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价值增值、风险防范下半导体企业预算布局体系研究

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财会学习 2022年第22期 61-63页

作者：赖文河厦门士兰明镓化合物半导体有限公司

随着我国经济体系的现代化转型,半导体行业成为我国市场经济以及产业经济不可或缺的组成部分。半导体企业的业务经营过程中面临着较大的成本控制压力、供应链管理压力以及资金流动性管理压力,因此具有价值增值、风险防范属性的预算布局... 详细信息

随着我国经济体系的现代化转型,半导体行业成为我国市场经济以及产业经济不可或缺的组成部分。半导体企业的业务经营过程中面临着较大的成本控制压力、供应链管理压力以及资金流动性管理压力,因此具有价值增值、风险防范属性的预算布局体系成为半导体企业优化业财融合效益以及缩小成本控制风险的核心内容。半导体企业需要从全面预算管理着手,落实预算执行、资金预结算管理、往来账款管理以及预算收支管理等业财控制工作,以提高成本费用管理效益,实现可持续发展。本文首先分析了半导体企业开展预算管理工作的宏观行业背景,其次剖析了价值增值、风险防范下预算布局体系对于半导体企业可持续发展的作用,最后从预算结构以及风险监控的角度提出半导体企业完善预算布局体系的策略建议,以期优化半导体企业预决算管理的综合效益。

关键词：价值增值风险防范半导企业预算布局预算管理

大尺寸碳化硅晶体生长热-质输运过程建模及数值仿真

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人工晶体学报 2023年第4期52卷 550-561页

作者：卢嘉铮张辉郑丽丽马远清华大学航天航空学院北京100084 清华大学工程物理系北京100084 中电化合物半导体有限公司宁波315336

碳化硅(SiC)电子器件的性能和成本受衬底质量影响,因此生长大直径高品质SiC单晶意义重大。物理气相传输(PVT)法是一种常用的生长方法,但其主要面临热场设计与气流控制问题。本工作对电阻加热PVT法生长150 mm SiC单晶完整过程开展数值仿... 详细信息

碳化硅(SiC)电子器件的性能和成本受衬底质量影响,因此生长大直径高品质SiC单晶意义重大。物理气相传输(PVT)法是一种常用的生长方法,但其主要面临热场设计与气流控制问题。本工作对电阻加热PVT法生长150 mm SiC单晶完整过程开展数值仿真研究,建立描述SiC原料热解和再结晶及其多孔结构演变、热-质输运、晶体形貌变化的数理模型,用数值模拟手段研究晶体生长、原料演变与热场变化等过程间的耦合关系。结果显示:原料区侧面高温导致气流不均匀,晶面呈“W”形,原料区底部高温得到均匀气流和微凸晶面;长晶界面通过径向温度变化调节气相组分平衡压力,使晶面生长成等温线形状;晶体生长速率与原料温度、剩余原料量呈正相关。模拟结果与已报道实验结果吻合,对优化生长SiC单晶有指导意义。

关键词： SiC单晶单晶生长热-质输运数学模型电阻加热物理气相传输

蓝宝石/石墨烯衬底上蓝光LED外延生长及光电性能

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发光学报 2024年第4期45卷 603-612页

作者：林易展熊飞兵李森林董雪振高默然丘金金周凯旋李明明厦门理工学院福建厦门361024 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司福建厦门361026 北京石墨烯研究所北京100095

对在蓝宝石/石墨烯衬底上生长LED(Light-emitting diodes)外延的方法及其对光电性能的改善进行了探究。研究结果表明,蓝宝石/石墨烯衬底具有更低的位错密度,螺位错和刃位错比传统样品分别减少了15.3%和70.8%。拉曼测试也表明蓝宝石/石... 详细信息

