检索结果-南通市图书馆

半导体技术 2016年第10期41卷 735-735页

作者：高岭中国电子科技集团公司第十三研究所

中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套... 详细信息

中国电子科技集团公司第十三研究所高韧性陶瓷材料及其制备方法研究成果,获得美国国际发明专利授权。中国电子科技集团公司第十三研究所持续开展外壳领域的核心技术研发工作,通过持续研发、优化对高性能陶瓷材料配方研究,研发出一整套制备工艺方法,

关键词：中国电子科技集团公司制备方法美国专利陶瓷材料研究所高韧性研发工作高性能陶瓷

中国电子科技集团公司第十三研究所激光器产品推介

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半导体技术 2016年第10期41卷 799-799页

作者：刘小文中国电子科技集团公司第十三研究所

中国电子科技集团公司第十三研究所研发生产半导体激光器、固态激光器和光纤激光器三大系列激光器。半导体激光器以高功率为主要特点,在800-1064nm近红外波段,连续功率达到3000W,脉冲功率达到5000W,

关键词：中国电子科技集团公司半导体激光器研究所产品推介光纤激光器固态激光器近红外波段脉冲功率

探索技术之美,赋能国之重器——访谈中国电子科技集团公司第十四研究所工业设计中心主任胡长明首席专家

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电子机械工程 2022年第1期38卷 1-4页

作者：胡长明中国电子科技集团有限公司中国电子科技集团公司第十四研究所中国电子科技集团公司第十四研究所工业设计中心中国电子科技集团公司第十四研究所智能制造创新中心国家智能制造专家委员会

从十三五规划开始,我国开始论证实施制造业创新中心建设工程,建设一批国家级工业设计中心。工业设计作为产品设计的重要环节,它的理念是如何演进的?如何将先进工业设计理念融入产品设计?带着这些问题,我们对中国电子科技集团公司第十四... 详细信息

从十三五规划开始,我国开始论证实施制造业创新中心建设工程,建设一批国家级工业设计中心。工业设计作为产品设计的重要环节,它的理念是如何演进的?如何将先进工业设计理念融入产品设计?带着这些问题,我们对中国电子科技集团公司第十四研究所工业设计中心(以下简称为十四所工业设计中心)主任胡长明首席专家进行了访谈。

关键词：产品设计工业设计理念胡长明建设工程中国电子科技集团公司访谈十三五规划

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用于毫米波晶圆测量的动态校准技术

微波学报 2024年

作者：刘晨高岭孙静王一帮栾鹏中国电子科技集团公司第十三研究所

为修正传统校准方法无法处理的探针与探针之间串扰或泄漏误差问题，提出了一种在毫米波频率下进行晶圆测量的动态校准技术。应用该动态校准技术，开发了一种新的误差模型。在校准和测量晶圆器件时，该模型将泄漏误差分开进行处理。在校... 详细信息

为修正传统校准方法无法处理的探针与探针之间串扰或泄漏误差问题，提出了一种在毫米波频率下进行晶圆测量的动态校准技术。应用该动态校准技术，开发了一种新的误差模型。在校准和测量晶圆器件时，该模型将泄漏误差分开进行处理。在校准过程中利用虚拟标准对（例如开路-开路对或负载-负载对），可以在系统校准期间正确地测量泄漏误差，并在测量晶圆器件时去除泄漏误差对测量结果的影响。基于此，测量结果的准确度可以提高10%。此外还发现，在求解新误差项的方程时使用短路-短路对会产生奇异解，因此不能使用短路-短路对作为虚拟标准对。

关键词：毫米波测量晶圆测量散射参数误差模型泄漏误差串扰

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一种低附加相位噪声的放大器设计

微波学报 2024年

作者：王增双张加程朱大成耿栋中国电子科技集团公司第十三研究所

本文设计了一款低附加相位噪声的达林顿放大器。本文首先介绍了放大器的噪声系数和附加相位噪声的基本概念，其次通过公式推导的方式阐述了两者的关系，最后通过工艺选择、电路优化等方面来降低放大器的附加相位噪声。该放大器采用GaAs... 详细信息

本文设计了一款低附加相位噪声的达林顿放大器。本文首先介绍了放大器的噪声系数和附加相位噪声的基本概念，其次通过公式推导的方式阐述了两者的关系，最后通过工艺选择、电路优化等方面来降低放大器的附加相位噪声。该放大器采用GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺进行了设计仿真和流片，芯片尺寸为0.6 mm×0.6 mm×0.1 mm。测试结果表明，在电源电压为+5 V条件下，该放大器电流为60 mA，工作频率为0.01～2.0 GHz，P1dB为19 dBm，噪声系数为2.7 dB，工作频率100 MHz时的附加相位噪声为-162 dBc/Hz@1kHz、-170 dBc/Hz@10kHz、-172 dBc/Hz@100kHz。

关键词：附加相位噪声达林顿放大器噪声系数 GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺

2~6 GHz 100 W高效率平衡式功率放大器的研制

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电子科技大学学报 2024年第1期53卷 8-13页

作者：来晋明徐会博李志友倪涛王超杰银军王海龙马晓华西安电子科技大学微电子学院西安710071 中国电子科技集团公司第二十九研究所成都610036 中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050050

为解决传统宽带大功率放大器工作效率低的问题,采用新型电阻电抗连续B/J类功放模式拓展晶体管高效率的输出负载阻抗空间,从而提高宽带功放的漏级输出效率。提出了一款基于0.25μm栅长的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的平衡式功放... 详细信息

