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带栅极纳米线冷阴极的场增强因子研究

物理学报 2007年第11期56卷 6616-6622页

作者：雷达曾乐勇夏玉学陈松梁静秋王维彪中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室长春130033

场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N^2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明... 详细信息

场增强因子是体现场发射冷阴极器件性能优劣的重要参数.利用静电场理论给出了一种带栅极(normal-gated)纳米线冷阴极的场增强因子表示式β=k11/2(N^2.(L-d_1)~2+[1/k_1+(L-d_1)]~2),且进一步分析了几何参数对场增强因子的影响.结果表明,纳米线突出栅孔的部分(L-d1)与栅孔半径越大,则场增强因子越大;而纳米线半径越小,则场增强因子越大;当L远大于d1时满足β∝L/r0.其中N=N1(k1r0)/N0(k1r0),N0(k1r0)和N1(k1r0)分别代表零阶和一阶Neumann函数,k1=0.8936/R,R为栅孔半径,L为纳米线长度,r0为纳米线半径,d1表示阴极与栅极间距.

关键词：纳米线冷阴极场增强因子场发射

Er^(3+):YAlO_3晶体中Λ型四能级系统的量子相干左手性

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物理学报 2009年第8期58卷 5778-5783页

作者：刘春旭张继森刘俊业金光中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室长春130033 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所长春130033

用相干量子干涉和电磁感应透明(Electromagnetically induced transparency,EIT)效应在Er3+:YAlO3晶体中计算得到了Thommen,Mandel和Kastel对原子气提出的Λ型四能级系统的负折射率.计算结果得到的负折射率对应的频带宽度约为1MHz,比先... 详细信息

用相干量子干涉和电磁感应透明(Electromagnetically induced transparency,EIT)效应在Er3+:YAlO3晶体中计算得到了Thommen,Mandel和Kastel对原子气提出的Λ型四能级系统的负折射率.计算结果得到的负折射率对应的频带宽度约为1MHz,比先前报道的103Hz量级要宽得多.通常而言对应于折射/吸收比Re[n]/lm[n]≈1,而计算所得结果是Re[n]/lm[n]为4.6,表明吸收被EIT效应很好地抑制.Im[n]出现的负值可能与Er3+的4I13/2→4I15/2跃迁的受激发射有关.由此可知,稀土离子掺杂材料具有丰富的能级和各种不同的电磁跃迁,也是电磁感应负折射率材料中出色的应用材料的候选者.

关键词：稀土掺杂晶体量子干涉电磁感应透明负折射率材料

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基于辐射传输模型的余弦校正器优化设计

激光与光电子学进展 2025年第1期 290-297页

作者：卢天姣杨斌张军强李先峰吴旋中国科学院长春光学精密机械与物理研究所中国科学院大学大珩学院长光禹辰信息技术与装备(青岛)有限公司

为提高下行光传感器对太阳下行辐射测量的准确性，首先基于材料表面辐射传输原理构建余弦校正器的辐射传输模型，建立平板形余弦校正器阴影环结构参数的解析方程，并提出一种结构优化设计方法。然后在一种小型无人机下行光传感器的余弦... 详细信息

为提高下行光传感器对太阳下行辐射测量的准确性，首先基于材料表面辐射传输原理构建余弦校正器的辐射传输模型，建立平板形余弦校正器阴影环结构参数的解析方程，并提出一种结构优化设计方法。然后在一种小型无人机下行光传感器的余弦校正器的设计中采用遗传算法求解解析表达式的最优结构参数，并通过光学仿真验证模型，结果显示，优化结构参数的余弦校正器在入射角为0°～90°时的余弦校正全局加权误差最小。最后在实验室对半径为10 mm的余弦校正器样机进行余弦响应特性测试，结果表明，优化结构在入射角为0°～90°时的余弦校正全局加权误差为4.62%，与仿真结果相当，验证了阴影环结构参数的解析方程的正确性，为余弦校正器的结构优化和误差分析提供了参考。

关键词：辐射测量余弦校正器辐射模型优化设计

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基于红光染料掺杂的有机电压调制发光器件

功能材料 2008年第2期39卷 197-198,201页

作者：牛晶华李文连初蓓中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室

制备了一种电压调制有机发光二极管(OLED),结构为ITO/CuPc(10nm)/NPB(70nm)/MADN(30nm)/MADN∶DCM(2%(质量分数),10nm)/BCP 7nm/ALQ(30nm)/LiF(0.5nm)/Al(100nm)。通过调节DCM的掺杂浓度和MADN∶DCM厚度,发光颜色发生了随电压的连续变化。该器件的起亮电压在3V左右,当驱动电压为16V时最大亮度达到16652cd/m2,电流效率在8V时达到最大为5.78cd/A。

关键词：有机发光二极管电压调制染料掺杂

基于磷光Cu(Ⅰ)配合物的可见盲区有机紫外探测器

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功能材料 2007年第10期38卷 1575-1576页

作者：孔治国李文连王丹陈丽莉张光中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室

采用真空沉积法制备了结构为ITO/PE-DOT∶PSS（60nm）/m-MTDATA（20-60nm）/Cu（Ⅰ）-complex（20-60nm）/LiF（1nm）/Al（100nm）的有机光伏（OPV）器件,其中m-MTDATA作为电子给体,Cu（phen）（（DPEphos））BF4是一种作为电子受体磷光Cu（Ⅰ）配合物。该OPV器件在可见区几乎没有响应仅仅在长波紫外区有响应,这种可见盲区OPV器件在1.5mW/cm^2的365nm紫外光从ITO玻璃方向垂直照射下的开路电压Voc,短路电流Isc和填充因子FF分别为1.95V,107.9μA/cm^2和0.283,能量转化效率达到3.97%。还研究了不同紫外光照射强度对器件主要PV性能与照射强度的倚赖关系。