对在蓝宝石/石墨烯衬底上生长LED(Light-emitting diodes)外延的方法及其对光电性能的改善进行了探究。研究结果表明,蓝宝石/石墨烯衬底具有更低的位错密度,螺位错和刃位错比传统样品分别减少了15.3%和70.8%。拉曼测试也表明蓝宝石/石墨烯样品受到的压应力小于传统样品。元素分析结果表明,有源区量子阱生长情况较好,In和Ga元素均匀地分布在量子阱中,未发生相互扩散的情况。光电性能测试结果发现,无论是在工作电流还是饱和电流下,蓝宝石/石墨烯样品的LOP(Light output power)都大于传统样品,工作电流和饱和电流下LOP分别增加了18.4%和36.7%,并且效率下降较传统样品有所改善,相较于传统样品效率下降减少了9.9%。从变温测试结果可以得到,蓝宝石/石墨烯样品也表现出较低的热阻、结温和较小的波长偏移,其平均热阻比传统样品低了5.14℃/W。结果表明,在蓝宝石/石墨烯衬底上外延生长的样品对器件的光电性能和散热性能等都有较大的提升。

关键词：蓝宝石/石墨烯晶体质量效率下降散热性能

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IGBT模块焊层的被动热循环可靠性分析

焊接学报 2023年第7期44卷 123-128,I0010页

作者：曾杰檀浩浩杨方周望君李亮星常桂钦罗海辉株洲中车时代半导体有限公司株洲412001 新型功率半导体器件国家重点实验室株洲412001

有众多基于加速试验与数学模型研究焊层可靠性的方法被报道,但是这些方法对模块各焊层间的差异及失效机理认知不足.基于某款绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块为研究对象,通过设计被动热循环(TC)加速试验... 详细信息

有众多基于加速试验与数学模型研究焊层可靠性的方法被报道,但是这些方法对模块各焊层间的差异及失效机理认知不足.基于某款绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)模块为研究对象,通过设计被动热循环(TC)加速试验,结合精细超声扫描(scanning acoustic microscope,SAM)的方法高效评价了不同焊层的TC耐热疲劳可靠性.结果表明,该封装体系下母排焊层的可靠性最差,衬板的可靠性最高.在热应力及化学势作用下,镀层中磷的相对含量及界面金属间化合物的厚度逐渐增加引起界面结构不匹配性增强,导致界面裂纹的萌生和生长,其中镀层结构的变化起主导作用.创新点:基于SnPbAg焊层与衬板及基板界面结构的动力学过程分析,明确了系统焊层退化及空洞产生的机理.

关键词： IGBT模块被动热循环 SnPbAg焊层可靠性退化机理

大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化

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人工晶体学报 2022年第3期51卷 371-384页

作者：卢嘉铮张辉郑丽丽马远宋德鹏清华大学航天航空学院北京100084 清华大学工程物理系北京100084 中电化合物半导体有限公司宁波315336 山东力冠微电子装备有限公司济南250119

大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport,PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在... 详细信息

大尺寸低缺陷碳化硅(SiC)单晶体是功率器件和射频(RF)器件的重要基础材料,物理气相传输(physical vapor transport,PVT)法是目前生长大尺寸SiC单晶体的主要方法。获得大尺寸高品质晶体的核心是通过调节组分、温度、压力实现气相组分在晶体生长界面均匀定向结晶,同时尽可能减小晶体的热应力。本文对电阻加热式8英寸(1英寸=2.54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度分布的影响及其规律,并优化热场结构。数值模拟结果显示,通过优化散热孔形状、保温棉的结构等设计参数,电阻加热式大尺寸晶体生长系统在晶锭厚度变化、多孔介质原料消耗的情况下均能达到较低的晶体横向温度梯度和较高的纵向温度梯度。

关键词： 8英寸SiC晶体晶体生长电阻加热热场设计输运机理物理气相传输加热器保温棉

金属反射层制备工艺对倒装LED芯片光电性能的影响

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厦门理工学院学报 2024年第1期32卷 23-28页

作者：刘智超林海峰郭贵田福建省光电技术与器件重点实验室福建厦门361024 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司福建厦门361026

