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连续致密LTA分子筛膜对痕量TNT爆炸物气氛的浓缩

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高等学校化学学报 2018年第12期39卷 2637-2643页

作者：郭亚楠宫淼淼窦新存中国科学院新疆理化技术研究所爆炸物安全科学自治区重点实验室环境科学与技术实验室中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011

采用晶种浆料刮擦法在多孔α-Al_2O_3陶瓷管载体表面制备了连续致密的LTA分子筛膜,并设计了基于致密分子筛膜的2,4,6-三硝基甲苯(TNT)爆炸物蒸气浓缩装置,利用分子筛孔径尺寸与TNT分子动力学半径的差异对TNT进行浓缩,提高密闭空间内TNT... 详细信息

采用晶种浆料刮擦法在多孔α-Al_2O_3陶瓷管载体表面制备了连续致密的LTA分子筛膜,并设计了基于致密分子筛膜的2,4,6-三硝基甲苯(TNT)爆炸物蒸气浓缩装置,利用分子筛孔径尺寸与TNT分子动力学半径的差异对TNT进行浓缩,提高密闭空间内TNT分子的浓度.采用静态扩散和动态浓缩2种方式评价了LTA型分子筛膜对TNT气氛的分离浓缩效果.

关键词： LTA分子筛膜气氛浓缩 TNT爆炸物气氛

(LaMn_(0.8)Al_(0.2)O_3)_(1-x)(Al_2O_3)_x(0.05≤x≤0.2)NTC热敏陶瓷材料制备及电性能研究

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无机材料学报 2014年第1期29卷 85-90页

作者：赵丽君张惠敏常爱民赵鹏君张博张丙寅中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

采用氧化物固相法制备(LaMn0.8Al0.2O3)1-x(Al2O3)x(0.05≤x≤0.2)系列负温度系数(Negative Temperature Coefficient,NTC)热敏陶瓷材料。利用热重-差热(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、阻温特性以及老化性能测试等手段,确定了材料粉体最佳煅烧温度,表征了陶瓷体物相、形貌、元素含量、电学性能、稳定性与Al2O3含量的关系。结果表明:(LaMn0.8Al0.2O3)1-x(Al2O3)x(0.05≤x≤0.2)系列热敏陶瓷材料电阻率随着Al2O3含量增加显著增大,但材料常数B值增加平缓。当x=0.15时,该陶瓷材料呈现出低B(2816.44 K)、高阻(11893.89?·cm)的优良电学特性。热敏电阻经125℃老化500 h,阻值漂移(ΔR/R)均小于0.94%。

关键词： (LaMn0 8Al0 2O3)1-x(Al2O3)x NTC热敏陶瓷电性能

深亚微米金属氧化物场效应晶体管及寄生双极晶体管的总剂量效应研究

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物理学报 2014年第22期63卷 258-265页

作者：王信陆妩吴雪马武英崔江维刘默寒姜柯中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固有的寄生效应导致N... 详细信息

为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线源下的总剂量试验研究.发现:1)CMOS工艺中固有的寄生效应导致NMOS晶体管截止区漏电流对总剂量敏感,随总剂量累积而增大;2)寄生双极晶体管总剂量损伤与常规双极晶体管不同,表现为对总剂量不敏感,分析认为两者辐射损伤的差异来源于制作工艺的不同;3)寄生双极晶体管与NMOS晶体管的总剂量损伤没有耦合效应;4)基于上述研究成果,初步分析CMOS工艺混合信号集成电路中数字模块及模拟模块辐射损伤机制,认为MOS晶体管截止漏电流增大是导致数字模块功耗增大的主因,而Bandgap电压基准源模块对总剂量不敏感源于寄生双极晶体管抗总剂量辐射的能力.