关键词： Cu(Ⅰ)磷光配合物可见盲区有机紫外探测器

用BPhen作基质的铕配合物OLED发光机制研究

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光电子．激光 2008年第1期19卷 10-13页

作者：辛琦李文连李天乐苏文明孙小燕中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室

用具有良好电子传输/空穴阻挡性能的BPhen(4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)作基质,Eu(DBM)3pyzphen(pyzphen=pyrazino-[2,3-f][1,10]-phenanthroline,DBM=Dibenzoylmethane)作发射材料,成功制得了高效率、高亮度的有机电致发光器件OLED。器件的最大外量子效率为2.5%,最大电流效率为5.3cd/A,最大亮度为1320cd/m2。在亮度为200和1000cd/m2时,器件的色坐标分别为(0.66,0.33)和(0.65,0.34)。深入研究了该器件的发光机制,发现在电致发光(EL)过程中,载流子直接被Eu(DBM)3pyzphen陷获是主要的发光机制,同时在BPhen与Eu(DBM)3pyzphen间还存在着有效的能量传递。

关键词：有机电致发光器件(OELD) 铕配合物 BPhen机制

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应用于离子迁移谱仪的湿度精确控制系统

安徽大学学报(自然科学版) 2025年第1期49卷 36-43页

作者：宋瑜罗元江夏磊刘亚伟黄超群储焰南安徽大学物质科学与信息技术研究院安徽合肥230601 中国科学院合肥物质科学研究院健康与医学技术研究所医学物理与技术安徽省重点实验室安徽合肥230031

离子迁移谱仪是利用大气压下离子在电场中迁移速度的差异来实现对离子的快速分离和探测的一种检测仪器.研究表明,迁移管内的湿度变化会干扰离子迁移谱的检测结果,造成误检或漏检.该文以冒泡法为基础,对湿度传感器和质量流量控制器进行... 详细信息

离子迁移谱仪是利用大气压下离子在电场中迁移速度的差异来实现对离子的快速分离和探测的一种检测仪器.研究表明,迁移管内的湿度变化会干扰离子迁移谱的检测结果,造成误检或漏检.该文以冒泡法为基础,对湿度传感器和质量流量控制器进行嵌入式开发,研制出以控制电路和鼓泡单元为主体的湿度精确控制系统;随后,对该系统性能进行考察,发现在湿度0%~100%RH范围内,该装置的湿度调节精度不大于±0.6%RH;利用该系统进一步对离子迁移谱仪的反应离子进行分析,该研究结果与Zahra Izadi团队报道正好相吻合,这表明该文研制的湿度精确控制系统能有效地实现湿度的精确调控,满足离子迁移谱对湿度精确控制的需求.

关键词：离子迁移谱湿度控制冒泡法嵌入式

Sc，Gd和Lu-配合物的有机电致发光及光伏特性研究

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功能材料 2008年第9期39卷 1418-1419页

作者：王丹李文连初蓓苏子生李天乐苏文明朱健卓毕德峰陈一仁杨栋芳张东煜颜飞中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室

研究了稀土(RE)配合物(RE=Sc、Gd或Lu)(RE-配合物中的RE离子为三价离子)的有机二极管,在电驱动和紫外光照射下分别表现出电致发光(EL)和光伏(PV)特性。作为EL二极管时,m-MT-DATA(4,4′,4-″tris[3-methyl-pheny(phenyl)-amino]triphenyl-amine)和稀土配合物分别用作空穴和电子传输材料,EL发射仅仅来自m-MTDATA和稀土配合物层间界面激基复合物,当配合物的中心金属分别为Sc、Gd或Lu时,EL发射峰分别为656、607~590nm。作为PV二极管时,m-MTDATA和稀土配合物分别作为电子给体(D)和受体(A),它们的开路电压(Voc)分别为1.17、1.65和1.92V。还讨论了EL和PV特性与配合物中中心稀土离子的核电荷数关系。

关键词：有机电致发光光伏稀土离子配合物

MOCVD-InAs/GaSb DBR结构材料的特性研究

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人工晶体学报 2005年第6期34卷 1030-1034页

作者：蒋红金亿鑫宋航缪国庆中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室长春130033

本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引... 详细信息

本研究采用MOCVD技术在GaSb衬底上制备InAs与GaSb交替生长层构成的分布布喇格反射镜(DBR)材料。由于InAs与GaSb材料晶格匹配良好,且折射率差较大,因此用这两种材料交替生长构成的DBR结构,在较低生长周期时即可获得较高的反射率。将其引入共振腔增强型红外探测器结构,做为共振腔的腔体,将大大改善器件性能,实现红外光的高灵敏度室温探测。根据多膜增反原理,膜层反射率随膜层周期增加而增加,理论计算结果显示InAs/GaSb DBR结构工作波长为2.4μm,周期为22时,膜层反射率即可高于80.11%。我们用扫描电子显微镜,X-ray射线衍射,反射光谱测量等分析手段,对InAs/GaSb DBR结构材料的物理性能进行表征。结果表明,我们已经成功获得高质量的晶格匹配的InAs、GaSb单晶薄膜,以及InAs/GaSb交替生长组成的不同周期的DBR结构材料。反射光谱测量显示,InAs/GaSb DBR反射率随膜层周期数增加而增加,当InAs/GaSb DBR周期数为22时,其反射率约为44.27%。

关键词： MOCVD 分布布喇格反射镜反射率