为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯... 详细信息

为了解决倒装GaN基LED芯片中金属反射层的Ag原子迁移问题,提高反射层的反射率和稳定性,采用Ag作为GaN基倒装LED芯片反射层薄膜材料;在Ag层上蒸镀TiW保护层,改变Ag反射镜制备过程中Ag/TiW溅射功率、Ar气体流量等工艺参数,研究其对LED芯片光电性能的影响。实验结果表明,当Ag溅射功率为200 W、TiW溅射功率为3 000 W、环境Ar气流量为150 mL/min时,LED芯片的工作电压和出光功率分别为2.91 V、1 247.03 mW,在400~800 nm波段,金属反射层的反射率平均提高了约0.31%,460 nm处的反射率高达96.70%,且产品的综合良率提升了约1.17%。

关键词：倒装LED芯片光电性能金属反射层 Ag/TiW溅射功率 Ar气体流量

电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布

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人工晶体学报 2016年第9期45卷 2347-2351页

作者：徐继平程凤伶有研半导体材料有限公司北京100088

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可... 详细信息

电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。本文采用电化学C-V法研究了MOCVD生长的掺硅GaAs多层薄膜的载流子浓度的面分布和纵向分布,并对测试结果进行分析。研究表明电化学C-V法测得的载流子浓度数据可以为研究掺硅GaAs半导体材料载流子浓度工艺优化和改进提供重要指导依据。

关键词：电化学C-V MOCVD GaAs 载流子浓度

4H-SiC LDMOSFET沟道迁移率影响因素的研究

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电力电子技术 2022年第3期56卷 136-140页

作者：高秀秀邱乐山戴小平李诚瞻湖南国芯半导体科技有限公司湖南株洲412001 株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412001

为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中... 详细信息

为了研究4H-SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)沟道迁移率和界面态密度的影响因素,通过在N型4H-SiC(0001)外延片上制备不同沟道长度和宽度的横向扩散MOSFET(LDMOSFET),其干氧氧化的栅极氧化层在不同温度和时间的NO和/或N2气氛中退火,测试了其输出和转移曲线,提取了有效迁移率和场效应迁移率,利用亚阈值摆幅法提取了界面态密度,并探讨了漏源电压、晶圆位置、温度对迁移率和界面态密度的影响。结果显示,LDMOSFET的沟道尺寸对沟道迁移率和界面态密度有显著的影响,增加NO的退火温度和时间可以提高沟道迁移率,1250℃40 min NO退火和1200℃70 min NO退火的LDMOSFET的常温峰值迁移率均约为45 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),沟道迁移率随测试温度的增加而增加,且高栅压下栅压比测试温度对迁移率的影响更大。

关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管界面态密度沟道迁移率

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6英寸IGCT器件紧固力的适应性研究

机车电传动 2023年第5期 71-77页

作者：曹强陈芳林陈勇民刘雅岚孙永伟株洲中车时代半导体有限公司湖南株洲412001

IGCT作为一种高功率等级的全控型压接器件,随着器件直径扩大及应用串压级数增加,紧固力的设计至关重要。文章以6英寸6 000 A/4 500 V逆阻型IGCT器件为例,分析紧固力不均造成的器件性能影响,并优化IGCT阴极梳条局部跨距和采用边缘门极结... 详细信息

IGCT作为一种高功率等级的全控型压接器件,随着器件直径扩大及应用串压级数增加,紧固力的设计至关重要。文章以6英寸6 000 A/4 500 V逆阻型IGCT器件为例,分析紧固力不均造成的器件性能影响,并优化IGCT阴极梳条局部跨距和采用边缘门极结构设计。试验结果表明,优化设计的器件在额定紧固力范围内不再出现门阴极性能异常,且紧固力适应性提升20%以上。

关键词： IGCT 紧固力阴极梳条中间门极边缘门极