关键词：总剂量效应 N沟道金属氧化物场效应晶体管寄生双极晶体管 Bandgap基准电压源

亲电碘环化反应合成双碘代苯并吡喃衍生物和双碘代1,2-二氢喹啉衍生物

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有机化学 2014年第12期34卷 2537-2542页

作者：罗倩谢永新陈朝阳闫世友邓文叶刘义王璐璐中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

采用不同取代的二苯醚己二炔化合物及N-磺酰基取代的苯胺己二炔为底物,以ICl为亲电试剂,在温和条件下通过亲电碘环化能快速实现一系列双碘代苯并吡喃衍生物及双碘代1,2-二氢喹啉衍生物的合成;该反应操作简单、条件温和、收率良好,产物... 详细信息

采用不同取代的二苯醚己二炔化合物及N-磺酰基取代的苯胺己二炔为底物,以ICl为亲电试剂,在温和条件下通过亲电碘环化能快速实现一系列双碘代苯并吡喃衍生物及双碘代1,2-二氢喹啉衍生物的合成;该反应操作简单、条件温和、收率良好,产物结构经NMR,IR及MS分析数据得以证实.

关键词：二炔二醚亲电碘环化 1,2-二氢喹啉苯并吡喃

背栅偏置对不同沟道长度PDSOI晶体管总剂量损伤规律及机理研究

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核技术 2022年第5期45卷 49-54页

作者：王海洋郑齐文崔江维李豫东郭旗中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆电子信息材料与器件重点实验室乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

为研究辐照过程中施加背栅偏置对不同沟道长度部分耗尽绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(Partily Depleted Silicon-On-Insulator Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors,PD SOI MOSFETs)电参数影响规律,及对隐埋氧化层(Buried Oxide,BOX)辐射感生陷阱电荷的调控规律及机理。基于晶体管转移特性曲线,通过提取辐射诱导晶体管阈值电压变化量,对比了不同沟道长度PD SOI在不同背栅偏置条件下的辐射损伤数据,试验结果显示:辐照过程中施加背栅偏置可以显著增强长沟晶体管的损伤。通过提取辐射在BOX层中引入陷阱电荷密度,结合TCAD(Technology Computer Aided Design)器件模拟仿真进行了机理研究,研究结果表明:短沟道晶体管在施加背栅偏置时会受到源漏电压的影响,从而使BOX层中电场分布及强度不同于长沟道晶体管,而长沟道晶体管受源漏电压的影响可以忽略。

关键词：绝缘体上硅隐埋氧化层背栅调控总剂量辐照

体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响

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电子学报 2019年第5期47卷 1065-1069页

作者：席善学陆妩郑齐文崔江维魏莹姚帅赵京昊郭旗中国科学院大学北京100049 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011

研究体偏置效应对超深亚微米绝缘体上硅(SOI,Silicon-on-insulator)器件总剂量效应的影响.在TG偏置下,辐照130nm PD(部分耗尽,partially depleted) SOI NMOSFET(N型金属-氧化物半导体场效应晶体管,n-type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)器件,监测辐照前后在不同体偏压下器件的电学参数.短沟道器件受到总剂量辐照影响更敏感,且宽长比越大,辐射导致的器件损伤亦更大.在辐射一定剂量后,部分耗尽器件将转变为全耗尽器件,并且可以观察到辐射诱导的耦合效应.对于10μm/0.35μm的器件,辐照后出现了明显的阈值电压漂移和大的泄漏电流.辐照前体偏压为负时的转移特性曲线相比于体电压为零时发生了正向漂移.当体电压Vb=-1.1V时部分耗尽器件变为全耗尽器件,|Vb|的继续增加无法导致耗尽区宽度的继续增加,说明体区负偏压已经无法实现耗尽区宽度的调制,因此器件的转移特性曲线也没有出现类似辐照前的正向漂移.