为解决传统宽带大功率放大器工作效率低的问题,采用新型电阻电抗连续B/J类功放模式拓展晶体管高效率的输出负载阻抗空间,从而提高宽带功放的漏级输出效率。提出了一款基于0.25μm栅长的氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的平衡式功放。该功放将LC匹配网络和切比雪夫阻抗变换器相结合实现GaN HEMT器件宽带输入输出阻抗匹配,并利用3 dB Lange耦合器实现宽带平衡式功率合成。在连续波测试条件下,该平衡式功放在2~6 GHz频带内输出功率大于100 W,漏极效率大于45%,功率增益大于9.0 dB,抗负载失配比优于5:1。

关键词： GaN HEMT 宽带平衡式功率合成功率放大器

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量子噪声对Shor算法的影响

物理学报 2024年第5期73卷 43-58页

作者：黄天龙吴永政倪明汪士叶永金中国电子科技集团公司第三十二研究所上海201808

Shor算法能够借助量子计算机以多项式级别复杂度解决大整数因式分解问题,从而破解一系列安全性基于大整数因式分解的加密算法,例如Rivest-Shamir-Adleman加密算法、Diffie-Hellman密钥交换协议等.由于量子测量结果是概率性的,在运行量... 详细信息

Shor算法能够借助量子计算机以多项式级别复杂度解决大整数因式分解问题,从而破解一系列安全性基于大整数因式分解的加密算法,例如Rivest-Shamir-Adleman加密算法、Diffie-Hellman密钥交换协议等.由于量子测量结果是概率性的,在运行量子线路时很容易受到噪声的干扰,这将导致无法测量得到预期结果.本文分别研究了不同通道的噪声对Shor算法的影响,分别是去极化通道、状态制备与测量通道以及热退相干通道.本文模拟在噪声环境中运行Shor算法并且给出了数值结果.数值结果表明Shor算法成功分解整数的概率易受到噪声影响,其中去极化通道中的噪声能够以指数形式影响Shor算法成功分解整数的概率,其次是热退相干通道噪声,最后是状态制备与测量通道噪声,能够线性影响到Shor算法成功分解的概率.本文能够为后续纠错、改进Shor算法以及确定工程实现Shor算法所需要的保真度等提供建设性意见.

关键词：量子计算量子算法量子噪声 Shor算法

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一种三维集成的Ku波段高功率T/R模块

半导体技术 2024年第6期49卷 569-574页

作者：陈兴张超陈东博赵永志中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建... 详细信息

基于硅基微电子机械系统(MEMS)三维(3D)异构集成工艺,设计并制作了用于相控阵天线系统的三维堆叠式Ku波段四通道高功率收发(T/R)模块。该模块由两层硅基封装堆叠而成,层间采用球栅阵列(BGA)植球堆叠,实现模块小型化;采用高低阻抗匹配建模,保证低损耗输出,采用导热垫加微流道散热板达到了良好的散热效果,实现模块高功率输出;对模块的微波垂直互连结构和散热进行建模和仿真。测试结果表明,在14~18 GHz内发射通道饱和输出功率大于40 dBm,接收通道增益大于21 dB,噪声系数小于3.5 dB,模块尺寸仅为14.0 mm×14.0 mm×3.3 mm。该模块在兼顾高集成度的同时性能指标得到了进一步提升。

关键词：硅基微电子机械系统(MEMS) 收发(T/R)模块三维集成高功率散热设计

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多层硅基模块晶圆级键合腔体的可靠性

半导体技术 2024年第7期49卷 674-681页

作者：马将郜佳佳杨栋中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

晶圆级键合是实现多层硅基模块内部互连的关键工艺,针对硅片在晶圆级键合工艺中的开裂现象,建立了硅基刻蚀腔体在键合工艺中的力学模型,经样件实验验证,该模型可以准确预估腔体的开裂现象。在此基础上设计了硅片键合实验,通过引入硅通孔... 详细信息

晶圆级键合是实现多层硅基模块内部互连的关键工艺,针对硅片在晶圆级键合工艺中的开裂现象,建立了硅基刻蚀腔体在键合工艺中的力学模型,经样件实验验证,该模型可以准确预估腔体的开裂现象。在此基础上设计了硅片键合实验,通过引入硅通孔(TSV)的应力集中因子确定了硅基晶圆级键合的应力失效判据。而后通过参数化仿真系统性探究了硅基刻蚀腔体面积及腔体形状等因素对键合应力的影响规律,并绘制出刻蚀腔体设计可靠范围图。结果表明,硅片键合可靠腔体临界面积约为21 mm^(2),且腔体形状越接近正方形越易开裂。该研究为多层硅基模块刻蚀腔体的可靠性设计提供了参考。

关键词：晶圆级键合多层硅基模块刻蚀腔体硅通孔(TSV) 可靠性

基于SiGe BiCMOS工艺的8 GS/s采样保持电路

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半导体技术 2024年第5期49卷 499-504页

作者：李飞吴洪江龚剑曹慧斌中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051

为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提... 详细信息

为实现数字通信对高速模数转换器的要求,基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺提出了一款8 GS/s采样率、6 bit的采样保持电路。电路采用全差分开环结构,利用射极跟随型采样开关实现了电路高采样率。采样开关中采用晶体管线性补偿技术,有效地提高了采样保持电路的线性度。输出缓冲电路采用级联结构实现高线性度,并提高了电路的驱动能力。测试结果发现,在采样模式下单端输入信号频率4 GHz、采样时钟频率8 GHz条件下,有效位数为5.4 bit,无杂散动态范围为37.6 dB,总谐波失真为37.5 dB,总功耗为450 mW,芯片尺寸为0.68 mm×0.68 mm。

关键词：采样保持电路 SiGe BiCMOS工艺射极跟随型采样开关前馈电容馈通补偿电路