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内网计算机终端安全策略的应用研究

信息安全与通信保密 2024年第3期 103-109页

作者：尹开贤中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332

计算机网络的不断发展,在为公司提升工作效率的同时,又因互联和共享等特征,常受到黑客、病毒等的恶意攻击,给网络带来严重的安全隐患。除采取安全产品等技术防范措施外,设置好计算机终端的安全策略也可在一定程度上保护终端信息的完整... 详细信息

计算机网络的不断发展,在为公司提升工作效率的同时,又因互联和共享等特征,常受到黑客、病毒等的恶意攻击,给网络带来严重的安全隐患。除采取安全产品等技术防范措施外,设置好计算机终端的安全策略也可在一定程度上保护终端信息的完整性和安全性。从计算机内网的安全模型入手,介绍计算机网络终端安全策略的特点,进一步分析了计算机终端本地安全策略的作用,提出了计算机终端安全策略的配置方法。

关键词：网络终端防护安全策略

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GAGG:Ce探测器封装技术研究

原子能科学技术 2024年

作者：万前银王强谢玉清肖雄张泽涛丁雨憧任科静徐扬中电科芯片技术(集团)有限公司中国电子科技集团公司第二十六研究所

为提升新型闪烁晶体GAGG:Ce在辐射探测器封装中的闪烁光子收集效率，通过蒙特卡罗程序Geant4和对比实验对?25.4 mm×25.4 mm的GAGG:Ce闪烁晶体的封装技术进行了研究。基于Geant4的LUT光子运输模型分析了晶体表面为镜面和打毛两种条件下... 详细信息

为提升新型闪烁晶体GAGG:Ce在辐射探测器封装中的闪烁光子收集效率，通过蒙特卡罗程序Geant4和对比实验对?25.4 mm×25.4 mm的GAGG:Ce闪烁晶体的封装技术进行了研究。基于Geant4的LUT光子运输模型分析了晶体表面为镜面和打毛两种条件下，分别搭配镜面反射和漫反射反射层的光收集效率。在晶体的表面处理工艺确定后，通过实验分别对比了反射层材料及厚度、光学耦合剂折射率和光电转换器件等因素对探测器封装的影响。研究结果表明：晶体的入射面和侧面打毛、出光面抛光后，以1 mm厚度的二氧化钛涂料作为反射层，使用折射率为1.70的光学胶耦合R6231-100光电倍增管，可封装出较高闪烁光子收集效率的GAGG:Ce辐射探测器，其能量分辨率可达4.68%(@662 keV)。

关键词： GAGG:Ce 光子收集效率封装技术能量分辨率

基于PLC的卧式氧化炉过程控制系统设计与实现

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微电子学 2024年

作者：李志成蒋坤吴疆李坤鹏刘浩顾云飞舒海洋重庆中科渝芯电子有限公司中国电科芯片技术研究院

在硅材料片表面热生长二氧化硅薄膜是集成电路制造技术的基础之一，该工艺过程通常采用氧化炉实现。本文介绍了一种自主设计开发的过程控制系统。该系统适用于多种型号的卧式氧化炉，其子系统在立式氧化炉中也具有实用性。与传统的卧式... 详细信息

在硅材料片表面热生长二氧化硅薄膜是集成电路制造技术的基础之一，该工艺过程通常采用氧化炉实现。本文介绍了一种自主设计开发的过程控制系统。该系统适用于多种型号的卧式氧化炉，其子系统在立式氧化炉中也具有实用性。与传统的卧式氧化炉比，该系统基于可编程逻辑控制器(PLC)，实现了生产中的人机互动；对使用该系统前后设备运行数据进行对比分析，发现该系统使卧式氧化炉生产效率和可用时间（UPTIME）都提高了3%以上。

关键词：卧式氧化炉可编程逻辑控制器过程控制生产效率

一种衬底波纹注入的宽频带高PSR无片外电容LDO

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微电子学 2024年第2期54卷 207-213页

作者：唐太龙刘凡廖鹏飞肖淋洋中电科芯片技术(集团)有限公司重庆400060 集成电路与微系统全国重点实验室重庆400060

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益频率(UGF)处上升到一... 详细信息

基于40 nm CMOS工艺,设计了一种具有高频高电源抑制(PSR)的无片外电容低压差线性稳压器(LDO)电路。电路采用1.1 V电源供电,LDO输出电压稳定在0.9 V。仿真结果表明,传统无片外电容LDO电路的PSR将会在环路的单位增益频率(UGF)处上升到一个尖峰,之后才经输出节点处的电容到地的通路开始降低,最高时PSR甚至大于0 dB。采用新型的衬底波纹注入技术的LDO能很好地抑制PSR的尖峰,可以做到全频段都在-20 dB以上,相比传统结构,尖峰处的PSR提高了20 dB以上。该LDO适用于需要低电压供电的射频电路。

关键词：无片外电容低压差线性稳压器高PSR 衬底波纹注入

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一种考虑复合电流的SiC LBJT行为模型改进

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微电子学 2024年第2期54卷 287-292页

作者：潘灿牟炳福李军王音心郭琳琳中电科芯片技术有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

介绍了一种考虑基区SiC/SiO2界面处复合电流的SiC LBJT改进模型。分析了横向碳化硅双极结型晶体管与其垂直结构之间的区别,将横向BJT的外延层和半绝缘机构等效为衬底电容。再引入一个平行于SiC BJT基极结的附加二极管来描述复合电流,以... 详细信息