关键词：总剂量效应绝缘体上硅体效应浅沟槽隔离

不同偏置状态下4T-CMOS图像传感器的总剂量辐射效应

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红外与激光工程 2018年第10期47卷 309-313页

作者：马林东李豫东(指导) 郭旗文林周东冯婕中国科学院新疆理化技术研究所中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学北京100049

对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规... 详细信息

对不同偏置状态下的国产科学级0.18μm工艺掩埋型4T-CMOS有源像素图像传感器进行钴-60γ射线辐照和退火实验,研究总剂量效应对图像传感器的性能影响,并观察是否存在总剂量偏置效应。着重分析暗电流、满阱容量等参数随累积剂量的变化规律。实验结果表明随着辐照总剂量累加,暗电流前期缓慢增长,之后退化明显加剧,这主要是由于辐照致界面态和氧化物陷阱电荷密度增加。4T-CMOS图像传感器的暗电流主要由来源于STI界面,而辐照导致耗尽区展宽与STI接触使得暗电流增长加剧,同时,辐照导致的耗尽区展宽也引起满阱容量的下降。并且在4T-CMOS图像传感器的实验中没有发现明显的总剂量偏置效应。

关键词： CMOS有源像素传感器总剂量效应暗电流

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比色法在爆炸物检测中的研究进展

分析测试学报 2021年第4期40卷 468-477页

作者：吴昊天王广发窦新存爆炸物安全科学自治区重点实验室中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

爆炸物杀伤力大、隐蔽性强,被广泛应用于军事战争,也是恐怖分子施暴方式的首选。基于保护人民生命和财产安全的迫切需求,爆炸物检测技术受到世界公共安全领域的高度重视。相比于其它分析方法,比色法因操作简便、抗干扰性强,不依赖分析... 详细信息

爆炸物杀伤力大、隐蔽性强,被广泛应用于军事战争,也是恐怖分子施暴方式的首选。基于保护人民生命和财产安全的迫切需求,爆炸物检测技术受到世界公共安全领域的高度重视。相比于其它分析方法,比色法因操作简便、抗干扰性强,不依赖分析设备的优势成为最适用于现场快速检测爆炸物的方法之一。该文主要综述了比色法在爆炸物探测领域的研究进展,包括对比色探针和比色阵列研究进展的总结与前景分析,并重点讨论了比色人工嗅觉系统及其在爆炸物检测中的应用,展望了其未来的发展趋势和应用前景。

关键词：爆炸物比色检测探针传感阵列人工嗅觉系统

内滤效应设计对非制式爆炸物高锰酸钾检测性能提升策略研究进展

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分析测试学报 2022年第2期41卷 290-298页

作者：万知欣蔡珍珍窦新存爆炸物安全科学自治区重点实验室中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室中国科学院新疆理化技术研究所新疆乌鲁木齐830011 中国科学院大学材料与光电研究中心北京100049

高锰酸钾作为强氧化剂,是重要的非制式爆炸物原料之一,实现对其快速、高灵敏、可视化识别对维护国家公共安全至关重要。近年来,荧光法由于具有选择性好、灵敏度高、响应速度快等优势,通常被用于高锰酸钾检测,其检测原理大多基于内滤效应... 详细信息

高锰酸钾作为强氧化剂,是重要的非制式爆炸物原料之一,实现对其快速、高灵敏、可视化识别对维护国家公共安全至关重要。近年来,荧光法由于具有选择性好、灵敏度高、响应速度快等优势,通常被用于高锰酸钾检测,其检测原理大多基于内滤效应(IFE)。该文综述了近5年来基于IFE机理检测高锰酸钾的代表性研究成果,总结了IFE机理用于提升高锰酸钾检测性能的设计策略,系统探讨了单发射波长和多发射波长调控,包括配体种类、掺杂元素种类、金属中心个数及种类、不同杂化体系调控对材料光谱性质及高锰酸钾检测性能的影响。展望了该领域基于IFE策略的检测手段可能的发展趋势及应用前景,可为构建高灵敏检测高锰酸钾的IFE体系提供指导。

关键词：高锰酸钾内滤效应荧光检测非制式爆炸物调控策略