁光子收集效率，通过蒙特卡罗程序Geant4和对比实验对?25.4 mm×25.4 mm的GAGG:Ce闪烁晶体的封装技术进行了研究。基于Geant4的LUT光子运输模型分析了晶体表面为镜面和打毛两种条件下，分别搭配镜面反射和漫反射反射层的光收集效率。在晶体的表面处理工艺确定后，通过实验分别对比了反射层材料及厚度、光学耦合剂折射率和光电转换器件等因素对探测器封装的影响。研究结果表明：晶体的入射面和侧面打毛、出光面抛光后，以1 mm厚度的二氧化钛涂料作为反射层，使用折射率为1.70的光学胶耦合R6231-100光电倍增管，可封装出较高闪烁光子收集效率的GAGG:Ce辐射探测器，其能量分辨率可达4.68%(@662 keV)。

关键词： GAGG:Ce 光子收集效率封装技术能量分辨率

一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

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微电子学 2024年第2期54卷 207-213页

作者：唐太龙刘凡廖鹏飞肖淋洋中电科芯片技术(集团)有限公司重庆400060 集成电路与微系统全国重点实验室重庆400060

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益频率(UGF)处上升到一... 详细信息

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。

关键词：无片外电容低压差线性稳压器高PSR 衬底波纹注入

一种考虑复合电流的SiC LBJT行为模型改进

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微电子学 2024年第2期54卷 287-292页

作者：潘灿牟炳福李军王音心郭琳琳中电科芯片技术有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

介绍了一种考虑基区SiC/SiO2界面处复合电流的SiC LBJT改进模型。分析了横向碳化硅双极结型晶体管与其垂直结构之间的区别,将横向BJT的外延层和半绝缘机构等效为衬底电容。再引入一个平行于SiC BJT基极结的附加二极管来描述复合电流,以... 详细信息

介绍了一种考虑基区SiC/SiO2界面处复合电流的SiC LBJT改进模型。分析了横向碳化硅双极结型晶体管与其垂直结构之间的区别,将横向BJT的外延层和半绝缘机构等效为衬底电容。再引入一个平行于SiC BJT基极结的附加二极管来描述复合电流,以垂直SiC BJT的SGP模型为基础建立SiC LBJT行为模型。校准了LBJT模型的基区渡越时间,模型与实际器件的开关特性接近吻合。相较于未考虑复合电流的LBJT模型,改进后的模型输出特性曲线与实测数据精度误差较小。该模型可以较精确地描述受复合电流影响的LBJT器件行为。

关键词：碳化硅 LBJT 衬底电容复合电流开关特性输出特性曲线

硅基MEMS梁-复合膜-岛压阻式压力传感器设计研究

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压电与声光 2024年第1期46卷 118-123页

作者：江浩黄晶袁宇鹏李春洋苗晋威李光贤中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置... 详细信息

针对微机电系统(MEMS)压力传感器灵敏度与非线性度难以兼顾的问题,提出了一种梁-复合膜-岛压力传感结构,运用有限元仿真软件优化整体结构尺寸以得到最大纵横应力差、挠度,并设计压阻条压敏电阻掺杂类型、掺杂浓度、结构尺寸及分布位置。将梁-复合膜-岛结构与传统结构的输出进行仿真对比,由仿真结果可知,梁-复合膜-岛结构在0~60 kPa压力范围内灵敏度较相关结构提升7%以上,较E型结构提升2倍,非线性度为0.029%FSS,满足MEMS微压压力传感器的高灵敏度、高线性度等要求,可支撑医疗领域相关应用研究。

关键词：压阻式压力传感器压敏电阻高灵敏度微压

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低温度敏感度谐振式压力传感器设计与仿真

压电与声光 2024年第2期46卷 202-206页

作者：李光贤黄晶袁宇鹏杨靖李春洋张祖伟龙帅中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa... 详细信息

为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa内传感器灵敏度可达21.146 Hz/kPa,-50~125℃内零点温度漂移低至0.2 Hz/℃。与全硅结构相比,灵敏度温度漂移由339×10^(-6)/℃降低至14.1×10^(-6)/℃,可适应工作温度范围较高的环境。

关键词：谐振式压力传感器温度漂移温度灵敏度漂移温度补偿