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Al/GaSb Contact with Slow Positron Beam

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Chinese Journal of Chemical Physics 2006年第2期19卷 169-172页

作者：王海云翁惠民 C.C.Ling 叶邦角周先意中国科学技术大学近代物理系合肥230026 香港大学物理系

Annealing study of the Al/GaSb system was performed by using a slow positron beam and the measurement of X-ray diffraction. The S parameter against positron energy data were fitted by a three layer model （Al/interface/GaSb）. It was found there was a ～5 nm interfacial at the region between the Al layer and bulk in the sample of as-deposited. After the 400 ℃ annealing, this interfacial region extends to over 40 nm and S parameter dramatically drops. This is possibly due to a new phase formation induced by the atoms＇inter-diffusion at the interface. The annealing out of the open volume defects in the Al layer was revealed by the decrease of the S parameter and the increase of the effective diffusion length of the Al layer. Annealing behaviors of Sb and Lb of the GaSb bulk showed the annealing out of positron traps at 250 ℃. However,further annealing at 400 ℃ induces formation of positron traps, which are possibly another kind of VGarelated defect and the positron shallow trap GaSb anti-site. The results of the X-ray diffraction experiment verified the conclusion of obtained by using positron technology.

关键词： Positron Defect Trapping Al/GaSb Interface

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窄矩形通道两相流动实验回路设计研究

核动力工程 2019年第6期40卷 35-39页

作者：张杰陈红丽张雪中国科学技术大学物理学院

为了更好地研究某燃料堆内窄矩形冷却剂通道的流动传热特性,调研了窄矩形通道传热的研究现状和发展趋势,结合NP工程反应堆相关参数和实验需求,搭建了一套热工水力两相流实验回路用来研究分析某燃料冷却剂通道传热特性。该实验回路根据... 详细信息

为了更好地研究某燃料堆内窄矩形冷却剂通道的流动传热特性,调研了窄矩形通道传热的研究现状和发展趋势,结合NP工程反应堆相关参数和实验需求,搭建了一套热工水力两相流实验回路用来研究分析某燃料冷却剂通道传热特性。该实验回路根据实际的反应堆运行操作要求,设计了与实际冷却剂通道一致的实验段,流动方向设定为竖直向下流动,采用双面加热,流道间隙尺寸设定为2.3 mm,通道宽度为67 mm(加热宽度为62 mm),流道长度为1000 mm(加热长度为750 mm),并通过实验对其进行了验证。结果表明,本文装置正确可行。

关键词： NP工程反应堆实验回路设计窄矩形通道竖直向下流动双面加热

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激光尾场加速电子的密度梯度注入的解析处理

物理学报 2016年第4期65卷 61-66页

作者：王通王晓方中国科学技术大学近代物理系合肥230026

在激光尾场加速电子的机理中,引入适当的密度梯度容易实现并控制电子注入到等离子体波中实现加速.迄今对密度梯度注入的理论研究主要采用粒子模拟.本文发展了一种解析处理密度梯度注入的方法,分析了密度下降区域中电子的注入和加速.给... 详细信息

在激光尾场加速电子的机理中,引入适当的密度梯度容易实现并控制电子注入到等离子体波中实现加速.迄今对密度梯度注入的理论研究主要采用粒子模拟.本文发展了一种解析处理密度梯度注入的方法,分析了密度下降区域中电子的注入和加速.给出了一维密度梯度中电子注入发生的条件,采用哈密顿力学得到了线性条件下密度梯度区的电子相空间分界线(separatrix);讨论了密度梯度区电子注入的时间对电子进入密度均匀区持续加速的影响.用粒子模拟验证了分析结果.

关键词：电子注入等离子体波密度梯度

中能电子的全截面测量装置和对氮分子的散射全截面

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物理学报 1994年第7期43卷 1077-1082页

作者：邢士林徐克尊陈向军杨炳忻王永刚庞文宁张芳施启存中国科学技术大学近代物理系

介绍一台用于中能电子散射全截面的测量装置，并给出了５００－２６００ｅｖ电子与氮分子散射全截面的实验结果。

关键词：电子散射截面总截面中能测量

利用离子声波朗道阻尼测量氧化物阴极放电中的离子温度

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物理学报 2015年第18期64卷 488-493页

作者：胡广海金晓丽张乔枫谢锦林刘万东中国科学技术大学近代物理系合肥230026

作为等离子体重要参数之一,特别是在低温等离子体中离子温度的测量一直较为困难.在磁化线性等离子体装置氧化物阴极脉冲放电条件下,利用栅网激发离子声波,通过测量波幅在朗道阻尼作用下随空间的演化,利用阻尼长度是离子温度和电子温度... 详细信息

作为等离子体重要参数之一,特别是在低温等离子体中离子温度的测量一直较为困难.在磁化线性等离子体装置氧化物阴极脉冲放电条件下,利用栅网激发离子声波,通过测量波幅在朗道阻尼作用下随空间的演化,利用阻尼长度是离子温度和电子温度的函数,计算得到离子温度为0.3 eV.测量值与国外类似装置利用光谱诊断所得结果基本相同.