介绍了一种考虑基区SiC/SiO2界面处复合电流的SiC LBJT改进模型。分析了横向碳化硅双极结型晶体管与其垂直结构之间的区别,将横向BJT的外延层和半绝缘机构等效为衬底电容。再引入一个平行于SiC BJT基极结的附加二极管来描述复合电流,以垂直SiC BJT的SGP模型为基础建立SiC LBJT行为模型。校准了LBJT模型的基区渡越时间,模型与实际器件的开关特性接近吻合。相较于未考虑复合电流的LBJT模型,改进后的模型输出特性曲线与实测数据精度误差较小。该模型可以较精确地描述受复合电流影响的LBJT器件行为。

关键词：碳化硅 LBJT 衬底电容复合电流开关特性输出特性曲线

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低温度敏感度谐振式压力传感器设计与仿真

压电与声光 2024年第2期46卷 202-206页

作者：李光贤黄晶袁宇鹏杨靖李春洋张祖伟龙帅中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060

为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa... 详细信息

为降低材料杨氏模量温度漂移和热应力对谐振式压力传感器温度漂移的影响,该文设计了一种基于Si-SiO 2复合H形谐振梁和双谐振器结构的低温度敏感度谐振压力传感器。通过有限元仿真软件COMSOL对传感器进行仿真验证。结果表明,在0~350 kPa内传感器灵敏度可达21.146 Hz/kPa,-50~125℃内零点温度漂移低至0.2 Hz/℃。与全硅结构相比,灵敏度温度漂移由339×10^(-6)/℃降低至14.1×10^(-6)/℃,可适应工作温度范围较高的环境。

关键词：谐振式压力传感器温度漂移温度灵敏度漂移温度补偿

背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制备技术研究

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压电与声光 2024年第3期46卷 296-299页

作者：徐阳司美菊吴高米刘文怡巩乐乐甄静怡余奇陈金琳中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 国知创芯(重庆)科技有限公司重庆401332 中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332

随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背... 详细信息

随着移动通信技术的快速发展,薄膜体声波滤波器逐渐向高频和大带宽方向发展。该文研究了POI(LiNbO_(3)/SiO_(2)/Si)基片上背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器制作工艺,通过研究POI基IDT光刻、背腔硅刻蚀等工艺,确定了IDT层曝光量和背腔刻蚀等关键工艺参数。研制出的背腔刻蚀型横向激励薄膜体声波谐振器,其谐振频率为4565 MHz,反谐振频率为5035 MHz,机电耦合系数为20.86%。此制备工艺对研究高频、大带宽薄膜体声波滤波器具有重要的参考意义。

关键词：干法刻蚀刻蚀速率横向激励机电耦合系数薄膜体声波谐振器

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一种压电换能器热释电防护电路设计

压电与声光 2024年第2期46卷 253-258,263页

作者：李世国潘灿赵德峰母江东李军何知益中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 中国电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332 云南无线电有限公司云南昆明650223

该文探讨了压电材料热释电效应产生的机理,得出压电换能器中压电陶瓷材料受温度变化会产生极化电荷,引起的热释电压会使压电换能器输出信号幅值增大,导致输出失效。因此针对热释电问题提出了两点解决方案。经过对比分析设计了一种ESD保... 详细信息

该文探讨了压电材料热释电效应产生的机理,得出压电换能器中压电陶瓷材料受温度变化会产生极化电荷,引起的热释电压会使压电换能器输出信号幅值增大,导致输出失效。因此针对热释电问题提出了两点解决方案。经过对比分析设计了一种ESD保护电路来解决热释电问题。该ESD保护电路通过设计一种改进型二极管钳位电路,针对压电换能器存在的极化电荷构建热释电释放环路,消除了热释电压对有用信号收发的影响。最后,通过对比实验验证了设计方案的可行性。

关键词：压电换能器热释电效应信号幅值增大 ESD保护电路改进型二极管钳位电路

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基于柔性薄膜的多参数高灵敏汗液传感器研究

压电与声光 2024年第2期46卷 246-252页

作者：张毅黄晶魏贵玲张祖伟李小飞中国科学院成都计算机应用研究所成都610041 中国科学院大学北京100049 中电科芯片技术(集团)有限公司重庆401332

提出一种全新的基于柔性薄膜材料的高灵敏度、多参数汗液成分分析传感器,对敏感材料的特性及高灵敏度捕获机理进行了研究分析,设计了一种抗干扰信号采集电路,最终完成传感器样品制备,并搭建测试环境,对其关键性能指标进行了测试。结果表... 详细信息

提出一种全新的基于柔性薄膜材料的高灵敏度、多参数汗液成分分析传感器,对敏感材料的特性及高灵敏度捕获机理进行了研究分析,设计了一种抗干扰信号采集电路,最终完成传感器样品制备,并搭建测试环境,对其关键性能指标进行了测试。结果表明,汗液传感器可实现对钾离子、钠离子、葡萄糖3种汗液成分的实时监测,在检测灵敏度和抗干扰性能上达到较好水平,与传统的检测仪器或单参数汗液传感器检测方法相比,在实用性上有很大的提升。

关键词：汗液传感器可穿戴柔性传感器多通道集成