关键词：离子声波朗道阻尼氧化物阴极

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电子束放射照相的特性与参数优化

物理学报 2015年第15期64卷 107-116页

作者：陈媛王晓方邵光超中国科学技术大学近代物理系合肥230026

短脉冲强激光产生的电子束具有源尺寸小、脉宽窄、准单能谱等特点,在放射照相诊断中具有独特作用.本文通过分析电子在材料中散射并采用蒙特卡罗方法数值模拟,研究了100 ke V到几百Me V能量电子束对有厚度起伏或存在界面的靶的透视,并与... 详细信息

短脉冲强激光产生的电子束具有源尺寸小、脉宽窄、准单能谱等特点,在放射照相诊断中具有独特作用.本文通过分析电子在材料中散射并采用蒙特卡罗方法数值模拟,研究了100 ke V到几百Me V能量电子束对有厚度起伏或存在界面的靶的透视,并与质子、X射线束透视结果比较,给出了电子束放射照相的特性与参数优化:基于电子在材料中非弹性散射或能量损失,选用能量使其射程与靶厚度接近的电子束来诊断靶厚度不均匀性;基于电子在材料中的弹性散射,选用射程超过靶厚度的电子束来诊断靶界面.

关键词：电荷粒子束弹性与非弹性散射蒙特卡罗模拟放射照相

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闪烁光纤光传输特性的研究

高能物理与核物理 1997年第9期21卷 787-792页

作者：汪晓莲许咨宗侯云珍汪兆民陈宏芳李澄曾晖中国科学技术大学近代物理系

给出了闪烁光纤光产额的测量结果，研究了其传输衰减和时间特性，并对几种不同型号的光纤进行了比较。

关键词：闪烁光纤光产额衰减特性闪烁体传输特性

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碳纳米管束中的正电子理论

物理学报 2007年第11期56卷 6695-6700页

作者：陈祥磊郗传英叶邦角翁惠民中国科学技术大学近代物理系合肥230026

采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况,发现对于单壁碳纳米管束,正电子的主要湮没区域,湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8... 详细信息

采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况,发现对于单壁碳纳米管束,正电子的主要湮没区域,湮没对象和正电子寿命随碳纳米管管径的不同而发生规律性变化.计算得到管径范围在0.8—1.6nm的碳纳米管束的正电子寿命范围为332—470ps,与实验测得的394ps符合较好.

关键词：局域密度近似单壁碳纳米管正电子寿命

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等离子体刻蚀建模中的电子碰撞截面数据

物理学报 2024年第9期73卷 1-25页

作者：陈锦峰朱林繁中国科学技术大学近代物理系合肥230026

半导体芯片是信息时代的基石,诸如大数据、机器学习、人工智能等新兴技术领域的快速发展离不开源自芯片层面的算力支撑.在越来越高的算力需求驱动下,芯片工艺不断追求更高的集成度与更小的器件体积.作为芯片制造工序的关键环节,刻蚀工... 详细信息

半导体芯片是信息时代的基石,诸如大数据、机器学习、人工智能等新兴技术领域的快速发展离不开源自芯片层面的算力支撑.在越来越高的算力需求驱动下,芯片工艺不断追求更高的集成度与更小的器件体积.作为芯片制造工序的关键环节,刻蚀工艺因此面临巨大的挑战.基于低温等离子体处理技术的干法刻蚀工艺是高精细电路图案刻蚀的首选方案,借助等离子体仿真模拟,人们已经能够在很大程度上缩小实验探索的范围,在海量的参数中找到最优工艺条件.电子碰撞截面是等离子体刻蚀模型的关键输入参数,深刻影响着模型预测结果的可靠性.本文主要介绍了低温等离子体建模的基本理论,重点强调电子碰撞截面数据在数值模拟中的重要作用.与此同时,本文概述了获取刻蚀气体截面数据的理论与实验方法.最后总结了刻蚀相关原子分子的电子碰撞截面研究现状,并展望了未来的研究前景.

关键词：电子碰撞截面干法刻蚀低温等离子体等离子体建模

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